(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN1898183A(43)申请公布日2007.01.17(21)申请号CN200480038941.9(22)申请日2004.10.28(71)申请人株式会社德山地址日本山口县(72)发明人江崎龙夫;佐藤秀树;东正信(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人杨凯(51)Int.CIC04B37/00;权利要求说明
书
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说明书 幅图(54)发明名称(57)摘要本发明提供接合构造体,涉及在半导体制造
方法
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中,作为半导体晶圆片保持用的静电夹盘的氮化铝接合体,其由经由烧结金属层接合的氮化铝烧结体形成,作为上述用途使用时,可均一进行半导体晶圆片的吸附处理。接合面的至少一部分形成有由厚度15~100μm的钨或钼组成的烧结金属层的2个氮化铝烧结体的接合体,是上述烧结金属层的薄片电阻率在1Ω/□以下,且上述烧结金属层的翘曲100μm/100mm以下,且上述接合面中的该烧结金属层和氮化铝烧结体之间的剪切强度为4kg/mm法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2007-01-17公开公开2007-03-14实质审查的生效实质审查的生效2008-11-12授权授权权利要求说明书氮化铝接合体及其制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看说明书氮化铝接合体及其制造方法的说明书内容是....请下载后查看