高速光耦

高速光耦高速光耦经查大量资料后，总结出目前市场上常见之高速光藕型号供大家选择: 100Kbit/S: 6N138、6N139、PS8703 1Mbit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、 HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10Mbit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2...

高速光耦经查大量资料后，总结出目前市场上常见之高速光藕型号供大家选择: 100Kbit/S: 6N138、6N139、PS8703 1Mbit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、 HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10Mbit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL,2631(双路) 另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。 CTR的定义光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比(CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率 (ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。例如:moc3063、IL420; 它们的主要指标是负载能力; 例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA; 光耦的部分型号型号规格性能说明 4N25晶体管输出 4N25MC晶体管输出 4N26晶体管输出 4N27晶体管输出 4N28晶体管输出 4N29达林顿输出 4N30达林顿输出 4N31达林顿输出 4N32达林顿输出 4N33达林顿输出 4N33MC达林顿输出 4N35达林顿输出 4N36晶体管输出 4N37晶体管输出 4N38晶体管输出 4N39可控硅输出 6N135高速光耦晶体管输出 6N136高速光耦晶体管输出 6N137高速光耦晶体管输出 6N138达林顿输出 6N139达林顿输出 MOC3020可控硅驱动输出 MOC3021可控硅驱动输出 MOC3023可控硅驱动输出 MOC3030可控硅驱动输出 MOC3040过零触发可控硅输出 MOC3041过零触发可控硅输出 MOC3061过零触发可控硅输出 MOC3081过零触发可控硅输出 TLP521-1单光耦 TLP521-2双光耦 TLP521-4四光耦 TLP621四光耦 TIL113达林顿输出 TIL117TTL逻辑输出 PC814单光耦 PC817单光耦 H11A2晶体管输出 H11D1高压晶体管输出 H11G2电阻达林顿输出请教高速光耦6N136的问题我们的系统中RS485电路使用了6N136，原设计电路如图，制板三次都没有出现问题，可这次生产的板集体出现485电路通信不顺畅的问题(115200bps)，示波器观察发现是6N136的输出端的上升沿较输入端延时了3,4us(如下图)，而且波形很不好。并将之前用的光耦拆过来就能正常使用，可能是前后两批货的差别较大。后将输出端的电阻R3由5.1K改成2K或3K，初步实验了数台，问题似乎得到解决，但是否就是这样改就好了不太确定。并有以下疑问: 1、按光耦电流原件特性，输入端电流为4.3/330=13ma,按136电流转换比的典型值27%算，三极管端电流3.5ma，则R3大于940欧就可以了。我这里选5.1K会出现怎样的问题，从而影响到了三极管关断变慢,,既然选大了不好，应该在哪个范围选, 2、datasheet上说6N136电流转换率19%,50%，典型值是27%，而TLP521则典型值是50%，高速光耦的转换率反而低，是这样吗, 实际上5.1K不动的情况下R55要调到510欧至2K才能正常通信。我的理解是R55变大则导通电流变小，则二极管端关断速度加快。晶体管由于制造工艺的限制，在关断时存在着严重的拖尾现象，影响开关频率，一般需外加外围电路进行补偿，运用频率越高越需要，(115200bps)通信波特率不算高，国内有高手曾用低速光耦TLP521加外围补偿电路成功用于RS232串口115200bps通讯，补偿电路很简单，在光耦的发射光电二极管二端并一个4.7K-15K的电阻(为主)，在输出端VB(7脚)端对地并一个20K-47K的电阻(为辅)，楼主请试一下，看看测试结果。重要声明，我没用过高速光耦，也不搞设计，以上一些内容纯粹看书抄书，引用他人的核心思想，未经过验证，仅供楼主参考。谢谢～ 9楼:R3(5.1K)越大，开关速度越慢，原因主要是三极管B、C的极间电容引起的，6N136的内部是一个光电二极管驱动一个NPN三极管，共射极放大，存在密勒效应。 6N136在接近饱和的时候电流转换率最小值是15%(考虑温度变化)，发光管的正向压降越1.1V，发光管正向电流是(5-1.1)/330 = 12mA，电流转换率按15%计算，则Ic为1.8mA，那么R3至少要2.7K才能使输出饱和。建议R3选择2.7K左右，然后适当减小R55，增大发光管的电流，利于提高开关速度。 11楼正解，在7脚与5脚间接个2K的电阻试试。

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