专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题，共150分）GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）12B.18C.20D.24.标准答案：BMOS管的小信号输出电阻『,是由MOS管的（）效应产生的。（2分）体B.衬偏C沟长调制D.业阈值导通.标准答案：C在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分）业阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：DMOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分）夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A（）表征了MOS器件的灵敏度。（2分）TOC\o"1-5"\h\z八咛中心.标准答案：CCascod敏大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）心咛D.W加.标准答案：B基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分）尾电流源的小信号输出阻抗为有限值负载不匹配输入MOS不匹配电路制造中的误差.标准答案：C下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分）二极管负载差分放大器电流源负载差分放大器有源电流镜差分放大器Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C镜像电流源一般要求相同的（）。（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D某一包流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使站木而^严格相等，以应取为（）。*（2分）A?W土.b*KC顷D..标准答案：A选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该——g电路的等效输入电阻为（）。£项（2分）A.】弗ni1cm*孙口4].标准答案：A对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。（2分）A.DCB.ACC.OPD.IC.标准答案：C模拟集成电路设计中的第--步是（）0（2分）A.电路设计B.版图设计规格定义D.电路结构选择.标准答案：C（）可提高图中放大器的增益。（2分）减小勺，减小」增大％增大」增大气减小4减小％,增大L.标准答案：A模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.输出电阻C输出摆幅D.输入电阻.标准答案：C模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.电压净空C输出摆幅D.输入偏置.标准答案：A在NMOS中，若'38犯会使阈值电压（）（2分）A.增大B.不变C减小D.可大可小.标准答案：ATOC\o"1-5"\h\zNMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C随着微电子工艺水平■提高，特征尺寸不断减小，这时电路的工作电压会（）（2分）A.不断提高B.不变C可大可小D.不断降低.标准答案：DMOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。（2分）A.电导B.电阻C跨导D.跨阻.标准答案：C工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。（2分）A.包压源B.电压控制电流源C.包流源D电流控制电压源.标准答案：B密勒效应最明显的放大器是（）。（2分）A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案：A不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。（2分）A.电阻负载B二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案：C模拟集成电路设计中的最后一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：B在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B29.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）BCD（2分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：DMOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.二级B.衬偏C.沟长调制D.业阈值导通.标准答案：BPMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：BA.业阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：B35.下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB,让输入电压Vin从0逐渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）（2分）A.M1B.M2C.两个同时进入D.都有可能.标准答案：D如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。（2分）大B.小C.近似丁WD.精确.标准答案：AMOS电容中对电容值贡献最大的是（）。（2分）ACGSCgdCCDBD.Csb.标准答案：A下面几种电路中增益线性度最好的是（）。（2分）A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器二极管负载共源级放大器D.源极负反馈共源级放大器.标准答案：C36.下面放大器的小信号增益为（）（2分）A.gm「ogmro1gmRs1理论上无穷大.标准答案：A33.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）（2分）A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L.标准答案：D37.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D34.电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（）区。（2分）38.下图电流镜的输出电压最小值为（）2Vod2农2Vod褊2VodD2Vod2Vgs.标准答案：C（2分）39.T图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）40.（）可提高图中放大器的增益。分）W减小L1,2仅增大Li,2wc.增大L1,2D.仅减小W.标准答案：C（2分）A.1A41.MOS管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。（2分）A.能B不能C.不知道能不能D.在特殊的极限情况下能.标准答案：A1B.R1R1D.A42.CMOS工艺里不容易加工的器件为（）。（2分）A.电阻B.电容C.电感.标准答案：CD.MOS管.标准答案:43.MOS管的特征尺寸通常是指（）。（2分）A.WB.LC.W/LD.tox.标准答案：BTOC\o"1-5"\h\zMOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。（2分）A.反型B.夹断C耗尽D.导通.标准答案：C源极跟随器通常不能用作（）。（2分）A.缓冲器B.放大器C电平移动D.驱动器.标准答案：B能较大范围提高阈值电压的方法是（）。（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案：CPMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。（2分）A.电子B.空穴C.电荷D.电子空穴对.标准答案：B为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区（2分）A.截止B.三极管C线性D.饱和.标准答案：DMOS管中最大的电容是（）。（2分）A.氧化层电容B.耗尽层电容C.交叠电容D.结电容.标准答案：AMOS器件小信号模型中的由MOS管的（）效应引起。（2分）A.体B.衬偏C沟长调制D.业阈值导通.标准答案：C在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B0在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番（2分）A.比尔盖茨B.摩尔C乔布斯D.贝尔.标准答案：BTOC\o"1-5"\h\z最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D工作在（）区的MOS管，其跨导是包定值。（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D载流子沟道就在栅氧层下形成（）,源和漏之间导通”。（2分）A.夹断层B.反型层C导电层D.耗尽层.标准答案：B形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。（2分）A.夹断层B.反型层C导电层D.耗尽层.标准答案：BNMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：CNMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子B.空穴C止电荷D.负电荷.标准答案：A60.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）BCD（2分）A.见图B.见图.标准答案：CC见图D.见图A61.MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。（2分）A.跨导B.受控电流源C踏阻D.小信号增益.标准答案：A62』为沟长调制效应系数，对丁较长的沟道，尢值（）（2分）A.较大B.较小C不变D.不定.标准答案：B共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。（2分）A.低B.一般C高D.很高.标准答案：DNMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。（2分）A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.标准答案：ACascod皴大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的（）效应。（2分）A.沟长调制B.体C.背栅D.衬底偏置.标准答案：A小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：B差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）（2分）A.尾电流源输出阻抗为有限值B.输入MOS管不完全对称C.负载不完全对称D.输入对管工作在饱和区.标准答案：DA.2Vod2*B."Vthc.2Vodd.2Vod2Vgs.标准答案：B71.下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该68.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D电路的等效输出电阻为（）（2分）69.下面电路的差模小信号增益为（）011B.A"1C.AR11D.AA.1AR.标准答案:A.gmiRDB.gmiro4C.gml||gm2r°4||r°2D.gmiro4||ro2.标准答案：D（2分）70.某一包流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。若让M2管工作在饱和区边Vb应取为（）（2分）Hspice仿真中，耗时最长的一般是（）。（2分）A.直流工作点分析B.瞬态分析C.交流分析D.直流分析.标准答案：B模拟电路中，精度最高的电阻是（）。（2分）A.金届电阻B.比例电阻C.多晶硅电阻D.阱电阻.标准答案：B密勒效应是（）。（2分）有害的有利的可以被我们利用来解决电路设计中的问题实际不起作用.标准答案：C为达到较好的稳定状态和响应速度，反馈系统的相位裕度一般取（）度。（2分）A.30B.60C.90D.180.标准答案：B