半导体物理-第四章-载流子的输运现象

半导体物理-第四章-载流子的输运现象在半导体中电子和空穴的净流动产生电流，把载流子的这种运动称为输运。本章介绍半导体晶体中两种基本输运机制：1、漂移运动：由电场引起的载流子运动。2、扩散运动：由浓度梯度引起的载流子运动。此外半导体的温度梯度也引起载流子的运动，但是由于半导体器件尺寸越来越小，这一效应可以忽略。学习的目的：最终确定半导体器件I-V特性的基础。本章所作的假设：虽然输运过程中电子和空穴净流动，但是热平衡状态不受到干扰。第一页，共23页。4.1载流子的漂移运动一、电导微观理论（刘恩科书p106）单位:西门子/米1S=1A/V=1/Ω第二页，共...

在半导体中电子和空穴的净流动产生电流，把载流子的这种运动称为输运。本章介绍半导体晶体中两种基本输运机制：1、漂移运动：由电场引起的载流子运动。2、扩散运动：由浓度梯度引起的载流子运动。此外半导体的温度梯度也引起载流子的运动，但是由于半导体器件尺寸越来越小，这一效应可以忽略。学习的目的：最终确定半导体器件I-V特性的基础。本章所作的假设：虽然输运过程中电子和空穴净流动，但是热平衡状态不受到干扰。第一页，共23页。4.1载流子的漂移运动一、电导微观理论（刘恩科书p106）单位:西门子/米1S=1A/V=1/Ω第二页，共23页。第三页，共23页。二、半导体的电导率和迁移率第四页，共23页。一、4.2载流子的散射第五页，共23页。1、第六页，共23页。第七页，共23页。第八页，共23页。二、第九页，共23页。第十页，共23页。第十一页，共23页。第十二页，共23页。小结：第十三页，共23页。4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系一、第十四页，共23页。第十五页，共23页。第十六页，共23页。二、第十七页，共23页。第十八页，共23页。4.4强电场下的输运一、欧姆定律的偏离和热载流子第十九页，共23页。第二十页，共23页。第二十一页，共23页。第二十二页，共23页。第二十三页，共23页。

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