DISCO公司产品系列介绍

DISCO企业产品系列介绍DISCO企业产品系列介绍PAGEPAGE/NUMPAGESPAGE46DISCO企业产品系列介绍PAGEDISCO企业产品介绍一：自动切割机什麽是自动切割机？是指被加工物的安装及卸载作业均采用手动方式进行，只有加工工序推行自动化操作的切割机。在有些机型上也可推行自动化地址校准作业。但在机器内部没有配置冲刷、乾燥装置.地址校准切割操作人员以手动方式将被3000系列的设施可自动推行地址校准作加工物安装到工作盘上。业。300系列和500系列的设施，由操作人员使用显微镜进行切割地址瞄准作业。操作人员只需按下开始按钮，机台即可在地址校准工序鉴识出的切割道进行切割加工。300系列-AutomaticDicingSaw系列切割机/切断机，利用人工方式完成加工物的安装调整及鉴识切割地址的校准作业，而且在设计上力争节俭占地空间，使该机型的外形结构显得简短优良。其他，为了知足各种加工要求，在最大加工物尺寸和加工精度等方面，均拥有种类丰富的产品群。For6"frameDAD321DAD322DAC351/DAD361设施纲领最大加工物尺寸合用框架可切割范围(mm)X轴进刀速度有效范围(mm/s)可切割范围(mm)最小步进量(mm)Y轴定位精度(mm)光学尺最小分辨率(mm)有效行程(mm)最小搬动量(mm)Z轴重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)合用6"加工物的自动切DAD321的改良机型，産追求高精度的切断机和自割机能更高动切割机160x1606"(边长6"方形)*1DAC351:153x153DAD361:160x1602-6-1DAC351:-DAD361:2-5,2-6192160192-300-500-300162以内/160以内/160(单调误差)(单调误差)以内/5以内/5-(2"切割刀片)(2"切割刀片)(2"切割刀片)58(使用kW的主轴时)最大旋转角度380320DAC351:－θ轴DAD361:380(deg)额定功率at30,000min-1(kW)额定力矩主轴(Nm)转速范围(min-3,000-40,0001)设施尺寸(WxDxH)500x1,050x1,455500x900x1,600500x1,050x1,455(mm)设施重量(kg)约500约420(无变压器)约550约470(有变压器)*1其他需要专用夹具。For8"frame设施纲领最大加工物尺寸合用框架可切割范围(mm)X轴进刀速度有效范围(mm/s)可切割范围(mm)最小步进量(mm)Y轴定位精度(mm)光学尺最小分辨率(mm)有效行程(mm)最小搬动量(mm)Z轴重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)θ轴最大旋转角度(deg.)额定功率(kW)主轴额定力矩(Nm)转速范围(min-1)设施尺寸(WxDxH)(mm)设施重量(kg)DAD381可对应最大300mm方形加工物的自动切割机x2-8-1394400310以内/310(单调误差)以内/5(2"切割刀片)380at60,000min-16,000-60,0001,028x1,550x1,235约1,200为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。3000系列-AutomaticDicingSaw3000系列自动切割机以人工方式进行加工物的安装调整及卸货作业，只有切割加工作业以自动方式进行。其他，由於采用了自动校准功能及LCD触摸式液晶显示萤幕，操作便利性得以提升。DAD3220:该机型在外形尺寸上追求小型化，与本企业的旧机型(DAD321)对照较减少了大概14％的占地面积。DAD3230:该机型在整体布局上预留了空间，拥有优越的可扩展性(适应特别用途)DAD3430:在DAD3230的基础上开发出的能够进行高精度加工的机型，X轴上采用了气动滑轨。DAD3350:标准配置了输出功率为的主轴，并采用高刚性门式结构，可有效地提升加工点的牢固性。DAD3220DAD3230DAD3430最大加工物尺寸合用框架可切割范围X轴(mm)进刀速度有效范围(mm/s)可切割范围(mm)最小步进量(mm)轴定位精度(mm)有效行程(mm)最小搬动量(mm)Z轴重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)最大旋转角度θ轴(deg)6"(6"方形)*16"方形*1*2220x160mm2-6-1160220-500-300162以内/160以内/160(单调误差)以内/5(单调误差)以内/5(2"切割刀片)58(使用kW的主轴时)320额定功率kW:at30,000min-1(kW)额定力矩kW:主轴(Nm)转速范围(min-kW:3,000-40,0001)设施尺寸(WxDxH)730x900x1,670500x900x1,670(mm)约550(无变压器)约600(无变压器)设施重量(kg)有变压器)约650(有变压器)约600(*1其他需要专用的治具。*2在一部分的机型上对θ轴旋转角度有限制DAD3350**搭载スピンドルkWkW最大加工物尺寸合用框架可切割范围(mm)X轴进刀速度有效范围(mm/s)可切割范围(mm)最小步进量Y轴(mm)定位精度(mm)有效行程(mm)最小搬动量(mm)Z轴重复定位精度8"250mm角*12-8-1260600260以内/260(单调误差)以内/5θ轴主轴(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)最大旋转角度(deg)额定功率(kW)额定力矩(Nm)转速范围(min-58at60,000min127380-1at30,000min-1)设施尺寸(WxDxH)(mm)设施重量(kg)6,000-60,0003,000-30,000900x1,050x1,800约1,200(无变压器)约1,268(有变压器)*1其他需要专用的治具。*2在一部分的机型上对θ轴旋转角度有限制500系列-AutomaticDicingSaw500系列是利用人工方式完成加工物的安装调整及鉴识切割地址校准作业的切割机/切断机。其他，由於在设计上完整追求自动切割机所特有的简单操作性，该系列在很多领域都获取了宽泛的应用。DAD522DAC552DAD562设施纲领合用6"加工物的自动切割追求高精度的切断追求高精度的自动切割机机机最大加工物尺寸220x160合用框架2-5,2-6-2-5,2-6X可切割范围(mm)220进刀速度有效范围轴-300-100-300(mm/s)搬动方式可切割范围(mm)最小步进量(mm)Y定位精度(mm)轴光学尺最小分辨率(mm)搬动方式有效行程(mm)最小搬动量(mm)Z轴重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)最大旋转角度轴(deg)额定功率(kW)主额定力矩轴(Nm)转速范围(min-1)设施尺寸(WxDxH)(mm)设施重量(kg)直线导轨气动导轨气动导轨160以内/160以内/160以内/160(单调误差)(单调误差)(单调误差)以内/5以内/5以内/5-直线导轨直线导轨直线导轨(2"切割刀片)5380-380at30,000min-13,000-40,000760x850x1,510约670为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。二：全自动切割机什麽是切割机是指利用在高速旋转的主轴前端部安装超薄的外圆刀刃之切割刀片，便能够对被加工物进行切割或开槽的设施。什麽是全自动切割机从装片、地址校准、切割、冲刷/乾燥、到卸片为止的一系列工序，可全部实现自动化操作的切割机。装片地址校准切割冲刷/乾燥卸片从晶片盒中取出被校正设定地址的加工物，搬运到工误差，并检测出作盘上。加工地址。经过地址校准功能同时在旋转中之在完成冲刷/乾燥鉴识出的切割道进被加工物上，利工序之後，将被加行切割加工。用发射纯水对其工物装 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面进行冲刷，然後使用压缩空气进行乾燥。600系列（并列式双主轴）-AutomaticDicingSawDFD600系列全自动切割机，实现了从加工物搬运、校准、切割加工到冲刷/乾燥的全自动化操作。由於在DFD651、DFD691上采用了2根主轴并列配置的并列式结构，因此能够运用双主轴加工应用技术(包括阶梯切割、斜角切割及双刀切割)进行切割加工。(切割)等领域获取宽泛的其他，除了矽晶片的切割加工之外，还可在陶瓷切割加工及半导体封装元件基板加工应用。什麽是并列式双主轴是指2根主轴相互平行配置的切割机。由於可进行双主轴加工，因此能提升生产效率。什麽是双主轴加工应用技术双刀切割阶梯式切割斜面切割采用2根主轴同时加工2条切割先使用Z1主轴切割刀片对被加工先使用Z1主轴V字形刀刃的切割道的 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 。可提升生产效率。物进行开槽，再使用较薄的Z2轴刀片进行开槽加工，再使用Z2轴切割刀片进行完满切割。由於分2切割刀片进行完满切割。由於可同步推行切割加工，因此能有效地时对晶片进行切割及倒角加工，所控制反面崩裂的产生。以能够提升晶片的强度。DFD641/DFD651DFD681/DFD691最大加工物尺寸合用框架2-6,2-8可切割范围210(mm)X轴进刀速度有效-450范围(mm/s)可切割范围210(mm)最小步进量Y轴(mm)定位精度以内/210(mm)(单调误差)以内/5光学尺最小分辨率(mm)有效行程26(mm)y轴定位精度(DFD651,691以内/26(mm))光学尺最小分辨率(mm)有效行程(使用2"切割刀片晌)(使用3"切割刀片晌)(mm)最小搬动量(mm)Z1·Z2轴重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)θ轴最大旋转角度380(deg)额定功率at60,000min-1at30,000min-1(kW)主轴额定力矩(Nm)转速范围6,000-60,0003,000-30,000(min-1)设施尺寸(WxDxH)DFD641:1,185x1,168x1,2351,350x1,168x1,235(mm)DFD651:1,350x1,168x1,235设施重量DFD641:约1,000约1,300(kg)DFD651:约1,300685/695（并列式双主轴自动切割机）系列-AutomaticDicingSaw采用真空方式将半导体封装基板吸附在依照基板形状设计的专用治具上,再已此治具作为工作盘方式切割半导体封装元件(PackageSingulation)的切割机。还配置了可将切割後的边角废料搬运到切割机外面的特别装置。诚然半导体封装基板的安装调整作业是以手动方式进行的，但鉴识切割地址的地址校准作业为自动化。其他，由於采用了kW的机械式主轴，因此可合用於安装多刀切割刀片（选配项目）。DAD685DAD695最大加工物尺寸250x250mmX轴可切割范围((mm)250进刀速度有效范围(mm/s)-600可切割范围((mm)250最小步进量(mm)Y轴定位精度(mm)以内/250(单调误差)以内/5光学尺分辨率(mm)有效行程(mm)-kW空气轴承型：30y轴kW机械轴承型：40（并列式双主轴机kW空气轴承型型）定位精度(mm)-：以内/30kW机械轴承型光学尺分辨率(mm)有效行程(mm)最小搬动量(mm)Z1·Z2轴重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)最大旋转角度θ轴(deg.)额定功率(kW)额定力矩主轴(Nm)转速范围(min-1)设施尺寸(WxDxH)(mm)设施重量(kg)：以内/40-kW空气轴承型：14(2"切割刀片晌)kW机械轴承型：17(3"切割刀片晌)130at40,000min-1-1at20,000minkW空气轴承型：kW机械轴承型：1kW空气轴承型：3,000-40,000kW机械轴承型：3,000-20,0001,320x1,335x1,235约1,200约1,3006000系列（对向式双）-FullyAutomaticDicingSaw6000系列设施，实现了从加工物搬运、校准、切割加工到冲刷/亁燥的全自动化操作。其他还配置新的功能,进一步实现了生产率的提升和成本的降低。?由於在DFD6340、DFD6361采用了2根主轴对向配置的对向式双主轴结构，在DFD6450采用了2根主轴并列配置的并列式双主轴结构，因此可运用特有的双主轴加工应用技术(包括阶梯切割、斜角切割及双刀切割)进行切割加工。其他，经过在DFD6450上安装复数的切割刀片，还可对半导体封装元件基板进行切割加工。采用对向式双主轴结构(DFD6340,6361)采用并列式双主轴结构(DFD6450)?配置LCD触摸式液晶显示萤幕和图形化的用户操作介面GUI采用刀片保护盖自动开闭装置和主轴止动装置配置加工条件监控装置，简单掌握加工物的加工进度和设施的各种运行状态?在各主轴上安装了NCS(非接触测高)(DFD6340,6361)*选配项目?在切割部及冲刷部安装了水气双流体冲刷装置*选配项目装备节能功能节俭占地面积什麽是对向式双主轴是指2根主轴在1条直线上相互当面配置的切割机。由於可进行双主轴加工，因此能提升生产效率。什麽是双主轴加工应用技术双刀切割阶梯式切割斜面切割采用2根主轴同时加工2条切割先使用Z1主轴切割刀片对被加工先使用Z1主轴V字形刀刃的切割道的方法。可提升生产效率。物进行开槽，再使用较薄的Z2轴刀片进行开槽加工，再使用Z2轴切割刀片进行完满切割。由於分2切割刀片进行完满切割。由於可同步推行切割加工，因此能有效地时对晶片进行切割及倒角加工，所控制反面崩裂的产生。以能够提升晶片的强度。对应付应8英寸的加工物DFD6240DFD6340DFD6450最大加工物尺寸合用框架可切割范围(mm)8"2-8-1210250轴Y1轴(DFD6240:Y轴)Y2轴轴(DFD6240)Z1·Z2轴(DFD6340,DFD6450)θ轴主轴进刀速度有效范围(mm/s)可切割范围(mm)最小步进量(mm)定位精度(mm)光学尺最小分辨率(mm)有效行程(mm)可切割范围(mm)最小步进量(mm)定位精度(mm)有效行程(mm)最小搬动量(mm)重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)最大旋转角度(deg)额定功率(kW)-600210以内/210以内/210(单调误差)(单调误差)以内/5以内/5--210-以内/210-(单调误差)以内/5(2"切割刀片)58(使用规格为kW、kW的主轴时)380kW:at60,000min-1-1kW:at60,000min250以内/250(单调误差)以内/530-(单调误差)以内/30(2"切割刀片)60kW:at60,000min-1额定力矩(Nm)转速范围(min-1)设施尺寸(WxDxH)(mm)设施重量(kg)kW:at30,000min-1kW力矩加强型:-1at40,000minkW空气轴承型:-1at30,000minkW机械轴承型:-1at20,000minkW:kW:kW力矩加强型:kW:kW空气轴承型:kW:kW机械轴承型:kW:6,000-60,000kW:6,000-60,000kW力矩加强型:4,000-40,000kW:6,000-60,000kW空气轴承型:kW:3,000-30,0003,000-30,000kW机械轴承型:3,000-20,000900x1,190x1,180x1,100x1,120x1,500x1,8001,8501,600约1,200(无变压器)约1,600(无变压器)约1,400(无变压器)约1,280(有变压约1,670(有变压器)约1,480(有变压器)器)为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。对应300mm的加工物DFD6361最大加工物尺寸300mm最大合用框架2-12X轴可切割范围(mm)310进刀速度有效范围(mm/s)-600可切割范围(mm)310最小步进量(mm)Y1·Y2以内/310轴定位精度(mm)(单调误差)以内/5光学尺最小分辨率(mm)有效行程(mm)(2"切割刀片)Z1·Z2最小搬动量(mm)轴重复定位精度(mm)可使用的最大切割刀片直径(mm)58θ轴最大旋转角度(deg)380额定功率kW:at60,000minkW:at60,000min(kW)kW:at30,000min主轴额定力矩kW:kW:(Nm)kW:转速范围kW:6,000-60,000kW:6,000-60,000(min-1)kW:3,000-30,000设施尺寸(WxDxH)1,200x1,550x1,800(mm)设施重量约2,050(无变压器)(kg)约2,150(有变压器)-1-1-1为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。三：雷射切割机7000系列7000系列-FullyAutomaticLaserSaw7000系列，是能够完成从搬运工件、地址校准、雷射切割(全切割、开槽加工、内部改质加工)到冲刷、乾燥为止等一系列作业的全自动雷射切割机。因为配置了LCD触摸式液晶显示萤幕和GUI(图形化用户界面)，使操作变得更为便利。其他，还采用几乎不发生热变形的短脉冲雷射技术，进而能够防备因过热对电路面产生的不良影响。1：雷射加工介绍:：烧蚀加工将雷射能量於极短的时间内会集在渺小地区，使固体蒸发的加工方法（合用於烧蚀试加工的技术）：1:2:3:解决方案1:Low-k膜开槽加工在高速电子元器件上渐渐被采用的低介电常数（Low-k）膜及铜质资料，由於难以使用一般的金刚石切割刀片进行切割加工，因此有时无法达到电子元件厂家所要求的加工标准。为此，迪思科企业的 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 师开发了可解决这种问题的加工应用技术。应用技术◆雷射开槽加工制程先在切割道内割开2条细槽（开槽），然後再使用切割刀片在2条细槽的中间地区进行全切割加工。利用采用该项加工制程，能够提升生产效率，减少甚至解决因崩裂、分层（薄膜剥离）等不良因素造成的加工品诘责题。Pi(π)雷射开槽加工Omega(ω)雷射开槽加工(阶梯式切割刀片切割)(一次全切穿刀片切割)◆加工事例切割道断面照片Low-k层和金属线路的放大照片在π方式雷射开槽後，使用切割刀片只出现很渺小的崩裂和薄膜剥落现象。推行阶梯切割。设施◆追求加工精度和操作便利性由於在对应300mm晶片的全自动上采用了非发热加工方式即短脉冲雷射切割技术，去除切割道上的Low-k膜及铜等金属布线,因此能够在开槽加工过程中尽可能除去因发热所产生的影响。其他。在该设施上还配置了LCD触控式面板萤幕和图形化用户界面（GUI），使操作更为方便。DFL7160雷射加工部位雷射◆切割加工质量将短脉冲雷射聚焦到晶片表面後进行照射。Low-k膜连续吸取雷射脉冲，当吸取到必然程度的热能後，Low-k膜会刹时汽化。由於相互作用的原理，被汽化的物质会耗资掉晶片的热能，因此能够进行热影响极少的加工。雷射开槽加工制程熔敷、热影响清楚可见。(材熔敷、热影响稍微质：矽)雷射全切割加工高频次电子元件中使用的GaAs(砷化镓)等化合物半导体，在采用金刚石切割刀片进行切割（以下：刀片切割）时，切割速度慢、难以提升生产效率。其他，在Sip(SysteminPackage)等高集成化背景下，抗折强度高的薄片制造技术需求也浮出水面。可是，刀片切割中，随着晶片由厚到薄，切割难度也越来越大。为解决这些问题，迪斯科着眼於雷射切割机的雷射头和光学系统优化系统，利用雷射，确立了全切割应用技术。应用技术雷射全切割制程本制程，是在厚度200μm以下的薄型晶片上面(图案面)，用雷射照射1次或多次，切入胶带，将晶片全切割的切割方法。因为雷射全切割能够加速切割速度，因此能够提升生产效率。加工实例◆GaAs化合物半导体的薄型晶片切割GaAs晶片因为资料脆，在切割时简单发生破裂或缺损，因此过去的刀片切割速度很难获取提升。因为雷射全切割工序能够将切割刀片的切割速度提升10倍以上，因此能够提升生产效率。(切割速度仅为一例。实质操作时，因加工晶片不同样会有所差别。)采用雷射全切割制程，加工後切割槽宽度小，与刀片对照切割槽损失少，能够减小晶粒间隔。对於小型晶粒切割中，加工线条数会增加的化合物半导体晶片而言，经过实现减小晶粒间隔，1枚晶片可生产的晶粒个数会获取相应提升。＜GaAs晶片SEMImage＞※GaAs加工时，要使用附加设施，用於除去气化As气体的装置。◆薄型化矽晶片的全切割加工陪同着晶片薄型化，切割时的崩裂或裂痕对晶粒强度也有很大影响。因此，需要有能够进一步控制崩裂现象的加工方法，切割的难度也越来越大。其他，陪同着薄型化晶粒粘贴胶膜DAF(DieAttachFile)使用的增加，对反面粘贴DAF的晶片，经过控制毛边等现象进行高质量切割，也是一个重要的课题。针对这些课题，迪思科确立了包括矽的薄型晶片切割解决方案在内的雷射全切割应用技术。雷射全切割，利用雷射的高速加工，使UPH得以提升。其他，附有DAF的矽晶片，矽和DAF一同或独自切割均可。矽晶片附DAF的矽晶片晶粒上面照片晶粒侧面照片◆其他雷射全切割加工实例反面附金属膜的矽晶片、GaP(磷化镓)晶片、InP(磷化铟)晶片、GaN(氮化镓)晶片、Ge(锗)晶片等。设施本产品为，将Low-k膜开槽加工中获取宽泛好评，可对应φ300mm晶片的全自动雷射切割机的雷射头和光学系统再次优化後，用於雷射全切割的装置。3:DBG+DAF雷射切割*1制程利用研磨来切割晶片，故能够降低反面崩裂，并能因此提升晶片抗折强度。其他，因为是在研磨结束阶段切割成晶粒，因此有望在加工薄形晶片晌减小晶片损坏的风险。今後如能在这种DBG制程中采用DAF(DieAttachFilm)*2的话，也有可能在SiP(SysteminPackage)等薄型晶片积层的封装制造方面全面采用DBG制程。在DBG制程中采用DAF时，需要在切割成晶粒的晶片的反面贴上DAF，并再次将DAF独自切割。此次我们向大家介绍利用雷射全切割进行这种DAF切割的应用技术。*1DBG(DicingBeforeGrinding):这种技术将传统的“反面研磨→晶片切断”的制程倒过来，先将晶片半切割，然後利用反面研磨进行晶片切割。*2DAF(DieAttachFilm):这是一种薄膜状的接合资料，用於薄型晶片积层等。应用技术在DBG加工後，用刀片来切割DAF时，当前以下几个方面的课题有待解决。晶粒的整列性粘贴切割胶带、剥离表面保护胶带时，有时会出现晶粒错位（切割槽偏移）。若是晶粒的错位量很大，则有可能无法保证有优秀的刀片切割通路。刀片的刃宽因为需要比切割槽宽度（晶粒间的距离）更薄的刀片，因此要求加工时要很小心。加工速度为了保证切割後DAF有优秀的质量，有时难以进行高速加工。可是，采用在DBG加工後利用雷射切割DAF的应用技术，则能够解决加工时晶粒错位的问题，并能提高加工速度。DBG+DAF雷射切割的制程将DBG加工後的晶片转放到架上，剥离掉表面保护胶带後，从晶片表面一侧对已经分别成了晶粒，因此便能够从晶粒间照射雷射，只将DAF切断。DAF进行全切割。晶片DAF雷射切割的优点可改良DAF的加工质量采用雷射切割技术能够控制采用刀片切割进行DAF切割时产生的毛边。图1.表面一侧SEM照片DAF（70μmSi+20μmDAF雷射切割）能够进行高速切割，提升生产效率与刀片切割对照，能够提升加工实例：加工进给速度（加工条件因DAF的种类、DAF全切割时的加工速度。100mm/sec～300mm/sec，以1pass进行DAFDAF的厚度、晶片厚度和切割槽宽度等的不同样而异。）切割利用特别排列校准功能，能够解决晶粒错位问题即使在DBG加工後的晶片上出现了晶粒错位，也能够经过采用特别排列校准功能进行跟从晶粒错位的加工。可就各加工线上的每个排列对位点，记忆切割槽中心的地址，并用雷射对其中心进行切割。图2.DAF切割的表示图装置（DBG＋DAF切割规格）使用产品：（ForAblationprocessing烧蚀加工）DFL7160DFL7260合用於300mm晶圆、烧蚀加工合用於300mm晶圆、烧蚀加工的双头雷最大合用晶片直径射切割机的雷射切割机最大合用晶片直径300mm最大合用框架2-12X轴可切割范围310(mm)(工作最大进刀速度台)1,000600(mm/s)可切割范围310(mm)Y轴最小步进量(mm)(工作以内/310台)Y轴定位精度(单调误差)以内/5光学尺最小分辨率(mm)雷射聚焦输入范-围(mm)Z轴最小搬动量(mm)重复定位精度(mm)θ轴最大旋转角度380380(工作(初始地址开始正方向320、负方(deg)(初始地址开始正方向245、负方向135)台)向60)雷射利用半导体雷射激发的Q开关单利用半导体雷射激发的Q开关单体雷射x产生产生器模式体雷射2器设施尺寸(WxDxH)1,200x1,500x1,8002,800x1,220x1,800(mm)设施重量约1,750(无变压器)2,900(包括UPS)(kg)约1,870(有变压器)*DFL7260注在设施外设置冷却装置。1,200x650x1,558mm(冷却装置尺寸)为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。；隐形切割将雷射聚光於工件内部，在工件内部形成改质层，藉由扩展胶膜等方法将工件切割成晶粒的切割方法DFL7340DFL7360合用於8英寸框架的隐形雷射切晶圆的隐形雷射切割机最大合用晶片直径割机合用於300mm最大合用晶片直径200mm300mm最大合用框架2-8-1FramesnotsupportedX轴可切割范围(mm)210310(工作最大进刀速度1,000台)(mm/s)可切割范围(mm)210310Y轴最小步进量(mm)以内/310(工作Y轴定位精度台)(单调误差)以内/5光学尺最小分辨率(mm)雷射聚焦输入范围-Z轴(mm)最小搬动量(mm)重复定位精度(mm)θ轴最大旋转角度(deg)380380(工作(初始地址开始正方向320、负方(初始地址开始正方向245、负方向台)向60)135)雷射产生器模式利用半导体雷射激发的Q开关单体雷射产生器设施尺寸(WxDxH)1,000x1,800x1,9901,700x2,950x1,800(mm)设施重量约1,860(无变压器)2,590(参照値)(kg)约1,990(有变压器)为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。四：研磨机什麽是研磨机是指对被加工物进行减薄加工的研磨设施。最大合用主轴工作盘数量数量应用领域加工物尺寸800DAG8108"11半导体电子元件、陶瓷系列DFG8308"22晶片双面研磨研磨机8000DFG85408"23晶片反面研磨系列DFG8560300mm238000系列-FullyAutomaticGrinder：8000系列全自动研磨机8000系列研磨机，是为实现对晶片的减薄加工，能够自动完成从晶片的反面研磨到冲刷搬运为止等一系列作业的全自动研磨设施。因为配置了触摸式液晶显示萤幕及其他，能够与(DicingBeforeGrinding-先切割後研磨行。GUI(图形化的用户介面)，使操作变得更为便利。)和除去残留应力设施()，组成联机系统，实现联机运什麽是纵向切入方式就是指将旋转的研磨轮自上而下地切入自转的被加工物，并研磨加工至规定厚度尺寸的研磨方法。DFG8540DFG8560可研磨的晶片直径结构配置应用领域Max8"(4"-8")Max300(8"-12")2根主轴、3个工作盘(公转台方式)100μm以下的超薄研磨基本规格研磨方式利用晶片旋转，进行纵向切入方式使用主轴高频马达内装式空气静压主轴主轴数量2额定功率(kW)转速(min-1)[rpm]Z轴行程(mm)主轴Z轴研磨进刀速度(mm/s)Z轴迅速搬动速度(mm/s)Z轴最小指定搬动量(μm)Z轴最小搬动量(μm)测量范围(μm)厚度测量器分辨率(μm)重复定位精度(μm)工作盘样式固定方式转速晶片工作盘工作盘数量工作盘冲刷整面研磨(工作盘转速设定值)使用研磨轮金刚石研磨轮(mm)晶片盒架数量晶片搬运部晶片盒部 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 模式冲刷部冲刷装置排气速度(m3/h)抵达压力(kPaG)真空装置电动马达(kW)用水量(L/min)单片晶片内的厚度误差(μm)加工精度晶片与晶片之间的厚度误差(μm)精加工後表面粗拙度(μm)设施尺寸(WxDxH)(mm)设施重量(kg)1,000-7,0001,000-4,000120(附原点)-500-1,800±多孔陶瓷工作盘真空式0-3003利用刷子和油石,配合工作盘内水及压缩空气混淆喷出状态下进行冲刷。0-9992003002同盒回收流程(Sameflow)以及异盒回收流程(Openflow)水冲刷及乾燥29/36(m3/h)50/60(Hz)-90(在循环供水温度为15℃，供水流量为1L/min时)供水温度在22℃以上:3/供水温度小於22℃:1以下(使用专用工作盘、研磨8"晶片晌)±3以下Ry左右(使用#2000研磨轮进行精加工时)/Ry左右(使用#1400研磨轮进行精加工时)1,200x2,670x1,400x3,322x1,8001,800约3,100约4,000为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。8000系列全自动研磨/抛光机8000系列全自动研磨/抛光机，能够在同一个工作盘进步行从反面研磨到乾式抛光的一系列加工，能进一步提升明薄加工的牢固性。其他，由於采用3根主轴、4个工作盘的结构，设计了最正确的搬运布局，并将真空装置安装於设施内部相当於同一机台，使该机型的外形尺寸更为简短、雅致。其他，还可与组成联机系统，还能合用於(DicingBeforeGrinding-先切割後研磨制程)系统的成立以及使用DAF(DieAttachFilm)的应用技术。DGP8760DGP8761可加工的晶片直径Max300mm基本规格加工Z1·Z2轴方式Z3轴使用主轴主轴数量额定功率Z1·Z2轴(kW)Z3轴转速(min-Z1·Z2轴1)[rpm]Z3轴主轴Z轴行程Z1·Z2轴(mm)Z3轴轴研磨进刀速度(mm/s)轴迅速搬动速度(mm/s)轴最小指定搬动量(μm)轴最小搬动量(μm)工作盘样式固定方式晶片转速(min-1)[rpm]工作盘工作盘数量工作盘冲刷利用晶片旋转推行纵向切入方式利用晶片旋转推行不规则纵向切入方式高频马达内置式空气静压主轴31,000-4,0001,000-3,0001,000-4,000120(附原点)50-50多孔陶瓷工作盘真空式0-3000-8004利用刷子和油石，配合工作盘内水及利用水气双流体装置与整平石，配合水压缩空气混淆喷出状态下进行冲刷及压缩空气的回流进行冲刷晶片冲刷整面研磨(工作盘转速设定值)金刚石研Z1·Z2磨轮使用轴(mm)研磨乾式抛光轮磨轮Z3轴(mm)晶片晶片盒架数量搬运晶片盒部流程模式部清洗部冲刷装置单台排气速度真空泵装置抵达压力(kPa)真空电动马达(kW)装置用水量(L/min)利用水气双流体喷头进行水冲刷0-9993004502同盒回收流程(Sameflow)和异盒回收流程(Openflow)经过水气双流体喷头，进行水冲刷及乾燥26/34(m3/h)50/60(Hz)20/28(m3/h)50/60(Hz)(在-70kPa时)-90(在循环供水温度为15℃、供水流量为1L/min时)(在30℃以下时的用水量)(在25℃以下时的用水量)(在20℃以下时的用水量)(使用专用工作盘时、在研磨300mm晶片晌)单片晶片内的厚度在以下(只使用Z1轴Z2轴进行研在以下(只使用Z1轴Z2轴进行研磨误差(μm)磨时，在以下)时，在以下)加工晶片与晶片之间的在±以下(只使用Z1轴Z2轴进行研在±以下(只使用Z1轴Z2轴进行研磨厚度误差(μm)磨时，在±以下)时，在±以下)精度在以下精加工後表面粗拙只使用Z1轴Z2轴进行研磨度(μm)左右(使用#2000研磨轮进行精加工时)/左右(使用#1400研磨轮进行精加工时)设施尺寸(WxDxH)1,690x3,450x1,800(mm)设施重量约5,100约6,300(kg)为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。8000系列全自动抛光机8000系列全自动抛光机是一种绝对乾式研磨设施，该设施其实不是使用金刚石研磨轮，而是使用可与矽进行固相反响的乾式抛光磨轮，在不使用水和研磨膏的条件下，能有效地去除因金刚石研磨轮加工後产生的表面变质层。其他，为了能更安全地完成从研磨、乾式抛光到晶片搬运为止的连续作业，该设施可与8000系列研磨机和组成联机系统，以适应付晶片进行超薄加工的要求。DFP8140DFP8160可加工的晶片直径4"-200mm200mm-300mm(4"-8")(8"-12")基本规格加工方式利用晶片旋转，推行不规则纵向切入方式使用主轴高频马达内置式空气静压主轴主轴数量1额定功率(kW)主轴晶片工作盘使用研磨轮晶片搬运部清洗部真空装置转速(min-1)[rpm]1,000-4,0001,000-3,000Z轴行程(mm)100(附原点)72(附原点)Z轴研磨进刀速度-(mm/s)Z轴迅速搬动速度50(mm/s)Z轴最小指定搬动量(μm)Z轴最小搬动量(μm)工作盘样式多孔陶瓷工作盘固定方式真空式转速(min-1)[rpm]0-300工作盘数量1工作盘冲刷利用刷子和油石,配合工作盘内水及压缩空气混淆喷出状态下进行冲刷。晶片冲刷经过喷头喷水进行冲刷内置式负载传感器薄型传感器整面研磨0-999(工作盘转速设定值)Y轴加工行程420510Y轴最大速度-200Y轴最小搬动量乾式抛光磨轮(mm)300450晶片盒架数量2晶片盒部流程模式同盒回收流程(Sameflow)以及异盒回收流程(Openflow)冲刷装置经过水气双流体喷头，进行水冲刷及乾燥排气速度(m3/h)29/3650/60(Hz)抵达压力(kPa)-90(在循环供水温度为15℃，供水流量为1L/min时)电动马达(kW)用水量(L/min)供水温度在22℃以上:3/供水温度小於22℃:1方式湿式循环方式排襟怀(m3/min)吸尘装置电动马达(kW)用水量(L/min)加工精度去除量误差(μm)±1以下(在平均去除量为2μm时)设施尺寸(WxDxH)1,200x2,670x1,8001,400x3,322x1,800(mm)设施重量约1,900约2,400(kg)为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。多功能晶片框架粘贴机-FullyAutomaticMultifunctionWaferMounter可与300mm规格的8000系列机型（、、、）组成联机系统的晶片框架粘贴机（Mounter）。该设施由对表面保护胶膜进行紫外线照射的UV照射装置、DAF胶膜粘贴装置(DFM2700、2800一体型DAF可用於DFM2700、2800，单个DAF仅可用於DFM2700)、切割框架粘贴装置以及表面保护胶膜剥离装置等组成，可实现一体化操作。输入电源电源耗电量(kW)功率(kVA)压力(MPa)压缩空压力变化范围气装置(MPa)流量(L/min)真空装压力(KPa)置流量(L/min)排気量设施(m3/min)主机静压部(KPa)UV排気量排气管(m3/min)照射静压部(KPa)DAF排気量(m3/min)二次硬化静压(KPa)DFM2700DFM2800单相AC200-230V±10%50/60Hz1010(参照値)1210～以下500以上500以上(参照値)-80以上175300以上(参照値)以上4以上以上以上(参照値)--以上(参照値)-以上4以上-以上-设施尺寸(mm)2,200x3,700x1,8002,150x2,600x1,800设施重量(kg)2,9002,600为了改良设施，本企业可能在没有起初通知客户的情况下，就对本规格推行改正，因此请认真确认规格後，再发出订单。8000系列全自动亁式蚀刻机8000系列全自动亁式蚀刻机是一种利用等离子(电浆)氟类气体对晶片推行蚀刻加工的除去应力设施。该设施能够去除晶片反面的研磨变质层，进而能减少晶片的损坏及翘曲现象的发生，改良晶片的抗折强度及翘曲度，因此能进一步提升半导体封装元件加工工程中的成品良率。其他，将亁式蚀刻加工与DBG制程组合使用，不单好够去除晶片反面的研磨变质层，而且还能够去除因半切割加工而产生的切割侧面变质层。该组合制程与只对晶片反面推行的去除应力加工法对照，可获取更高的晶片抗折强度。DFE8040DFE8060可加工的晶片直径8"8"及300mm基本规格办理方式高密度细束等离子体(电浆)使用气体SF6/He/N2晶片盒架数量2晶片盒部流程异盒回收流程(Openflow)(只能收料)模式晶片搬运臂该装置先将晶片从研磨机的冲刷装置搬运到蚀刻加工室内，稍後再将加工完成的晶片卸到预工作台上。搬运部预工作台为了互换加工完成的晶片而设置的工作台。收料用机械手将加工完成的晶片寄存到晶片盒内的装置。晶片盒架寄存晶片用的晶片盒架。使用晶片盒只使用DBG晶片盒蚀刻加工室换气专用泵排气速27m3/h亁式度泵抵达压10Paabs力*介绍每年进行1次检修。协助加工物吸附专用泵装置排气速h展转度式泵抵达压Paabs力*介绍每年进行1次检修。RF电源等离子(电浆)发生用高频电源流量控制器用於控制供给气体的流量各种阀门类用於控制加工部以及气体的供给当HF气体泄露到主机或协助装置外面时，可用该仪器进行检测气体检测器*介绍每半年进行1次校准。排气筒(排气处等有害气体排出HFSiF4SOF2理装置)RF电源上侧电极冷却用、下侧电极冷却用共计使用2台。冷却装置其他规格设定温度范围最大流量最大排气压力冷却能力使用水质电压频次电力耗电量最大耗电量气体种放电类用气体供给压力气体种类供给压力蚀刻加工室用＋5～+35℃15L/min12L/minMPakW(设定在20℃时)kW(设定在20℃时)纯水三相AC200V±10%50/60Hz加工时:kW加工时:kW待机时:kW待机时:kW以上数值仅供参照，依照不同样条件实质数值将会有差别。17kVA25kVASF6:纯度在％以上He:纯度在％以上Mpa、变化范围在MPa以下请客户自行装备用於调整压力的调治器以及气体过滤器。N2范围在～MPa变化范围在MPa以下冲刷流量50L/min以上1片晶用气6L体片的消(当设定条件为冲刷时间7sec、加工时间60sec时)耗量亁式泵用流量L/min以上片晶片的消L(当设定条件为加工时间60sec时)耗量压缩供给压范围在～MPa力变化范围在MPa以下空气流量