第11章-使用DS18B20温度传感器测温

第11章使用DS18B20温度传感器测温11.1概述现实生产生活中，小到测量体温的温度计，大到航天飞机的温控系统，处处都离不开温度测量。工业生产中的三大指标（流量、压力、温度）之一就是温度，温度测量可以说是无处不在，遍布了我们生活生产的方方面面。DS18B20温度传感器是美国DALLAS半导体公司生产的数字化温度传感器，它与以往模拟量温度传感器不同，数字化是其一大特点，它能将被测环境温度直接转化为数字量，并以串行数据流的形式，传输给单片机等微处理器去处理。DS18B20温度传感器的另一个主要特点是它是单总线的，即它与单片机等微处理器连接时，只需占用一个I/O管脚，并且不再需要其它任何外部元器件，这大大简化了它与单片机之间的接口电路。11.2DS18B20温度传感器介绍目前，使用最普遍的DS18B20温度传感器是三脚TO-92直插式封装这一种，这种封装的DS18B20实物如图11-1所示。可以看到它体积很小，只有三只管脚，外形与一般的三极管极其相似。图11-2是DS18B20三脚TO-92直插式封装图，表11-1列出了DS18B20各个引脚的定义。图11-1 DS18B20实物图       图11-2 DS18B20引脚图表11-1 DS18B20引脚定义。引脚序号引脚名称功能描述1GND接地端2DQ数据输入输出端3ＶＤＤ电源端11.2.1 DS18B20温度传感器特性简介◆独特的单总线（一条线）接口，与微处理器通信只需一个I/O管脚，且硬件连接无需其它外部元件；◆测量结果直接输出数字量，可直接与微处理器通信；◆供电电压范围3.0V~5.5V；在寄生电源方式下可由数据线供电；◆测温范围-55℃~125℃；在-10℃~85℃范围内，测量精度可达±0.5℃；◆可编程的9~12位测温分辨率，对应的可分辨温度值分别为0.5℃，0.25℃，0.125℃，0.0625℃；12位分辨率时的温度测量转换最长时间（上限）只有750ms；◆每一片DS18B20都有自己独一无二的芯片号码；多片DS18B20可以并联在一条数据总线上，实现不同地点的多点组网；◆应用范围包括温度调控，工业现场测温，消费类产品，温度计及热敏系统等。11.2.2 DS18B20温度传感器测温工作原理DS18B20的核心功能就是测量被测环境温度并直接转换成为数字量。我们使用DS18B20测温，就是要将DS18B20转换成的数字量温度值从DS18B20内部读出，送入单片机进行处理，所以了解DS18B20内部的存储器的结构和组成是必要的。另外，控制DS18B20测温和读取温度值的指令也是必不可少的。以下就从这两个方面分别加以说明。1、DS18B20内部的存储器笼统而言，可以说DS18B20内部的存储器有三个：64位光刻ROM、中间结果暂存RAM和E2RAM。（1）64位光刻ROM前面已经提及，每一片DS18B20都有一个独一无二的号码，用于唯一标识当前这片DS18B20。这个号码是DS18B20的生产厂家DALLAS公司在生产该片DS18B20时固化在其内部ROM中的，共有64位，所以称为64位光刻ROM号码，其数据格式如图11-3所示。位63      位56位55                  位8位7       位08位CRC码48位序列号家族代码28H图11-3 64位光刻ROM数据格式这64位号码从最低位（位0）到最高位（位63）划分为三个组成部分，分别是：最低8位，中间48位和最高8位，如图11-3所示。其中，最低8位对每一片DS18B20而言都相同，其值是0x28，称为家族代码。这个值是专门分配给DS18B20家族的，用以区别不同的单总线设备家族。中间48位是唯一标识当前这片DS18B20的产品序列号。任意两片DS18B20的家族代码都是0x28H，但它们的48位产品序列号绝对不相同，这48位一般称为48位序列号。最高8位是根据前面56位（8位48位=56位）计算出的CRC码，一般不大使用，读者可以不予深究。（2）中间结果暂存RAM中间结果暂存RAM共有8个字节，其结构如图11-4所示。功能描述字节地址温度值低8位0温度值高8位1设置温度上限值2设置温度下限值3设置寄存器字节4保留5保留6保留7图11-4 中间结果暂存RAM其中，字节地址0是所测温度数值的低8位，字节地址1是所测温度数值的高8位，字节地址2是设定温度的上限值，字节地址3是设定温度的下限值，字节地址4是配置寄存器字节。字节地址5,6,7保留。这8个字节中，除字节地址0,1,4以外的5个字节几乎不使用，可以忽略，重点掌握字节地址0,1,4就足够了。字节地址0和字节地址1中存放的就是测量的温度值，字节地址1中存放的是高8位，字节地址0中存放的是低8位。它们中的温度数据存储格式如图11-5所示。其中，高5位是符号位S。若5个S全为0则表示温度是正值，由于是正值，补码与原码相同，余下的11位按图示各位的权重计算，所得数值就是所测温度值；若5个S全为1，则余下11位的补码对应的数值就是所测温度值，这个温度值自然是零度以下，是负值。在实际计算温度值时，在得到11位数值原码值以后，再乘以0.0625就得到所测的温度值。这样计算的原因是：可以将图11-5中的小数点（在权重20和2-1之间）向右移动4位，即整个数值扩大了24=16倍，要使它与原值相等，自然需要再除以16，即相当于乘以0.0625。SSSSS262524232221202-12-22-32-4图11-5 温度数据存储格式字节地址4是配置寄存器字节。前面已经提及，DS18B20的测温有9位，10位，11位，12位四种分辨率，实际测温时选用哪种分辨率，可以通过具体编程来设定，DS18B20出厂时设定的默认测温分辨率是12位。字节地址4配置寄存器字节的数据格式如图11-6所示。其中的R1和R0的四种组合一一对应9位，10位，11位，12位四种分辨率。对应关系如表11-2所示。附带说明的是，一般选用出厂时设定的默认测温分辨率12位，不用改动。位7位6位5位4位3位2位1位00R1R011111图11-6配置寄存器字节的数据格式表11-2 R1和R0的四种组合与测温分辨率的关系R1R0温度分辨率最大转换时间009位93.75ms (tconv/8)0110位187.5ms (tconv/4)1011位375ms (tconv/2)1112位750ms (tconv)（3）E2RAME2RAM的结构如图11-7所示。可以看到，E2RAM是中间结果暂存RAM中字节地址位2,3,4的三个字节内容的拷贝或者说是备份，以备数据的完备性需要。这个存储器一般不使用，故可以忽略不予考虑。设置温度上限值设置温度下限值设置寄存器字节图11-7E2RAM的结构综上所述，在不改变测温出厂分辨率（12位）的前提下，DS18B20内部存储器中，我们需关注的，就只有64位光刻ROM，还有中间结果暂存RAM中用于存放温度值的字节地址0和字节地址1了。2、DS18B20的指令DS18B20的指令可分为三大类，第一类是与64位光刻ROM相关联的一系列指令，第二类是与中间结果暂存RAM相关联的温度值读取等一些相关指令，第三类就是控制温度转换的控制类指令。上面刚刚提到，在不改变测温出厂分辨率（12位）的前提下，DS18B20内部存储器中，我们只需关注64位光刻ROM和中间结果暂存RAM中字节地址0和字节地址1中的温度值。考虑到DS18B20的指令集中，部分指令极少使用，此处仅就常用的、关键指令做解释说明，其余指令请读者查阅参考相关资料。（1）与64位光刻ROM相关的指令①读64位光刻ROM号码指令【0x33】本条指令用于读取唯一标识当前这片DS18B20的64位号码，但要求总线上只能有一片DS18B20，否则会出现多片DS18B20冲突的问题；②匹配64位光刻ROM号码指令【0x55】本条指令主要用在单总线上挂接多片DS18B20的情况，此时，执行本指令0x55后，紧跟其后的是一64位光刻ROM号码（特别注意：在输入64位光刻ROM号码时，低位在前）。这一64位光刻ROM号码，将与单总线上每一片DS18B20的64位光刻ROM号码进行比对，号码匹配的那一片DS18B20将执行后续的指令，例如转换温度、读取温度值等指令；而号码不匹配的那些DS18B20将不执行任何指令，继续等待下去，直到总线复位后，再等待下一次被匹配的机会。③跳过64位光刻ROM号码匹配指令【0xCC】可以设想，如果总线上只有一片DS18B20挂接其上，执行温度转换指令、读取温度值指令等只能是针对这一片DS18B20而言。如果先读取其64位光刻ROM号码，然后再匹配这64位光刻ROM号码，显然是画蛇添足，多此一举，所以完全可以跳过64位光刻ROM号码的匹配环节，直接执行转换温度、读取温度值等指令。应该注意的是，不需要执行匹配时，不用执行上一条0x55指令，但必须执行跳过指令，即执行0xCC指令完成跳过功能。④搜索64位光刻ROM指令【0xF0】当总线上挂接多片DS18B20芯片时，执行本指令可以搜索当前挂接在总线上的DS18B20芯片的个数，并识别它们的64位光刻ROM号码，方便后续操作各个DS18B20芯片。（2）与中间结果暂存RAM相关的温度数值读取指令读中间结果暂存RAM指令【0xBE】单片机发出并执行读中间结果暂存RAM指令0xBE后，就可以从字节地址0开始，每次读取一个字节，依次读取中间结果暂存RAM的8个字节中的数据。由于温度值只保存在前面两个字节中，实际应用中只读取前两个字节就可以了。（3）控制温度转换指令启动温度转换指令【0x44】本指令是启动温度转换指令，转换结束后的温度值，被存入中间结果暂存RAM的字节地址0（低8位）和字节地址1（高8位）中。然后就可以从中读取温度值了。3、DS18B20的通信规则仅用一条线通信的DS18B20的系统，在与微处理器通信时，其数据的传输规则不同于一般芯片，其特殊性表现在，每次操作都要按部就班地执行以下四个步骤：S1：初始化DS18B20；S2：向DS18B20发送与64位光刻ROM相关的指令；S3：执行与中间结果暂存RAM相关的指令（包括控制温度转换指令）；S4：数据处理。以下针对三个主要操作：读取64位光刻ROM号码操作，启动DS18B20温度转换操作，读取温度操作，来细化上述四个步骤。（1）读取64位光刻ROM号码操作S1：初始化DS18B20；S2：单片机向DS18B20发送读64位光刻ROM号码指令0x33H；S3：由于读取64位光刻ROM号码操作不涉及中间结果暂存RAM，此步骤就什么都不做；S4：单片机从单总线上一位接着一位地读取，共64位，得到64位光刻ROM号码（注意：低位在前）。（2）启动DS18B20温度转换操作S1：初始化DS18B20；S2：单片机向DS18B20发送跳过64位光刻ROM号码匹配指令0xCCH（假设只有一片DS18B20挂接在总线上）；S3：单片机向DS18B20发送启动温度转换指令0x44H；S4：本操作只启动温度转换，无数据处理，故本步骤什么都不做。（3）读取温度操作S1：初始化DS18B20；S2：单片机向DS18B20发送跳过64位光刻ROM号码匹配指令0xCCH（假设只有一片DS18B20挂接在总线上）；S3：单片机向DS18B20发送读中间结果暂存RAM指令0xBEH；S4：单片机从单总线上一位接着一位地读取，连续读取两个字节的数据（低字节在前，高位在前），得到温度值的低字节和高字节数据。此处还需要解释说明两点：①DS18B20的操作时序很严格，特别是延时，要比较精确才行。所以以上每一步骤后都紧跟一段延时，具体延时时间多长，后面的初始化、读写操作等时序会给出详细说明。②由于DS18B20是单总线的，只有一条线与单片机的一个I/O管脚相连接。在初始化、指令数据、64位光刻ROM号码、温度值等等数据中，有些数据是从单片机发送到DS18B20的，有些数据是从DS18B20传送到单片机的，所有数据都是（也只能）借助这一条总线在传输，所以数据是在单片机与DS18B20之间一位一位地串行传输的。4、DS18B20的初始化、数据读写操作时序前面已经提及，由于DS18B20是单总线的，所以其操作时序很严格，特别是延时，要比较精确才行。（1）DS18B20的初始化DS18B20的初始化时序如图11-8所示。图11-8 DS18B20的初始化时序DS18B20的初始化时序是：①首先是单片机发送一低电平到单一数据总线上，将单总线拉低，拉低的时间至少是480μs，但不能超过960μs。实际中一般取750μs左右；②然后，单片机释放单总线的控制权，转而准备被动地接收DS18B20发送来的数据。此时，焊接在单总线上5KΩ的上拉电阻，将单总线由低电平拉高到高电平，此电平从低到高的上升沿被DS18B20捕捉到以后，单总线转而由DS18B20控制了；③当DS18B20控制了总线时，在等待15~60μs以后，DS18B20将单总线再次拉低，作为向单片机做出的回应，表明自己（DS18B20）已经就绪，准备接收后续的指令等等。DS18B20将单总线拉低的时间至少是60μs，但不能超过240μs。④随后，DS18B20释放单总线，单总线上5KΩ的上拉电阻，再次将单总线由低电平拉高到高电平。此时DS18B20的初始化完成。具体到程序设计时，可以简化初始化过程。实现如下：◆首先，单片机发送一低电平到单一数据总线上，将单总线拉低，这一低电平的持续时间是750μs左右，时间值750μs=480μs40μs230μs，其中480μs是单片机将总线拉低所需的最少时间，40μs是单片机释放总线后DS18B20等待时间（大约），230μs是DS18B20的反馈回应的低电平时间。这样处理的目的，是忽略DS18B20的反馈回应，改为延时处理，原因是单片机将总线拉低后，何时释放总线不太好把握，自然不太好确定何时接收DS18B20反馈回应的低电平，采用延时以后，可以不必考虑单片机何时释放总线、DS18B20等待多长时间、DS18B20发回应低电平多长一段时间后又释放总线、而总线又被上拉电阻拉高。只要这些过程结束后，单总线是高电平就行，所以进入下一步骤：拉高总线。◆然后，单片机发送一高电平到单一数据总线上，将单总线拉高，拉高的时间500μs左右；（2）单片机向DS18B20写数据单片机向DS18B20写一位数据的时序图如图11-9所示。图11-9 单片机向DS18B20写一位数据的时序单片机向DS18B20写一位数据的时序：①首先，单片机将单总线拉低（延时时间小于15μs）②然后，如果单片机向DS18B20写的数是二进制数0，则单片机继续将单总线拉低，让DS18B20采样当前单总线上的数据（低电平，即数据0），此总线拉低的延时时间最大45μs，因为单片机向DS18B20写一位数据的时间必须在60μs内完成；如果单片机向DS18B20写的数是二进制数1，则单片机释放总线，由外接上拉电阻将单总线拉高，供DS18B20采样当前单总线上的数据（高电平，即数据1）。实际编程中，将上拉电阻拉高总线更改为单片机将单总线拉高——只要得到高电平，不必考虑由谁将其拉高。同样，此拉高的延时时间最大也是45μs，以此保证单片机向DS18B20写一位数据的时间必定在60μs内完成；③最后，单片机再次将单总线拉高，准备下一位数据写入DS18B20，一般在总线拉高后延时10μs左右。具体程序设计时，实现如下：◆单片机将单总线拉低，延时15μs；◆如果写0：单片机将单总线拉低，延时60μs；如果写1：单片机将单总线拉高，延时40μs；◆单片机将单总线拉高，延时10μs；（3）单片机从DS18B20读数据单片机从DS18B20读一位数据的时序如图11-10所示。图11-10 单片机从DS18B20读一位数据的时序从图11-10可以看到，单片机从DS18B20读一位数据时序比较严格，留给单片机采样窗口很窄，单片机从DS18B20读取一位二进制数据的时间，必须控制在开始读以后的15μs以内。具体分析如下：◆首先，单片机将单总线拉低，拉低后的延时时间极短，一般在1μs以内；◆然后，单片机释放单总线，由DS18B20将单总线拉低，或者由外接上拉电阻将单总线拉高，供单片机去采样0或者1。需要强调的是：此时单片机只是读取这些高低电平，而不是控制单总线被拉低或者拉高。整个拉低或者拉高电平的持续时间只有15－2=13μs左右，单片机此时应抓紧时间去读取，否则电平就要发生变化。具体程序设计时，实现如下：◆首先，单片机将单总线拉低，拉低后的延时时间极短，一般在1μs以内；◆然后，单片机将单总线拉高，这一点不是单片机从DS18B20读一位数据的时序要求决定的，而是51单片机的I/O口在输入数据前必须先写1决定的。为了使单片机I/O口读取数据稳定，此处一般延时8μs左右；◆最后，单片机读取单总线上的数据。11.3DS18B20温度传感器测温实例1功能要求：单片机与一片DS18B20连接，在1602液晶屏第一行，显示所测的温度值（数据已处理过），以及中间结果暂存RAM的字节地址0和字节地址1的温度值（数据未处理）；在1602液晶屏第二行，显示该片DS18B20的64位光刻ROM号码。硬件说明：硬件电路图如图11-11所示。注意DQ引脚接有一个10KΩ的上拉电阻。实际练习结果如图11-12所示。图11-11 一片DS18B20与单片机的连接程序清单如下：#include  #include#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedintsbitRS=P2^0;sbitRW=P2^1;sbitE=P2^2;sbitDQ=P2^3;uinttemp;ucharwdL,wdH;staticucharsn[8]={0};ucharcodeb2hex[]="0123456789ABCDEF";//************************************voidwrcmd1602(ucharcmd){ucharm;RW=0;RS=0;P1=cmd;for(m=0;m<=2;m);E=1;for(m=0;m<=2;m);E=0;}voidwrdata1602(ucharshuju){ucharm;RW=0;RS=1;P1=shuju;for(m=0;m<=2;m);E=1;for(m=0;m<=2;m);E=0;}voidinit1602(void){RW=0;E=0;wrcmd1602(0x38);wrcmd1602(0x0c);wrcmd1602(0x06);wrcmd1602(0x01);}voiddisp1602(ucharx,uchary,ucharch){ucharm;wrcmd1602(0x80x*0x40y);for(m=0;m<=252;m);wrdata1602(ch);}/****************************************/voidinit18b20(void){ucharm;DQ=0;for(m=0;m<=90;m); //延时732usDQ=1;for(m=0;m<=65;m); //延时532us}voidwrcmd18b20(ucharcmd18b20){bitsendbit;uchari,m;for(i=1;i<=8;i){sendbit=cmd18b20&0x01;cmd18b20=cmd18b20>>1;if(sendbit==0){DQ=0;for(m=0;m<=2;m);  //延时12usDQ=0;for(m=0;m<=20;m);//延时66usDQ=1;for(m=0;m<=2;m);  //延时12us}else{DQ=0;for(m=0;m<=1;m);  //延时9us  DQ=1;for(m=0;m<=10;m);  //延时36us  DQ=1;for(m=0;m<=1;m);  //延时9us  }}}bitrdbit18b20(void){ucharm;bitonebit;DQ=0;_nop_();DQ=1;    //单片机的I/O口要输入，必须先写入1for(m=0;m<=1;m);  //延时9us  onebit=DQ;for(m=0;m<=10;m);//延时36usreturn(onebit);}ucharrdbyte18b20(void){uchari,j;uintwenduzhi=0;for(i=1;i<=8;i){j=rdbit18b20();wenduzhi=(j<<7)|(wenduzhi>>1);}return(wenduzhi);}voidstconv18b20(void){ucharm,n;init18b20();for(m=0;m<=1;m);  //延时9uswrcmd18b20(0xCC);for(m=0;m<=1;m);  //延时9uswrcmd18b20(0x44);for(n=0;n<=250;n)for(m=0;m<=250;m);for(n=0;n<=250;n)for(m=0;m<=250;m);   //延时760ms}uintrdwendu(void){init18b20();wrcmd18b20(0xCC);wrcmd18b20(0xBE);wdL=rdbyte18b20();wdH=rdbyte18b20();temp=wdH;temp=temp<<8;temp=temp|wdL;temp=(uint)((float)temp*0.0625*100.5);return(temp);}       voidrd18b20rom(void){ucharj;init18b20();wrcmd18b20(0x33);for(j=0;j<=7;j){sn[j]=rdbyte18b20();_nop_();}}/**************************************************/main(){uintt,k;init1602();rd18b20rom();for(k=0;k<=7;k){disp1602(1,2*k,b2hex[(sn[k]&0xf0)>>4]);disp1602(1,2*k1,b2hex[sn[k]&0x0f]);}disp1602(0,5,39);disp1602(0,6,'C');while(1){stconv18b20();t=rdwendu();disp1602(0,0,t/100'0');disp1602(0,1,t/10'0');disp1602(0,2,'.');disp1602(0,3,t'0');disp1602(0,14,b2hex[(wdL&0xf0)>>4]);disp1602(0,15,b2hex[wdL&0x0f]);disp1602(0,12,b2hex[(wdH&0xf0)>>4]);disp1602(0,13,b2hex[wdH&0x0f]);}}图11-12 一片DS18B20测温、测序列号实际练习结果11.4DS18B20温度传感器测温实例2功能要求：单片机与四片DS18B20连接，在1602液晶屏第一行起始位置显示“1：”，其后显示第一片DS18B20所测温度值；在1602液晶屏第一行中间位置显示“2：”，其后显示第二片DS18B20所测温度值；在1602液晶屏第二行起始位置显示“3：”，其后显示第三片DS18B20所测温度值；在1602液晶屏第二行中间位置显示“4：”，其后显示第四片DS18B20所测温度值。硬件说明：硬件如图11-13所示，四片DS18B20的同名引脚分别并联，DQ引脚仍接上拉电阻。实际练习结果如图11-14所示。图11-13 四片DS18B20与单片机的连接程序清单如下：#include  #include#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedintsbitRS=P2^0;sbitRW=P2^1;sbitE=P2^2;sbitDQ=P2^3;uinttemp;ucharwdL,wdH;ucharcodesn[][8]={{0x28,0x0D,0x3F,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x39},{0x28,0xE7,0x50,0x2C,0x03,0x00,0x00,0xA1},{0x28,0xB2,0x40,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x18},{0x28,0xD1,0x45,0x2C,0x03,0x00,0x00,0x50}};//*****************************************voidwrcmd1602(ucharcmd){ucharm;RW=0;RS=0;P1=cmd;for(m=0;m<=2;m);E=1;for(m=0;m<=2;m);E=0;}voidwrdata1602(ucharshuju){ucharm;RW=0;RS=1;P1=shuju;for(m=0;m<=2;m);E=1;for(m=0;m<=2;m);E=0;}voidinit1602(void){RW=0;E=0;wrcmd1602(0x38);wrcmd1602(0x0c);wrcmd1602(0x06);wrcmd1602(0x01);}voiddisp1602(ucharx,uchary,ucharch){ucharm;wrcmd1602(0x80x*0x40y);for(m=0;m<=252;m);wrdata1602(ch);}/*************************************************/voidinit18b20(void){ucharm;DQ=0;for(m=0;m<=90;m); //延时732usDQ=1;for(m=0;m<=65;m); //延时532us}voidwrcmd18b20(ucharcmd18b20){bitsendbit;uchari,m;for(i=1;i<=8;i){sendbit=cmd18b20&0x01;cmd18b20=cmd18b20>>1;if(sendbit==0){DQ=0;for(m=0;m<=2;m);  //延时12usDQ=0;for(m=0;m<=20;m);//延时66usDQ=1;for(m=0;m<=2;m);  //延时12us}else{DQ=0;for(m=0;m<=1;m);  //延时9us  DQ=1;for(m=0;m<=10;m);  //延时36us  DQ=1;for(m=0;m<=1;m);  //延时9us  }}}bitrdbit18b20(void){ucharm;bitonebit;DQ=0;_nop_();DQ=1;  for(m=0;m<=1;m);  //延时9us  onebit=DQ;for(m=0;m<=10;m);//延时36usreturn(onebit);}ucharrdbyte18b20(void){uchari,j;uintwenduzhi=0;for(i=1;i<=8;i){j=rdbit18b20();wenduzhi=(j<<7)|(wenduzhi>>1);}return(wenduzhi);}/*************************************************/voidmatch18b20(ucharn){uchari;init18b20();wrcmd18b20(0x55);for(i=0;i<=7;i){wrcmd18b20(sn[n][i]);_nop_();}}//**************************************************     voidstconv18b20(void){ucharm,n;init18b20();for(m=0;m<=1;m);  //延时9uswrcmd18b20(0xCC);for(m=0;m<=1;m);  //延时9uswrcmd18b20(0x44);for(n=0;n<=250;n)for(m=0;m<=250;m);for(n=0;n<=250;n)for(m=0;m<=250;m);//延时760ms}uintrdwendu(ucharn){init18b20();match18b20(n-1);wrcmd18b20(0xBE);wdL=rdbyte18b20();wdH=rdbyte18b20();temp=wdH;temp=temp<<8;temp=temp|wdL;temp=(uint)((float)temp*0.0625*100.5);return(temp);}/**************************************************/main(){uintt;init1602();init18b20();disp1602(0,0,'1');disp1602(0,1,':');disp1602(0,8,'2');disp1602(0,9,':');disp1602(1,0,'3');disp1602(1,1,':');disp1602(1,8,'4');disp1602(1,9,':');while(1){stconv18b20();t=rdwendu(1);disp1602(0,2,t/100'0');disp1602(0,3,t/10'0');disp1602(0,4,'.');disp1602(0,5,t'0');t=rdwendu(2);disp1602(0,10,t/100'0');disp1602(0,11,t/10'0');disp1602(0,12,'.');disp1602(0,13,t'0');t=rdwendu(3);disp1602(1,2,t/100'0');disp1602(1,3,t/10'0');disp1602(1,4,'.');disp1602(1,5,t'0');t=rdwendu(4);disp1602(1,10,t/100'0');disp1602(1,11,t/10'0');disp1602(1,12,'.');disp1602(1,13,t'0');}}图11-14 四片DS18B20测温练习结果思考题1.DS18B20传感器是由哪家公司生产的，其特点是什么？2.3.DS18B20的测温范围是多少？测温精度是多少？4.5.DS18B20内部存储器有哪些？主要功能是什么？6.7.画出DS18B20外部电源供电方式与单片机的连接电路图。8.9.利用for循环如何实现较精确延时？10.11.查阅资料回答常用的温度传感器还有哪些，它们有什么特点？12.