静态ＭＯＳ存储器１．大体存储元（1）六管静态ＭＯＳ存储元A、电路图：由两个ＭＯＳ反相器交叉耦合而成的双稳态触发器。B、存储元的工作原理：假设：Ｔ管导通，Ｔ管截止：存0；01Ｔ管截至，Ｔ管导通：存；011说明：MOS管有三极，若是栅极为高电平，那么源极和漏极导通。若是栅极为低电平，那么源极和漏极截至。①写操作。在字线上加一个正电压的字脉冲，使Ｔ、Ｔ管23导通。假设要写“０”，不管该位存储元电路原存何种状态，只需使写“０”的位线ＢＳ电压降为地电位（加负电压的位脉冲），0经导通的Ｔ管，迫使节点Ａ的电位等于地电位，就能够使Ｔ管21截止而Ｔ管导通。0写入１，只需使写１的位线ＢＳ降为地电位，经导通的Ｔ13管传给节点Ｂ，迫使Ｔ管截止而Ｔ管导通。01写入进程是字线上的字脉冲和位线上的位脉冲相重合的操作进程。②读操作。只需字线上加高电位的字脉冲，使Ｔ、Ｔ管导23通，把节点Ａ、Ｂ别离连到位线。假设该位存储电路原存“０”，节点Ａ是低电位，经一外加负载而接在位线ＢＳ上的外加电0源，就会产生一个流入ＢＳ线的小电流（流向节点Ａ经Ｔ导0０通管入地）。“０”位线上ＢＳ就从平常的高电位Ｖ下降一个0很小的电压，经差动放大器检测出“０”信号。假设该位原存“１”，就会在“１”位线ＢＳ中流入电流，1在ＢＳ位线上产生电压降，经差动放大器检测出读“１”信号。1字线V位/读出线位/读出线BS0BS1AT4T5B读/写”0”读/写”1”T2T3T0T16管MOS存储电路读出进程中，位线变成了读出线。读取信息不阻碍触发器原先状态，故读出是非破坏性的读出。③假设字线不加正脉冲，说明此存储元没有选中，Ｔ，Ｔ管23截止，Ａ、Ｂ结点与位／读出线隔离，存储元存储并保留原存信息。（2）８管静态ＭＯＳ存储元A、目的：地址的双重译码选择，字线分为Ｘ选择线与Ｙ选择线B、实现：需要在６管ＭＯＳ存储元的Ａ、Ｂ节点与位线上再加一对地址选择操纵管Ｔ、Ｔ，形成了８管ＭＯ78Ｓ存储元。X选择线V位/读出线位/读出线BS0T5T6BS1T2T3读/写”0”读/写”1”T7T8T0T1Y选择线8管MOS存储电路（3）6管双向选择ＭＯＳ存储元８管ＭＯＳ存储元改良：在纵向一列上的６管存储元共用一对Ｙ选择操纵管Ｔ、Ｔ如此存储体管子增加不多，但仍是67，双向地址译码选择，因为对Ｙ选择线选中的一列只是一对操纵管接通，只有Ｘ选择线也被选中，该位才被重合选中。X选择线V位/读出线位/读出线BS0BS1AT4T5B读/写”0”读/写”1”T2T3T0T1T6T7I/OY选择线I/O6管双向选择MOS存储电路２．ＲＡＭ结构与地址译码①字结构或单译码方式BS0BS1FFFW0FFF地址A0字线6FFFF…FFA1W1：A21：A3FFFW15FFF读读读读选通写选通b7b1b0读出写入写入读出写入读出字结构或单译码方式的RAM（1）结构：(A)存储容量Ｍ=Ｗ行×b列；(B)阵列的每一行对应一个字，有一根公用的字选择线Ｗ；每一列对应字线中的一名，有两根公用的位线ＢＳ与(C)0ＢＳ。1(D)存储器的地址不分组，只用一组地址译码器。（2）示用意：１６×８的字结构单译码方式的存储器。（3）字结构是2度存储器：只需利用具有两个功能端的大体存储电路：字线和位线（4）优势：结构简单，速度快：适用于小容量M缺点：外围电路多、本钱昂贵，结构不合理结构。②位结构或双译码方式（1）结构：(A)容量：Ｎ（字）×b（位）的ＲＡＭ，把每一个字的同一名组织在一个存储片上，每片是Ｎ×１；再把b片并列连接，组成一个Ｎ×b的存储体，就组成一个位结构的存储器。(B)在每一个Ｎ×１存储片中，字数Ｎ被看成大体存储电路的个数。假设把Ｎ＝２n个大体存储电路排列成Ｎx行与Ｎy列的存储阵列，把ＣＰＵ送来的n位选择地址按行和列两个方向划分成nx和ny两组，经行和列方向译码器，别离选择驱动行线Ｘ与列线Ｙ。X1A0A1A2址A3A4X64A566Y1Y64Y地址译码A6A7A8A9A10A11位结构、双译码方式的RAM(C)采纳双译码结构，能够减少选择线的数量。（2）示用意：（3）三度存储器：三个功能端（4）优：驱动电路节省，结构合理，适用于大容量存储器。③字段结构（1）结构：存储容量Ｗ（字）×（位），Ｗ：分段Ｗ（Ｗ(A)b>>bp=／Ｓ）*Ｓb(B)字线分为两维结构：A0A1译存储阵列码Wp×Sb器b位b位……段1段2段SAn1-11Sb对位/读出线列I/O电路读/写b根段译码器，从2n2=S段中取1（共n位〕2An1An-1字段结构RAM（C）位线有Ｓb对（D）双地址译码器（2）示用意：（3）三度结构（4）优：对字结构存储器的改良与提高，结构合理，适用于大容量存储器。
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