东南大学2010年攻读硕士学位研究生入学考试试题科目:929半导体物理一、填空(24分,每空1分)本征si中掺入十的七次方每立方厘米的砷后,半导体是型的?再掺入十的六次方每立方cm的硼后半导体是型的?再掺入一定数量的金,金在半导体中的状态是。p型Ge中掺入施主杂质,费米能级(上升,下降)。半导体导带底位于k=0处,带顶位于?电场强度为E,带电量为q问从带底运动到带顶需要时间T=半导体电容分为;。反向偏压下去主要发挥作用的是。半导体中能量零点在【111】方向,导带底共有个?回旋共振实验B沿【100】方向,能观察到个吸收峰?二、名词解释(36分)有效质量的物理意义热载流子准费米能级扩散长度能带轮中的单电子近似空间电荷区三、推导与
分析
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题1.给了一幅图是重掺杂情况下迁移率随温度先上升后略下降。图中有AB两条曲线低温部分是分考的高温部分是重合的。问为什么分开,重合2.给了两幅图,(1)金属电阻率随温度上升而上升(2)杂质半导体电阻率随温度的变化关系;问金属和半导体电阻率随温度升高变化不同为什么?本质原因是什么?能带宽度与有效质量的关系,为什么空穴有效质量大于电子给出间接复合率公式,计算少子寿命给出能带图,化简寿命
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达式四、计算题1.画出正向偏压下,pn结的能带图。并估计出一个什么数值来着。2.t=0时刻以前对n型半导体进行均匀光照,产生率为G0,t=0时刻以后撤去光照。(题目中给出了载流子连续性方程6项的)。分别写出t=0时刻前后,空穴和电子浓度。3.—块半导体中,电子和空穴迁移率都是“miu”且浓度已知,已知kT和q求:(1)电导率;⑵扩散系数;⑶若用V伏电压通过边长为1cm的上述半导体,求通过的电流。