富士驱动器使用说明

富士驱动器使用说明作者：Admin  时间：2009-8-3111:20:40  访问次数：1104    用于隔离栅双极性晶体管（IGBT）的富士混合IC驱动器使用说明一、介绍隔离栅双极性晶体管(IGBT）正日益广泛地应用于小体积，低噪音，高特性的电源，逆变器，不间断电源（UPS）以及电机速度控制装置之中。用于IGBT的富士混合IC驱动器吸取了IGBT的全部优点而开发。二、特点·不同的系列 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 系列：最大10kHz运行高速系列：最大40kHz运行这些系列包括了全部IGBT产品范围·内装用于高隔离电压的光耦合器：2500VAC一分钟·单供电操作·内装过流保护电路·过流保护输出·高密度安装的SIL封三、应用·通用逆变器和电机控制·伺服控制·不间断电源（UPS）·电焊机四、综合图表IGBT600VIGBTdrive1200VIGBTdrive150A400A75A300A标准型EXB850EXB851EXB850EXB851高速型EXB840EXB841EXB840EXB841注：1．标准型：驱动电路信号延迟；大到4μs（最大）     2．高速型：驱动电路信号延迟；大到1.5μs（最大）五．尺寸，mmEXB850/EXB840EXB851/EXB841  六．功能方框图INCLUDEPICTURE"http://www.yaozukeji.com/Manage/eWebEditor/UploadFile/200983111044404.jpg"\*MERGEFORMAT脚码说明①连接用于反向偏置电源的滤波电容②电源（+20V）③驱动输出④用于连接外部电容，以防止过流保护电路误动作（绝大部分场合不需要电容。）⑤过流保护输出⑥集电极电压监视⑦ ⑧不接⑨电源（ov）⑩ ⑾不接⒁驱动信号输入（-）驱动信号输入（+）七．额定参数和特性·绝对最大额定值(Ta=25oC)项目符号条件额定值单位EXB850EXB840《中容量》EXB851EXB841《大容量》Supplyvoltage供电电压Vcc 25V光耦合器输入电流Ii 10MA正向偏置输出电流Ig1PW=2μsdutyat0.05orless1.54.0A反向偏置输出电流Ig2PW=2μs dutyat0.05orless1.54.0A输入／输出隔离电压VISOAC50/60Hz,1miute2500V工作表面温度Tc -10to+85oC存贮温度Tstg -25to+125oC·推荐的运行条件项目符号推荐工作条件单位标准型高速型EXB850EXB851EXB840EXB841供电电压Vcc20±1V光耦合器输入电流Ii510mA·电特性(Ta=25oC)项目符号条件额定参数单位EXB840，EXB841（高速）EXB850，EXB851（中速）MiTypMaxMiTypMaxTurn-ontime1导通时间tonVcc=20V,IF=5mA  1.5  2.0μsecTurn-ontime2导通时间toffVcc=20V,IF=5mA  1.5  4.0μsec过流保护电压tocpVcc=20V,IF=5mA 7.5  7.5 V过流保护延迟tocpVcc=20V,IF=5mA  10   10μsec延迟tALMVcc=20V,IF=5mA  1  1μsec反向偏置电源电压tRBVcc=20V 5  5 V注：EXB850和EXB851（中速）需应用电路所示的IF过驱动。八．应用电路1.EXB850应用电路EXB850为混合IC，能驱动高达150A的600VIGBT和高达75A的1200VIGBT由于驱动电路的信号延迟＜μS，所以此混合IC适用于高达大约10kHz速度的开关操作。使用此混合IC时，请注意以下方面：·IGBT栅射极驱动回路接线必需小于1m·IGBT栅射极驱动接线应为绞线。·如在IGT集电极产生大的电压尖脉冲，那么增加IGBT栅串联电阻（RG）。·33μF（＃）电容器吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容器。推荐的栅电阻和电流损耗IGBT 额定值600V10A15A30A50A75A100A150A1200V-8A15A25A-50A75ARG250Ω150Ω82Ω50Ω33Ω25Ω15ΩIcc5kHz24mA 24mA 26mA10kHz24mA 25mA 29mA15kHz25mA 27mA 32mA2.EXB851应用电路EXB851是混合IC，能驱动高达400A的600VIGBT和高达300A的1200VIGBT。因为驱动电路信号延迟≤4μs，所以此混合IC适用于高约10kHz的开关操作。使用此混合IC时，请注意以下方面：·IGBT的栅射极驱动回路接线必需小于1米。·IGBT的栅射极驱动接线应为绞线。·如果在IGBT的集电极产生大的电压尖脉冲，那么增加IGBT的栅串联电阻（RG）。·47μF（＃）电容器吸收由电源接线阻抗引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容器。推荐的栅电阻和电流损耗IGBT额定值600V200A300A400A 1200V100A150A200A300ARG12Ω8.2Ω5Ω3.3ΩIcc5kHz27mA29mA30mA34mA10kz31mA34mA37mA44mA15kHz34mA39mA44mA54mA3.EXB840应用电路EXB840是混合IC能驱动高达150A的600VIGBT和高达75A的1200VIGBT。因为驱动电路信号延迟≤1μs，所以此混合IC适用于高约40kHz的开关操作，当使用此混合IC时请注意以下方面：·IGBT的栅射极驱动回路接线必需小于1米。·IGBT的栅射极驱动接线应用绞线。·果在IGBT的集电极产生大的电压尖脉冲，那么增加IGBT的珊串联电阻（RG）。·33μF（＃）电容器吸收由于电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器的电容器。 推荐的栅电阻和电流损耗IGBT额定位600V10A15A30A50A75A100A150A1200V-8A15A25A-50A75ARG250Ω150Ω82Ω50Ω33Ω25Ω15ΩIcc5kHz17mA 17mA 19mA10kHz17mA 18mA 22mA15kHz18mA 20mA 25mA4.EXB841应用EXB841是混合IC能驱动高达400A的600VIGBT和高达300A的1200VIGBT。因为驱动电路信号延迟≤1μs，所以此混合IC适用于高约40KHZ的开关操作。当使用混合IC时注意如下方面：·IGBT的珊射极驱动回路接线一定要小于1米。·IGBT的栅射驱动接线应为绞线。·如果在IGBT集电极产生大的电压尖脉冲，那么增加IGBT的珊串联电阻（RG）。·47μF（＃）电容器吸引由于电源接线附抗引起的供电电压变化。它不是电源滤波器的电容器。推荐的栅电阻和电流损耗IGBT额定位600V200A300A400A 1200V100A150A200A300ARG12Ω8.2Ω5Ω3.3ΩIcc5kHz20mA22mA23mA27mA10kHz24mA27mA30mA37mA15kHz27mA32mA37mA47mA九、操作1.概要以下内部功能只使IGBT获得最充分的应用。·信号隔离电路·驱动放大电路·过流检测器·低速过流切断电路·栅关断电源2.信号隔离电路具有高隔离电压的光耦合器用作信号隔离，因此此混合IC能被用在480VAC为动力的设备上。因为驱动电路信号延迟依赖于光耦合器的特性，所以按照混合IC的规格来选择高速或通用光耦合器。3.过流检测IGBT能抵抗10μs的短路过流，所以必须有极快的保护电路。此混合IC装有一个过流保护电路。按驱动信号与集电极电压之间的关系检测过流。此混合过流检测的原理示于右图。当集电极电压高时，虽然加入开信号也认为存在过流。 VCE低VCE高开信号正常过流失信号 正常4.低速过流切断电路作为对过流的响应，低速切断电路慢速关断IGBT。当以正常驱动速度切断过流时，产生的集电极电压尖脉冲足以损坏IGBT。低速切断电路保护IGBT而被损坏。（低速切断电路对于≤10μs期间的过流不动作）。4.栅关断电源IGBT需要一个+15V开栅电压以获得一个低开电压，以及-5V关栅电压，以防止关状态时的错动作。这是一个内装电路，可从20V供电产生恒电压，以实现IGBT栅关断。不要外加电压到脚1。十、注意1.输入电路与输出电路分开输入电路（光耦合器）接线远离输出电路接线以保证有适当的绝缘强度和高的噪音阻抗。2.在推荐的操作条件下使用如果遵守第7部分推荐的操作条件，IGBT工作最佳。·注意由于超过了IGBT栅电压；所以过高驱动供电电压会损坏IGBT，并且不足的驱动电压会不正常地增加IGBT的ON电压。·注意过高的输入电流会增加驱动电路的信号延迟，并且不足的输入电流会引起驱动电路操作不稳定。·注意不足的栅电阻能增加IGBT和稳流二极管的开关噪音。注意没能遵守推荐的操作条件的地方。十一、操作波型1.EXB850操作条件Vcc=20VIin=4mAIGBT模块2MB150-060              2.EXB841操作条件Vcc=20VIin=4mAIGBT模块2MB150-060    输入-输出波型    过流波型与EXB851一样