《静电保护器》PPT课件

全球第一家集成电路网络超市(IC网络超市)IC网络超市www.ic-jiazhi.com功率线产品介绍CONTENT1.静电保护器件　ESD保护管2.MOSFET3.电压基准（VoltageRegerence)静电保护器件　ESD保护管静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。LRC的ESD保护管具有以下特点:1、满足行业 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 2、低工作电压3、低电容4、低漏电流5、高浪涌电流容量6、单路和多路保护7、小封装,节省电路版空间,满足设计机动性8、ROHS/无卤素静电保护器件ESD保护管是一种用来保护敏感半导体器件使其免遭静电击穿而特别设计的固态半导体器件。当ESD保护管受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10~12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。ESD保护管的电路符号与普通稳压二极管相同。ESD保护管的正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。静电保护器件　ESD保护管ESD保护管的优点：响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点。静电保护器件　ESD保护管VRWM(ReversePeakWorkingVoltage)：指ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。当这个反向电压加在ESD保护管的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于最大反向漏电流；当ESD保护管两端的电压继续上升，但还没有到达击穿电压VBR时，ESD保护管可能继续呈现高阻状态。使用时VRWM不低于被保护电路的正常工作电压。设计时可选VRWM＝0.9VBR。VBR(ReverseBreakdownVoltage):在指定测试电流下ESD保护管发生雪崩击穿时的电压，它是ESD保护管最小的击穿电压。在该状态发生时，ESD保护管的阻抗将变得很小。VBR会受到结温的影响而有所变化。VC(MaximumClampingVoltage):指ESD保护管流过最大浪涌电流（峰值为IPP）时其端电压由VRWM上升到一定值后保持不变的电压值。ESD保护管就是通过这个箝位电压来实现保护作用的，浪涌过后，IPP随时间以指数的形式衰减，当衰减到一定值后，ESD保护管两端的电压开始下降，恢复原来状态。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2～1.4之间。静电保护器件　ESD保护管IPP(MaximumReversePeakPulseCurrent)：指ESD保护管允许流过的最大浪涌电流，它反映了TVS的浪涌抑止能力。PPP（PeakPowerDissipation）：指ESD保护管在指定结温下所能承受的最大峰值脉冲功率。在特定的最大钳位电压下，功耗P越大，其突波电流的承受能力越大。在特定的功耗P下，钳位电压VC越低，其突波电流的承受能力越大。静电保护器件　ESD保护管LRCESD保护管满足的行业标准IEC61000-4-2(ESD)±15KV(空气放电)IEC61000-4-2(ESD)±8KV(接触放电)IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)IEC61000-4-5(雷电)静电保护器件　ESD保护管在很多场合,出于成本的考虑,人们也会选用压敏电阻,现给出它们的差异:静电保护器件　ESD保护管静电保护器件　ESD保护管产品列 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf （一）产品列表（二）静电保护器件　ESD保护管LRCESD保护管的应用1、高速数据线保护2、USB端口保护3、便携式设备保护(如手机,PDA等)4、局域网和宽带网设备保护5、交换系统保护以及以太网交换机保护静电保护器件　ESD保护管ESD保护管的应用举例（一）——键盘驱动器ESD保护 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 静电保护器件　ESD保护管ESD保护管的应用举例（二）——数据接口的ESD保护方案静电保护器件　ESD保护管ESD保护管的应用举例（三）——电源接口的ESD保护方案静电保护器件　ESD保护管MOSFETMOSFET(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor)，即“金属氧化物半导体场效应晶体管”。MOSFET内部结构及电路符号按导电沟道可分为P沟道和N沟道按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型按工作电压可分为低耐压、中耐压和高耐压型按工作电流可分为小信号MOSFET和功率MOSFETMOSFET分类“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种 材料 关于××同志的政审材料调查表环保先进个人材料国家普通话测试材料农民专业合作社注销四查四问剖析材料 制成的器件。按沟道半导体材料的不同，MOSFET分为N沟道(N-Channel，电压极性为正)和P沟道(P-Channel，电压极性为负)两种。按导电方式来划分，又可分成耗尽型与增强型。耗尽型与增强型主要区别是当VGS=0时，耗尽型ID≠0，增强型ID=0。我们现在常见的是增强型。N-Channel漏极源极栅极P-Channel源极漏极栅极MOSFETMOSFET的放大原理：MOSFET的放大原理同三极管的放大原理类似，所不同的是，MOSFET是电压控制型器件，靠栅-源的电压VGS变化来控制漏极电流ID的变化；三极管是电流控制型器件，靠基极电流IB的变化来控制集电极电流IC的变化。通过这种效应，我们可以在栅-源极加入微弱的信号，通过VGS控制ID加强信号，从而实现信号的放大。IDVGS漏极源极栅-源极MOSFET放大原理示意图：我们可以简单形象的理解为，当VGS变化时，推动闸门前进或后退，从而控制ID的大小。MOSFETV(BR)DSS（Drain-SourceBreakdownVoltage)：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。ID(ContinuousDrainCurrent)：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。PD(MaximumPowerDissipation)：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PD并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。RDS(on)(Drain-SourceOn-StateResistance)：在特定的VGS（一般10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。VGS(th)(GateThresholdVoltage)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。MOSFET产品列表（一）——小信号MOSFETMOSFET产品列表（二）——低压MOSFETMOSFETLithiumIonBatteryPackTSSOP8BatteryChargingTSOP6orSOT23LOADSwitchFLP8“Plug-in”AccessoriesSwitchDC/DCConverterFLP8LiIonBatteryCharger&ProtectionTSSOP8“Connectivity”(USB“OnTheGo”,MMCetc.)-TSOP6orSOT23LensMotorTSOP6N&PLoadSwitching-SOT23orTSOP6“Plug-in”AccessoriesSwitchTSOP6orSOT23LithiumIonBatteryPackTSSOP8BatteryChargingTSOP6orSOT23PA/LOADSwitchTSOP6orSOT23WhiteLEDDriveTSOP6orSOT23LCDDisplayTSOP6LiIonBatteryCharger&ProtectionTSSOP8“Connectivity”(USB“OnTheGo”,MMCetc.)-TSOP6orSOT23Lens&TapeMotorTSOP6N&PLoadSwitching-SOT23orTSOP6小信号/低压MOSFETPeripheralLoadSwitchingTSOP6orSOT23SynchronousRectifiersFLP8MOSFETMOSFET的应用举例（一）——LCD显示器（小信号MOSFET）AC/DC控制器DC/DC控制器图腾柱驱动电路MOSFETMOSFET的应用举例（二）——掌上设备的负荷开关（低压MOSFET）PowerSourceToLoadLogicSignalVon/offP-CHMOS-FETN-CHS-MOSorNPNS-TRP沟道MOSFETRDS(ON)低至<40mΩ可以直接用MCU信号控制负荷开关MOSFET电压基准　431432系列1、型号(PartNumber)：LR431**<L431**LR432**<L432**2、封装(Package)：TO-92,SOT-233、应用(Applications)：充电器,家庭影院、音响设备、电脑、DVD、LCD显器、LCDTV、HDTV内部结构及电路符号TO-92SOT-23电压基准　431432系列应用电路VO=VREF*(1+R1/R2)􀀩电压基准　431432系列产品列表电压基准　431432系列电压基准应用于各种电器电源部分电压基准　431432系列