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计算机芯片与硅•工业硅的提炼•多晶硅的提纯与精炼3HCI+Si==SiHCISiHCL+HHCI•单晶硅的制备目前上程纯度能够达到12个9(99.99999999制得粗硅:SiO2+2C==Si+2COt(纯度98%〜前道工序|外延丨.|氧化丨CVD丨.「光刻I后道工序|测试切割引线封装O[•电脑芯片制造的工艺流晶片制备I单晶拉伸]•「切片]吟清洗”-2•晶片的制备过程P,旋转拉伸取出,凝固。外氧气或水蒸汽蹈湿法氧化3•外延外延是在晶片上生长一层具有不同电子特性单晶硅的工艺过程SiCI4+2H2==Si+4HCIlb\\;4•氧...

计算机芯片与硅
•工业硅的提炼•多晶硅的提纯与精炼3HCI+Si==SiHCISiHCL+HHCI•单晶硅的制备目前上程纯度能够达到12个9(99.99999999制得粗硅:SiO2+2C==Si+2COt(纯度98%〜前道工序|外延丨.|氧化丨CVD丨.「光刻I后道工序|测试切割引线封装O[•电脑芯片制造的工艺流晶片制备I单晶拉伸]•「切片]吟清洗”-2•晶片的制备过程P,旋转拉伸取出,凝固。外氧气或水蒸汽蹈湿法氧化3•外延外延是在晶片上生长一层具有不同电子特性单晶硅的工艺过程SiCI4+2H2==Si+4HCIlb\\;4•氧化一—将晶片放入高温炉中加热,学作用,形成均匀的二氧化硅薄膜层。干法氧化:Sj+O2==SiO2Si+2H2O==Sido5•化学气相淀积(CVD)o7•掺杂Thankyou!
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