半导体激光治疗仪材料一、工作原理主要是通过半导体激光的生物刺激效应，促进细胞再生，改善血液循环，消炎止痛，减轻水肿，调节机体免疫功能（激光束对生物体可以产生光化作用、穴位刺激、热作用、磁效应）810nm，对深部组织病变有很好的疗效（近红外光谱）650nm，对浅层组织病变有很好的疗效（可见的红光光谱）激光辐射对皮肤、脂肪和肌肉组织及骨组织具有最大穿透能力的波长就处于红外光谱中。二、临床适应症1、疼痛科、骨伤科、理疗科、针炙科、推拿科（疼痛性疾患、炎症性疾患、创伤愈合性疾患）（可用于装有金属假体的患者，可在安装假体处直接治疗如关节置换、内置钢钉等）2、口腔科3、皮肤科4、妇科、儿科5、五官科6、泌尿系统疾病三、临床应用中的主要问题1、照射部位：痛点或痛区照射，创面直接照射，星状神经节照射，肌肉附着点照射、穴位照射，腔内痛病变处（如口腔、鼻腔、阴道等）直接照射。•2、激光光斑与照射面积的关系波长为650/810nm的半导体激光为近红外不可见光，探头发出的红光为指示灯。单管激光的光斑直径大约5mm，但并不意味着有效作用面积仅5mm，半导体激光的发散角比较大，当光束作用于组织时，会在组织内发生折射和漫反射，当光束垂直入射时，照射的有效面积大约为光斑的10倍，因此单管激光的有效照射面积大约为50mm左右。大面积复合光探头有7个发射激光能量的点，810nm3个，650nm4个，能产生多重光学效应，并呈现出由浅入深的总体治疗效应。3、探头选择与临床应用大探头（复合头、多个激光管列阵）用于治疗较大面积的疼痛及损伤。如：带状疱疹（还可同时预防和治疗疱疹后遗神经痛）、大面积软组织损伤及消除外伤性血肿；乳房切除术后导致的上臂水肿（淋巴回流受阻）等等。点照射探头（单管头：适用于疼痛部位较深（如梨状肌综合症X痛点明确的患位、穴位、神经根或特定神经干，以及面照射探头难以抵达的部位或特别是伤口的深层部位进行治疗时，使用单管探头直接对相关部位进行深部照射治疗，可取得理想的疗效。4、不同部位照射时的功率选择头颈部照射，连续输出功率一般在200-350mw之间;躯干及四肢部位照射，复合头一般在450-500mw之间，单头一般在350-450mw之间，腔内照射一般在250-350mw。（因结合病人的具体情）兄，功率做适当调整）5、不同方式照射时的功率选择接触性照射（如痛点或穴位照射）功率选择同上非接触性照射（如创面照射）探头一般距创面2-3cm，功率可适当加大50mw左右照射时间选择：穴位、痛点、痛区接触性照射，每穴（点）一般为3-5分钟，创面非接触性照射，时间可适当延长至8-10分钟。如按常规每点3-5分钟效果不佳，可延长至8-10分钟。具体操作时，应结合病人反应，不同疾病灵活掌握。一般每天每点照射1次，每次照射2-8个点不等，5-10天为一个疗程，慢性疾病可适当延长照射时间，两个疗程间歇4-5天。治疗频度：在治疗的早期，应每天进行激光辐射治疗，每天治疗可进行2次或3次，不会造成不利影响。如果病情好转，治疗频度可减少到每2天进行激光辐射或每周进行几次激光辐射。与此同时，应及时监控和评估疗效，调整治疗频度。6、激光疗法与其它疗法的组合治疗顺序激光疗法代
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一种理想的组合治疗，可与任何其它理疗方法同时使用手法治疗结合激光治疗时，手法之后再开始激光治疗。这样，激光的镇痛作用不至于干扰针对手法治疗的评估。超声透入疗法/超声波导入术结合激光治疗时，先行激光治疗，这样可避免与真皮上层的消炎因子发生不理想的反应，因为刚刚进行超声透入疗法后，真皮处的治疗因子可能非常高。冷冻疗法或其它热疗结合激光治疗的次序冷冻疗法一激光治疗一热疗如果进行冷冻疗法后再进行激光辐射，可因冷冻疗法引起的表层组织血管收缩，减少治疗部位的血流量，从而增强激光治疗的作用，有效增加激光辐射的穿透深度。相反，如果在激光辐射前使用某种使组织极大受热的治疗方法，则激光辐射的穿透深度和激光治疗的局部作用就将削弱。7、探头的使用及其与治疗部位的关系根据接受治疗的皮肤和/或粘膜组织有无开放性伤口，分为接解性，非接触性。接触性照射能使功率和能量密度最大化，减少反射。其它对激光治疗的成功起决定作用的因素是治疗的角度。应使激光探头输出的辐射最定向接近病变组织部位。对于更大病变部分的治疗，如较大的血肿或肌肉撕裂，则可采用治疗开放性伤口的画网格方式进行治疗，要注意在整个治疗部位上以稳定、恒定的速度移动治疗探头8、禁忌症：勿将激光探头直射眼睛勿照射孕妇腰腹部对光过敏及有出血性疾病者禁用月经期勿在盆腔部位照射新生儿、婴儿禁用晚期癌症病人止痛需在医生指导下进行四、半导体激光与其它理疗相比治疗时间短，每点仅3-5分钟，疗程短，平均仅4次，疗效快，治疗1-2次疼痛即明显减轻。低功率激光的临床应用已有近30年历史，但所采用的激光源为He-Na激光，功率一般在20mw以下，病人每天照射1次，每个疗程10-15次不等，所需治疗时间较长，穿透深度浅。半导体激光穿透深度比NdiYAG激光约深1.3倍，比He-Na激光约深2倍，比氩激光约深5倍，可深入皮下5-7cm。大功率半导体激光光针可治疗所有能用经络针炙治疗的急慢性疾病，能产生针炙效应。④
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