前段制程
对外延片做 ITO 蒸镀前的表面清洗：
外延片
ITO 蒸镀后：
ITO：2500 或 4000
M
ESA
光刻匀胶后
东进正胶：
DTFR-330R
曝光
光罩
显影后
显影：光罩上
的 图 形 转 移
到 芯 片 表 面
的光刻胶上
光 刻 胶 被 显
走，露出 SIO2，
待蚀刻
光刻胶
保护区
ITO
蚀刻后
ITO 蚀刻：未被
光刻胶保护的 ITO
均被 HCL 蚀刻掉,
而 有 光 刻 胶 保 护
的 ITO 则留下来。
IC
P 之并
去胶后
然后进行 ITO 的合金
DNR-L300-40
型光刻负胶所
保护区域
DNR-L300-40
型光刻负胶所
保护区域
此区域光刻胶
被显走
PA
D
光刻后
5 金屬蒸鍍(P-Metal coating)
P-pad
6. Lift-Off
P-contact
TCL
PA
D
lift off 后
P-GaN
N-contact
长
SiO
2 后
N-GaN
Active Layer(发光层) N-GaN buffer
Sapphire (衬底)
SiO
2 光刻后
SIO2 光刻后：
此区域光刻
胶被显走，
露出 SiO2
ENPI202 型
光刻负胶保
护区域
最终成品
COW：
点测：
后段制程
前段成品 COW：
上蜡固定
研磨后
研磨，即粗磨。
将 芯 片 底 部 减
薄，增加芯片的
导热能力，也便
于后续制作。
430±5um
抛光后
抛光：研磨后的芯
片背面比较粗糙，
需 要 对 其 精 密 抛
光，确保其平整。
（图为抛光后）
切割
切割：从底部沿
切割道进行切
割。
注意：切割太深，
会伤及芯片，影响发
光效率；太浅则影响
崩裂。
切割后
崩裂
崩裂：从正面沿切割
道对 wafer 进行崩
裂，把 wafer 分成相
互分离的单颗晶粒。
扩张
扩张：崩裂后的 wafer
每颗晶粒是紧密挨在一
起的，为了后续点测和分
类的需要，故要将粘在白
膜上已经崩裂开的芯片
扩张开来。（图为扩张后）
扩张后
翻转
翻转：前部分制作都
是在背面加工，所以
用白膜贴在正面，为
了点测分类的需要，
要用蓝膜贴在背面，
把芯片翻转过来，正
面朝上。
点测
使用专用点测机对芯片通以 20µA 的电流进行测试，系
统点测出其发光参数，如 Vf1、Vf2、Ir、Iv、Wd 等。
同时其参数形成映射（mapping ）。
mapping
分类
分类：按照一定的分类
条 件 根 据 映 射 的
mapping 对整片 wafer
进行分类，并按一定的
数量摆放在蓝膜上
目检和包装：
把分类好的方片在光学显微镜下将外观不良和摆放不齐的芯片挑走。经 QC 检测后，将粘有芯片的蓝
膜贴在硅白底纸上，贴上能标示芯片规格的标签。
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