施密特触发器及其应用

施密特触发器及其应用一、实验目的进一步掌握施密特触发器的原理和特点，熟悉和了解由施密特触发器构成的部分应用电路，学会正确使用TTL，CMOS集成的施密特触发器。二、实验内容1．具有施密特性的门电路特性测试（1）74LS132芯片的特性测试图 20.1所示为74LS132芯片的原理电路和逻辑符号图。图20.1用实验法测出芯片的电压传输特性曲线。并标出VT，VT-，ΔVT等值。参照给定的原理电路图，说明VT，VT-，·ΔVT等值和理论分析值是否一致？理论分析时，可假设肖特基三极管的VBES≈0.8V，VCES≈0.3V，肖特基二极管的正向...

一、实验目的进一步掌握施密特触发器的原理和特点，熟悉和了解由施密特触发器构成的部分应用电路，学会正确使用TTL，CMOS集成的施密特触发器。二、实验内容1．具有施密特性的门电路特性测试（1）74LS132芯片的特性测试图 20.1所示为74LS132芯片的原理电路和逻辑符号图。图20.1用实验法测出芯片的电压传输特性曲线。并标出VT，VT-，ΔVT等值。参照给定的原理电路图，说明VT，VT-，·ΔVT等值和理论分析值是否一致？理论分析时，可假设肖特基三极管的VBES≈0.8V，VCES≈0.3V，肖特基二极管的正向导通压降VD≈0.4V。（2）CMOSCD40106特性测试图20.2所示为CD40106芯片的原理电路的逻辑符号图。令VDD=5V，测出CD40106的VT，VT-·ΔVT值，画出相应的电压传输特性曲线。改变VDD值，使之分别为10V，-15V，重复上述内容。图20.22．施密性触发器的应用。（1）多谐振荡器按图20.3所示电路接线，VDD=-5V。(b)（a）图20.3用示波器观察图（a），图（b）电路输出端Vo的波形。选择电容C，使图（a）中Vo的频率f=100KHZ~150KHZ。选取图（b）电路中的电容C，令其分别为100PE和1μF，测出Vo端振荡波形的相应的频率。（2）压控振荡器按图20.4所示电路接线VDD=5V信号V1的变化范围为2.5~5.0V图20.4用示波器观察并记录 Vo端的波形。当V1取值分别为：2.5V、3V、3.5V、4.0V、4.5V、5V时测出Vo端波形相应的频率f。观察电路中元件参数的大小（如电阻R、电容C）和f有何关系？观察与非门的VT施密特触发器的VT、VT-和f有何关系？三、思考题1．施密特触发器电路的特点是什么？（图20.1）所示的原理电路是由哪几部分构成的？各部分的作用是什么？2．CMOS施密特触发器的VDD值的大小和芯片的VT、VT-、ΔVT参数有何关系？3．改变图20.1图（b）电路的VDD值时，Vo端的振荡频率是否会跟着变化？怎样变化？四、实验仪器及材料1．仪器：示波器2．材料：CMOS 芯片CD40106 具有施密特触发特性的反相器 1片CD4009 六缓冲器/转换器（反相） 1片TTL 芯片74LS132 具有施密特触发性的与非门 1片

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