晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容晶闸管何控硅）两端为什么并联电阻和电客征实际品闸诗何控硅）电路中•常在其两端并联RC串联网络.该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道.晶闸管（町控硅）有一个重要特性砂数一断态电压临界上升率dlv/dlt.PN结组成。在品闸管何拧硅）处于阻断状态卜••因各层相距很近.其J2结结面相当于-•个电容CO.当品闸诗何拧硅）阳极电压变化时•便会有充电电流滾过电容C0・并通过J3结.这个电流起了门极触发电流作用。如果品闸骨（吋控硅）在关断时.阳极电压上升速度太快.则CO的充电电流越从就有町能适成门极在没有触发信号的悄况卜••品的管（町控硅｝谋导通现做•即貳说的换开通.这足不允许的。因此.对加到品伸】管（对控硅｝上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电圧上升率过人.确保品傅管何控硅｝安全运行.常在品闸管何控硅）两端并联RC阻容吸收网络・利用电容两端电压不能突变的持性来限制电压上升率。因为电路总足存在电感的（变压器弼感或负较电创.所以与电客C串联电阻R町起阻尼作用•它吋以防止R・L、C电路在过渡过程中.因振荡在电容器两端出现的过电圧损坏品闸管（町控硅｝•同时.避免电客器通过品闸管（对控硅）放电电流过人.适成过电流而捞坏品闸管（对控硅）°由干品闸官（对控硅）过流过压能力很歪.如果不采取町兼的保护描施是不能正空工作的。RC阻容吸收网络就足常用的保护
方法
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之一。整流晶闸管（可控硅）阻容吸收元件的选择电容的选择:C=（2.5-5）x10的负8次方Zflf=0.367ldId•宜滅电流值如果整流侧采用500A的品闸诗何控硅）可以计算C=（2.5-5）x10的员8次方x500=1.25-2.5mF选用2.5mF・1kv的电容器电阻的选择:R=（（2-4）x535）/lf=2.14-8.56选择10欧PR=（1.5x（pfvx2TTfc）lVj平方"0的负12次方其R”2Pfv=2u（1.5-2.0）三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中.RC的时间常数一般情况卜取1-10^秒。小功率员拔通常取2隹抄左右.R=220欧螂弭W.C=0.01做浓/40S630V/。人功率皱截通常取10临秒.R=1OIW1OW・C=1SSiA7630-1000V.,R的选収：小功率选金朋膜或RX21线绕或水泥电阻：人功率选RX21线绕或水泥电阻•C的选］（X：CBB系夕ij相应耐压的无极性电容器。符保护对盘來区分：按触器线昭的阻尼吸收和小十10A电流的町控口的31尼吸收列入小功率范叭接触器触点和Af10A以t:的町控时的阻尼吸收列入人功率范臥（注：文档可能无法思考全面，请浏览后下载，供参考。可复制、编制，期待你的好评与关注）
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