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DW01一参考资料―—页眉页脚可删除锂电池保护ICPAGE\*MERGEFORMAT#资料-参考、主要特性静态电流典型值：4.0uA待机电流（检测到过放之后）典型值：0.2uA过充检测精度（Topt=25C）士50mV过放检测精度士100mV过放检测电压2.0V至U3.0V，每步0.005V过流保护0.04V至U0.32V，每步0.04V过充延迟（VDD=4.4V110mS过放延迟（VDD=2.2V带有内置电容）22mS（最小值）封装SOT23-6/6-pin本描述/ul疋款单节可充电锂电池保护集成电路，具有丄充、过放、过流及短路保护功能。内部包含：三个电压检测电路、一个基准电路、一个J延迟电路、一个短路保护电路和一过充检测精度（Topt=0到50°C）士60mVDVIC个逻辑电路。当充电电压逐渐增大超过过充检测电路的阈值VDET1时，CoutPin的输岀电压二、基即过充检测电路的输岀电压VD1会变到低电位，也就是充电器负端的电位。在进入过充保护状态后，当VDD电压降低到VREL1下方或者当电池组脱离充电器而接一个负载，且VDD介于VDET1与VREL1之间时VD1可以复位，即CoutPin输岀变为高电位。当放电电压低于过放检测电路的阈值VDET2时，经过一段固定的延迟时间，DoutPin的输岀即过放检测电路的输岀VD2会变为低电位。这时，若给电池充电，当电池电压上升到过放检测电路的阈值电压之上时，VD2恢复，Dout的输岀电压变为高电平。当有过流情况岀现时，内部过流检测电路会检测到，经过一段固定的延迟时间后，VD3和Dout变为低电平，放电回路被切断。这时，若将电池组从负载系统中分开，VD3会恢复使Dout变为高电平。当有外部短路电流时，短路保护电路会立即使Dout变为低电位，当外部短路电流消失后，Dout会转换为高电位。在检测到过放之后，会通过关闭一些内部电路使电源电流非常低。IC过充检测电路的延迟时间可以通过连接外部电容进行设置。CoutPin和DoutPin的输岀类型是CMOS封装形式为SOT23-&DW01一参考资料一_页盾页脚可删除一锂电池保护ICPAGE\*MERGEFORMAT#资料-参考DW01……¥吉口口=匸亍;厂亍诃「y…锂电池保护QPAGE\*MERGEFORMAT#资料-参考三、电路框图四、五、Pin脚定义Cout过充检测电路的输岀，CMOS输岀Pin脚位124空脚位5VDD电源6Vss地3六、最大绝对额定值最大绝对额值。在最大绝对表示在额定值下Topt工作温度范围-30至U85°CTstq储存温度范围-55到125°C定值是极限値，在任何情况下都不能片「刻超过。而且，任两项不能同时j■达到此丄者小丿久勺损叼'。这里仅■强调■额J定1实际的工作情况。符号项目额定值单位V-输入电压V-VDD-18至UVDD+0.3VVcoutCoutPinVDD-18到VDD+0.3VVdoutDoutPinVDD-0.3至UVDD+0.3VPD功耗150mW七、电气特性符号项目条件最小值典型值最大值单位VDD1输入电压VDD到VSS之间的电压1.510V温度25C4.254.304.35V检测电源电VDET1过充阈值电压0~50C压的上升沿4.244.304.36*NoteVVREL1过充检测恢复电压4.054.104.15VtVDET1过充保护延迟时间VDD=3.6Vto4.4V80110140msVDET2过放阈值电压检测电源电压的下降沿2.302.402.50VVREL2过放检测恢复电压2.903.003.10VtVDET2过放保护延迟时间VDD=3.6Vto2.2V22msVDET3过流阈值电压检测“V-”pin电压的上升沿0.120.150.18VtVDET3过流保护延迟时间VDD=3.0V51015msVshort短路保护电压VDD=3.9V1.201.351.50Vtshort短路保护延迟时间VDD=3.0V1050usVol1CoutPinN沟道导通电压VDD=4.4V0.350.5VVoh1CoutPinP沟道导通电压Iol=50uA,VDD=3.9V3.43.7VVol2DoutPinN沟道导通电压Iol=-50uA,VDD=2.2V0.20.5VVoh2DoutPinP沟道导通电压Iol=50uA,VDD=3.9V3.43.7VIDD静态电流VDD=3.9V,V-=0V46uAIstandby待机电流VDD=2.0V0.20.3uA*注意:考虑到工艺参数的波动，我,们采用trim来补偿与温度壬有关的参数。然而,此规格 书 关于书的成语关于读书的排比句社区图书漂流公约怎么写关于读书的小报汉书pdf 疋由设计丨J不疋丿口口测试来保证口J。DW01……¥吉口口=匸亍;厂亍门厅…锂电池保护ICPAGE\*MERGEFORMAT#资料-参考DW01参考资料一一页眉页脚可删除-锂电池保护ICPAGE\*MERGEFORMAT#资料-参考八、工作过程VD1/过充检测VD1监控VDDpin的电压。当VDDl压逐渐升高超过过充检测电路的阈值VDET时，VD1会检测到过充，同时将CoutPin的输岀转为低电位使得承担外部充电控制的NMOS管关断。有两种情况可以让VD1复位，使CoutPin的输岀重新回到高电位，从而使系统重新恢复到充电过程。第一种情况是VD［电压拉低到“VREL1以下；第二种情况，是将电池组与充电器断开，并连接一负载放电，使VDD直降低到介于“VDET1和“VREL1'之间。在检测到过充并且VDD电压高于VDET1时，电池连接到负载使负载电流流过外部充电控制MOSFET的寄生二极管。当VD通过负载电流的持续抽取被拉低到VDET以下时，CoutPin输岀转为高电平。当VDD高于VDET1后在一定的输岀延迟时间内又降回到低于VDET1，VD1将不会输岀一个信号来关断充电控制的MOSFETCoutPin的电平转换器与缓冲驱动器结合在一起使CoutPin的低电平为V-Pin的电压，而且CoutPin的高电平为VDD电压。VD2/过放检测VD2监控VDDPin的电压。当VDDt压低于过放检测电路的阈值电压VDET2寸，VD2会检测到过放，同时DoutPin输岀为低电平使得外部过放控制NMOS管关断。在进入到过放保护状态后，为了使VD2复位并且DoutPin的输岀恢复到高电平，对DW01而言，必须要给电池组充电。如果VDD!压维持在过放检测电路的阈值电压VDET2之下，充电电流会通过外部放电控制MOSFE的寄生二极管路径。当VDDfe压重新升高到VDET2之上时，DoutPin转换为高电平，这时放电过程将可以通过导通的放电控制MOSFET继续进行。将电池组连接到充电器，当VDD电压高于VDET2时，DoutPin电位立即变为高电平。对DW01来说，当VDD电压等于或者高于过放恢复电压/VDET2时，过放保护情况会被解除。过放检测电路的延迟时间是固定的，当VDD=2.2V时tVDET2最小为22ms。当VDD电压低于VDET2后在一定的输岀延迟时间内又重新被拉高到高于VDET2，VD2将不会输岀一个信号来关断放电控制的MOSFET。VD2检测到过放之后，静态电流会减小到典型值0.2uA(VDD=2.0V)，此时只有充电检测电路工作。DoutPin的输岀类型具有CMOS特性，即输岀高电平为VDD，输岀低电平为Vss。VD3/过流检测，短路检测过流检测电路和短路保护电路在两个控制MOSFET同时为“ON时才能工作。当V-Pin的电压值介于短路保护电压Vshort和过流保护阈值电压VDET之间时，过流检测电路工作并且提咼V-Pin的电压咼于Vshort使短路保护电路工作，从而使DoutPin的输岀为低电平，外部放电控制NMOS管被关断。过流检测电路的延迟时间是固定的，在VDD=3.0V时，典型值是10ms在这个延迟时间内，如果V-Pin从介于Vshort和VDET3之间的一个电位快速恢复，会使放电控制MOSFE保持“H'。当短路保护电路开始工作时，DoutPin将会输岀低电平，其延迟时间的典型值为10us。V-Pin有一个连接到VssPin的内置下拉电阻，典型值为100kOhm。当IC进入过流或短路保护状态后，如果将引起过流或外部短路的因素消除，可以使外部放电控制MOSFE自动导通，同时V-Pin的电位通过内部下拉电阻拉低到Vss。如果VDD电压升高到VDET2以上同时又检测到过流时，DW01不会进入待机模式，除非VDD电压低于VDET2，DW01才会进入待机模式。九、应用电路R1100QR1和C1O.I^F.DW01rR]口C1可以使得提供给DW01的电源电压稳定建议R1的阻值小于1k大将导致险测电压升高，产生错误。OhmR1值太^R2R1和R2可能会导致IC功耗超过DW01的功耗额定值，R1