硅二极管的伏安特性曲线以及二极管特性参数的测定

半导体物理与器件实验报告 专业班级指导教师 姓名 实验时间 2014 年 6 月 3 日实验地点 实验一:硅二极管的伏安特性曲线以及二极管特性参数的测定 实验预习报告 实验目的: 1、熟悉YB4810型图示仪的面板装置及其操作方法 2、掌握二极管伏安特性曲线特点 3、对二极管PN结极性、晶体材料作出判断 4、测定二极管主要特性参数和了解二极管型号命名规则。 实验仪器: YB4810型晶体管特性图示仪;硅开关二极管1N4148;硅整流二极管1N4007;硅稳压二极管0.5W7.5V;硅稳压二极管1W12V;锗PNP三极管3AX22 实验原理: 1、二极管工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电常当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(这也就是导电的原因)。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流(这也就是不导电的原因)。 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电常当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无 关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 2、二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 3、二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 (1)正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 (2)反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 (1) 正向特性(2)反向特性 伏安特性曲线 4、二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: (1)额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。(2)最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。 (3)反向电流 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25时反向电流若为250uA,温度升高到35,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25时反向电流仅为5uA,温度升高到75时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 实验内容: 1、检查电压,电源额定电压为~220V,工作电压范围大致为:198~242V,交流。 2、确保保险丝使用的指定型号:1A 3、启动YB4810晶体管图示仪 (1)开启电源,预热5分钟,调节仪器“辉度”、“聚焦”、“辅助聚焦”等旋纽使荧光屏上的线条明亮清晰 (2)调零:未测试前,应首先调整阶梯信号起始级零电位的位置。在“扫描开关”和“级/簇”调零的情况下,将VC开关置于Vbe档,阶梯开关置于V档,调节阶梯调零电位器,使在按动“阶梯极性”的过程中,屏幕上光点在X轴方向不随之跳动为止。 4、测试硅开关二极管IN4148反向漏电流和特性参数。 .将二极管测试座接入图示仪,将光点移至荧光屏的左下角作坐标零点,并做如下旋钮设置。 峰值电压范围0-100V 极性正(+) 功耗电阻25 kΩ X轴集电极电压10V/度(实际为V CB) Y轴集电极电流0.2 μA/度(I C) 阶梯选择0.05μA/度 阶梯信号:重复;极性:- 阶梯电流:1mA/级(I E) 峰值电压调大至合适位置。 (1)根据显示出的图形绘制出二极管反向特性曲线,标明横纵坐标值; (2)读出二极管特性参数—额定正向工作电流 5、测试硅整流二极管IN4007和锗整流二极管的正向特性曲线和特性参数。 .将二极管测试座接入图示仪,将光点移至荧光屏的左下角作坐标零点,并做如下旋钮设置。按图两边同时插上硅、锗二极管(用锗PNP三极管3AX22的集电结)。 峰值电压范围0-5V 极性正(+) 功耗电阻 2.5 Ω X轴集电极电压0.1V/度(实际为V CB) Y轴集电极电流20 mA/度(I C) 阶梯选择 1 mA/度 测试选择双族(AB同时按下) 阶梯信号:重复;极性:- 阶梯电流:10mA/级(I E) 峰值电压调大至合适位置。 图二极管的连接图形 (1)AB交替测试 (2)根据显示出的图形绘制出二极管正向特性曲线,标明横纵坐标值; (3)分别求出硅、锗二极管的导通电压。 6、测试硅稳压二极管0.5W7.5V和1W12V的稳压特性曲线。 .将二极管测试座接入图示仪,将光点移至荧光屏的左下角作坐标零点,并做如下旋钮设置。两边同时接上硅稳压二极管0.5W7.5V和1W12V。 图稳压二极管的连接方法 峰值电压范围0-20V 极性正(+) 功耗电阻 1 kΩ X轴集电极电压1V/度(实际为V CB) Y轴集电极电流 1 mA/度(I C) 阶梯选择0.01mA/度 测试选择双族(AB同时按下) 阶梯信号:重复;极性:- 阶梯电流:0.01 mA/级(I E) 继续阅读