电子元器件选型原则
一、电感选型
电感选型时考虑的因素如下:
1、体积大小;
2、电感值所在工作频率;
3、开关频率下的电感值为实际需要的电感值;
4、线圈的直流阻抗(DCR)越小越好;
5、工作电流应降额至额定饱和电流的0.7倍以下，额定rms电流;
6、交流阻抗(ESR)越小越好;
7、Q因子越大越好;
8、屏蔽类型:屏蔽式或非屏蔽式，优先选择屏蔽式;
9、工作频率和绕组电压不可降额。
二、二极管选型
二极管参数需降额使用，具体参考《GJB/Z 35元器件降额准则》
发光二极管:
1、发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的
标准
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;
2、发光二极管优选有边、短脚的;为了保持公司产品的一致性，红发红、绿发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号慎选;如果没有特殊
要求
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，尽量不要使用长脚、无边的;
3、发光二极管优选品牌为“亿光”。
快恢复二极管:
1、低电压(耐压值200V以下)下，高时间特性时选肖特基二极管;
2、肖特基管热阻和电流都较大，优选分立式封装。通常3A以下可以选择SOD-123或D-64封装;3,8A可以选择D2,PAK封装;8A以上DO-201、TO-220、TO-3P;
3、在高电压时选择PIN结构快恢复二极管。
整流二极管:
1、主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数;
2、开关电源整流、脉冲整流用整流二极管，宜选工作频率较高、反向恢复时间较短、或选快恢复二极管;
3、低电压、大电流时整流，选肖特基二极管;
4、 同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007(M7)，3A的选用IN5408。 肖特基二极管:
同电流档次的保留反压最高的等级，如:1N5819保留,1N5817禁选， SS14保留，SS12禁选;B340A保留。
稳压二极管:
1、稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同;
2、最大稳定电流高于应用电路的最大负载电流50%左右;
3、稳压管在选型时务必注意器件功率的降额处理。实际功率应小于0.5×P;
4、功率在0.5W以下的型号选择贴片式封装，0.5W及以上选择直插
式封装。 瞬态抑制二极管:
1、Vrmax(最大反向工作电压)?正常工作电压;
2、Vcmax(最大钳位电压)?最大允许安全电压。常规CMOS电路电源电压为3,18V，击穿电压为22V，则应选Vcmax为18,22V的TVS管;
3、Pp(瞬态脉冲功率的最大值)=最大峰值脉冲电流Ipmax与Vcmax。Pp大于被保护器件或线路的最大瞬态;
4、浪涌功率。
三、三极管选型
1、三极管选型时，以下几个参数必须考虑:
ICM集电极最大允许电流 < 实际集电极电流，降额70%使用;
BVCEO，基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压 > 电源电压 * 70%，有感电路降额使用，并加保护电路;
PCM，集电极最大允许耗散功率，降额70%使用;
Ft,特征频率 > 3倍实际工作频率;
2、小功率的三极管选用901X系列的9012，9013，9014以及8550,8050等;
3、开关用三极管可用NMOS管代替的，尽量用NMOS管代替，可用NMOS有:2N2002,IRF120N,IRF540N等。
四、晶体与晶振选型:
1、优选
表
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贴封装晶体或晶振;
2、优选金属壳封装，电磁屏蔽特性好;
3、要求频率稳定度(温度稳定度)<15ppm时，优选温补晶振(TCXO);
4、晶体物料通用技术要求:AT切(基频)，12.5pF负载电容，温度范围-20,+70?(工业温度等级)，制造频偏30ppm，温漂50ppm/?，无铅产品;
5、负载电容:对于内置振荡器的处理器，注意振荡器对晶体负载电容的要求，如STM32的RTC晶体，为6pf负载电容，不满足可能造成振荡器不起振或者频率偏差过大;
6、晶体和晶振品牌优选HOSONIC和EPSON;
浙公网安备 33021202002483