[注册电气工程师考试密押题库与答案解析]注册电气工程师(供配电专业)分类模拟题5

[注册电气 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 师考试密押题库与 答案 八年级地理上册填图题岩土工程勘察试题省略号的作用及举例应急救援安全知识车间5s试题及答案 解析]注册电气工程师(供配电专业)分类模拟题5PAGE1/NUMPAGES1[注册电气工程师考试密押题库与答案解析]注册电气工程师(供配电专业)分类模拟题5注册电气工程师(供配电专业)分类模拟题5单项选择题问题:1.一个高压同轴圆柱电缆，外导体的内半径为b，内导体的半径为a，其值可以自由选定。若b固定，要使半径为a的内导体表面上电场强度最小，b与a的比值应该是______。A.eB.2C.3D.4答案:A[解析]此题属于圆柱形电场强度的计算问题。现已知b固定，因此将r=a代入圆柱形电场强度计算式并令，问题:2.一高压同轴圆柱电缆，内导体的半径为a，外导体的内半径为b，其值可以自由选定。若a固定，要使内导体表面上电场强度最小，a与b的比值应该是______。A．B．C．D．答案:A[解析]经求得b与a的比值为e，故此题a与b的比值就应该是。问题:3.无限大真空中一半径为a的球，内部均匀分布有体电荷，电荷总量为q。在r＞a的球外，任一点，处电场强度的大小E为______V/m。A．B．C．D．答案:D问题:4.在无限大真空中，有一半径为a的导体球，离球心d(d＞a)处有一点电荷q。该导体球的电位φ为______。A．B．C．D．答案:A[解析]导体球处于点电荷q的静电场中，自身是一个等电位体。问题:5.在真空中，相距为a的两无限大均匀带电平板，面电荷密度分别为+σ和-σ。该两带电平板间的电位U应为______。A．B．C．D．答案:B[解析]两带电平板间为匀强电场，其场强大小为，故两带电平板间的电位差为。问题:6.在真空中，电荷体密度为ρ的电荷均匀分布在半径为a的整个球体积中，球内的介电常数为ε0，则在球体中心处的电场强度E为______。A．B．0C．D．答案:B[解析]当r＜R时，；当r＞R时，。电荷总量，代入上式，得到，在球体中心处即r=0，故。问题:7.在真空中，一导体平面中的某点处电场强度为E=0.70ex-0.35ey-1.00ez(V/m)，设该点的场强与导体表面外法线相量一致，此点的电荷面密度为______。A.-0.65×10-12C/m2B.0.65×10-12C/m2C.-11.24×10-12C/m2D.11.24×10-12C/m2答案:D[解析]由题可知电场强度的模，该点的电荷面密度ρ=ε0E=8.854×10-12×1.27C/m2=11.24×10-12C/m2。问题:8.两半径为a和b(a＜b)的同心导体球面间电位差为U0，问：若b固定，要使半径为a的球面上电场强度最小，a与b的比值应为______。A.1/3B.1/eC.1/2D.1/4答案:C[解析]此题考球形导体的电场强度。现已知同心圆内外球面施加电压U0，则同心圆球内(a＜r＜b)电场对称，其场强为，则。所以现在已知b固定，U0也不变，问a=?时E(r)最小，将r=a代入上式，并令，。故当时，E(a)取最小值，即半径为a的球面上电场强度最小。问题:9.一半径为R的金属半球，置于真空中的一无限大接地导电平板上，在球外有一点电荷q，位置如下图所示。在用镜像法计算点电荷q受力时，需放置镜像电荷的数目为______个。A.4B.3C.2D.无限多答案:B[解析]设电荷q和导体平面法线所在的平面为xz平面，如下图所示。先作电荷q对导体平面xz平面的镜像电荷-q(-x，0，-z)，其次作q对球面的镜像q'为，q'位于原点O与电荷口的连线上，且与原点的距离为,最后作镜像电荷q'对xy平面的镜像-q'。由电荷q、-q、q'、-q'组成点电荷系统可以使原问题的边界条件得到满足，导体外任意点的场可以由这4个点电荷共同确定。因此在用镜像法计算点电荷q受力时，需要放置镜像电荷的数目为3个。问题:10.在一个圆柱形电容器中，置有两层同轴的圆柱体，其内导体的半径为2cm，外导体的内半径为8cm，内、外两绝缘层的厚度分别为2cm和4cm。内、外导体间的电压为150V(以外导体为电位参考点)。设有一根薄的金属圆柱片放在两层绝缘体之间，为了使两层绝缘体内的最大电场强度相等，金属圆柱片的电位应为______V。A.100B.250C.667D.360答案:A[解析]依据题意如下图所示，设金属圆柱片的电位为φ(电位参考点取在外导体上)，则(1.6-1)由于内导体与金属圆柱片间的电压为，已知内外导体间的电压为150V，则150-φ=U0，即(1.6-2)联立式(1.6-1)和式(1.6-2)，得(1.6-3)由于，，所示最大电场强度出现在r=a时，有；出现在r=b时，有。欲使E1max=E2max，则(1.6-4)联立式(1.6-3)和式(1.6-4)，可得，则金属圆柱片的电位为φ=100V。问题:11.在一个圆柱形电容器中，置有两层同轴的绝缘体，其内导体的半径为3cm，外导体的内半径为12cm，内、外两绝缘层的厚度分别为3cm和6cm。内、外导体间的电压为270V(以外导体为电位参考点)。设有一很薄的金属圆柱片放在两层绝缘体之间，为了使两层绝缘体内的最大电场强度相等，金属圆柱片的电位应为______v。A.60B.90C.150D.180答案:D[解析]依据题意如下图所示。设金属圆柱片的电位为φ(电位参考点取在外导体上)，则(1.6-5)由于内导体与金属圆柱片间的电压为，已知内外导体间的电压为270V，则270-φ=U0，即(1.6-6)联立式(1.6-5)和式(1.6-6)，得，(1.6-7)由于，，所以最大电场强度出现在r=a时，有；出现在r=b时，有。欲使E1max=E2max，则联立式(1.6-7)和式(1.6-8)，可得，则金属圆柱片的电位为φ=180V。问题:12.平板电容器，保持板上电荷量不变，充电后切断电源。当板间距离变为2d时，两板间的力为______。A.FB.F/2C.F/4D.F/8答案:A[解析]牢记知识点复习的几个常用公式。由d2d，依据，则有，再依据，题目已知Q不变，则有UU'=2U；由d2d，UU'=2U，依据可知E不变；由d2d，Q不变、E不变，依据F=QE可知F不变。问题:13.有一个紧靠地面的半球形接地体，其半径为0.5m，土壤的电导率γ=10-2S/m。则此接地体的接地电阻为______Ω。A.31.84B.7.96C.63.68D.15.92答案:A[解析]记住公式即可，半球形接地体接地电阻公式。问题:14.一半球形接地系统，已知其接地电阻为100Ω，土壤的电导率γ=10-2S/m，设有短路电流500A从该接地体流入地中，有人正以0.6m的步距向此接地系统前进，前足距接地体中心2m，则跨步电压为______V。A.512B.624C.728D.918答案:D[解析]由已知条件有b=0.6m，x=2m，I=500A，则跨步电压为。问题:15.一半球形接地系统，已知其接地电阻为300Ω，土壤的电导率γ=10-2S/m，设有短路电流100A从该接地体流入地中，有人正以0.6m的步距向此接地系统前进，前足距接地体中心4m，则跨步电压近似为______V。A.104B.26C.78D.52答案:D[解析]本题求解：由已知条件有b=0.6m，x=4m，I=100A，则跨步电压为问题:16.一半径为1m的半球导体球当作接地电极深埋于地下，其平面部分与地面相重合，土壤的电导率γ=10-2S/m。则此接地体的接地电阻为______Ω。A.15.92B.7.96C.63.68D.31.84答案:A[解析]半球形接地体的接地电阻，代入公式，有问题:17.球形电容器的内半径R1=5cm，外半径R2=10cm。若介质的电导率γ=10-10S/m，则该球形电容器的漏电导为______S。A.0.2×10-9B.0.15×10-9C.0.126×10-9D.0.10x10-9答案:C[解析]本题思路：。设电容内导体球带电荷q，由高斯定理可得介质中的电场强度为，介质中的电流密度为，总的漏电流，两导体间的电位差为，电容器的电导为问题:18.有一个紧靠地面的半球形接地体，其半径为0.5m，土壤的电导率γ=10-1S/m。则此接地体的接地电阻为______Ω。A.3.184B.7.96C.6.368D.1.592答案:A[解析]问题:19.一半球形接地体系统，已知其接地电阻为100Ω，土壤的电导率为γ=10-2S/m，设有短路电流250A从该接地体流入地中，有人正以0.6m的步距向此接地体系统前进且其后足距接地体中心2m，则跨步电压为______。A.852.62VB.512.62VC.356.56VD.326.62V答案:A[解析]由已知条件有b=0.6m，x=2-0.6=1.4m，I=250A，则跨步电压为。需要特别注意的是：本题已知条件中是“后足”距接地体中心2m，步距为0.6m，所以前足距接地体为2m-0.6m=1.4m。问题:20.内半径为a，外半径为b的导电管，中间填充空气，流过直流电流I0在p＜a的区域中，磁场强度H为______A/m。A．B．C．0D．答案:C[解析]若以轴心为圆心，任意半径为ρ的圆上磁场强度H相等，由安培环路定律，可得：当a＜ρ＜b时，；当b＜ρ时，；当ρ＜a时，H=0。问题:21.一无损耗同轴电缆，其内导体半径为a，外导体的内半径为b，内外导体间介质的磁导率为μ，介电常数为ε该同轴电缆单位长度的外电感L0应为______。A．B．C．D．答案:D[解析]设同轴电缆通以电流I，由安培环路定律可得，内外导体间磁感应强度为，则l长度的同轴电缆磁通量为，相应自感系数为，单位长度的自感为。问题:22.无限长无损耗传输线上任意处的电压在相位上超前电流的角度为______。A.90°B.-90°C.0°D.某一固定角度答案:C[解析]无损耗传输线的特性阻抗为一实数，即反映为一纯电阻，故电压、电流同相位，因此无限长无损耗传输线上任意处的电压在相位上超前电流的角度为0°。问题:23.电阻为300Ω的信号源通过特性阻抗为300Ω的传输线向75Ω的电阻性负载供电，为达到匹配的目的，在传输线与负载间插入一段长度为λ/4的无损传输线，该线的特性阻抗应为______Ω。A.187.5B.150C.600D.75答案:B[解析]。问题:24.电阻为300Ω的信号源通过特性阻抗为36Ω的传输线向25Ω的电阻性负载供电，为达到匹配的目的，在传输线与负载间插入一段长度为λ/4的无损传输线，该线的特性阻抗应为______Ω。A.30B.150C.20D.70答案:A[解析]。问题:25.终端短路的无损耗传输线长度为波长的倍数为______时，其入端阻抗的绝对值不等于特性阻抗。A.1/8B.3/8C.1/2D.5/8答案:C[解析]终端短路，则ZL=0，这时从始端观测的输入阻抗为。现要求，各选项分析如下：选项A：选项B：选项C：选项D：显然，只有选项C满足要求。问题:26.内阻抗为250Ω的信号源通过特性阻抗为75Ω的传输线向300Ω的电阻性负载供电，为达到匹配的目的，在传输线与负载间插入一段长度为λ/4的无损传输线，该线的特性阻抗应为______Ω。A.150B.375C.250D.187.5答案:A[解析]。问题:27.终端开路的无损耗传输线长度为波长的倍数为______时，其入端阻抗的绝对值不等于特性阻抗。A.11/8B.1/2C.7/8D.5/8答案:B[解析]终端开路，则ZL=∞，这时从始端观测的输入阻抗为。现要求，各选项分析如下：选项A：选项B：选项C：选项D：显然，只有选项B满足要求。问题:28.一特性阻抗为Z0=50Ω无损耗传输线经由另一长度l=0.105λ(λ为波长)，特性阻抗为Z02的无损耗传输线达到与ZL=40+j10Ω的负载匹配，应取Z02为______Ω。A.38.75B.77.5C.56D.66答案:A[解析]阻抗匹配，即有Zin=Z0，故有。将ZL=(40+j10)Ω代入上式得到Z02=38.78Ω。问题:29.在如下图所示电路中，已知ui=1V，硅稳压管VDz的稳定电压为6V，正向导通压降为0.6V，运放为理想运放，则输出电压u0为下列何值______。A.6VB.-6VC.-0.6VD.0.6V答案:C[解析]故本电路实际上是一个简单的单门限电压比较器。若uI＞0，则运放输出为负的饱和电压-uO(sat)，即；若uI＜0，则运放输出为正的饱和电压+uO(sat)，即。现在uI=1V＞0，故VDZ将正向导通，考虑到uO的参考方向与VDZ正向导通的0.6v电压方向相反，故uO=-0.6V(下图，注意参考方向)。问题:30.下图所示电路中，设VDZ1的稳定电压为7V，VDZ2的稳定电压为13V，则电压UAB等于______V。A.0.7B.7C.13D.20答案:B[解析]由于VDZ1的稳定电压7V＜VDZ2的稳定电压为13V，故VDZ1先反向击穿，VDZ2截止，从而可知UAB=7V。问题:31.如下图所示电路，当u2为正弦波时，图中理想二极管在一个周期内导通的电角度为______。A.0°B.90°C.180°D.120°答案:C[解析]由于二极管是理想的，所以无正向导通压降，根据二极管的单向导电性，当u2＞0时，VD1、VD3导通，VD2、VD4截止；当u2＜0时，VD2、vD4导通，VD1、VD3截止。故在一个周期内，二极管的导通角为180°，如下图所示。问题:32.在下图所示电路中，设二极管正向导通时的电压降为0.7V，则电压Ua为______V。A.0.7B.0.3C.-5.7D.-11.4答案:B[解析]先来求a点电位，以判断二极管VD能否导通，如下图所示。，Ua=3×103×I-5.7=3×103×2×10-3V-5.7V=0.3V显然二极管VD截止，故选B。问题:33.设下图所示电路中的二极管性能理想，则电压UAB为______V。A.-5B.-15C.10D.25答案:B[解析]为便于分析，标注①、②、③、④点如下图所示。从电路图可见，VD1、VD2的阳极①、②是等电位的，而以B为参考点的话，VD1的阴极电位即③点电位为0，VD2的阴极电位即④点电位为-15V，显然，VD2将优先导通，这样UVD1①③=-15V，从而VD1截止，电路图变成下图所示，这样，故UAB=10-RI=10V-2×103×12.5×10-3V=-15V。问题:34.下图所示电路中，设二极管为理想元件，当u1=1.50V时，u2为______V。A.25B.75C.100D.150答案:C[解析]如图电位分析可知，VD1、VD2均为正向偏置，均导通，故u2=100V。问题:35.N型半导体和P型半导体所呈现的电性分别为______。A.正电，负电B.负电，正电C.负电，负电D.中性，中性答案:D[解析]无论是N型半导体还是P型半导体，其整体对外保持电中性。