台湾显示书籍

OLED有機電激發光材料與元件 作　　者﹕陈金鑫 出版日期﹕2006年1 月 18 日 总页数﹕408页 作者简介： ●陈金鑫现职：台湾国立交通大学显示科技研究所及电子信息中心教授及OLED材料与组件研究实验室主任学历：美国俄克拉荷马州立大学有机化学博士经历：美国州立俄亥俄大学博士后研究员美国哈佛大学博士后研究员美国柯达公司 ●黄孝文现职：台湾国立交通大学电子信息中心OLED材料与组件研究实验室博士后研究员学历：台湾国立成功大学化学工程博士 概述：本书可分为五个单元，分别为技术介绍、基础知识、小分子材料、组件与面板制程等。有关OLED科技最新的、最可靠的信息，包括基础知识、材料化学、组件物理、光电效应、驱动电路、封装结构、老化机制、制程设备，甚至市场动态，作者都用深入浅出的教学方法，「系统化」的整理，明确的诠释，生动的讲解，呈现给大家。另外，作者在内容中提出了许多启发性的问题，同时也给喜爱研发的读者们建议一些未来钻研的课题。 目录：第一章　有机发光二极管显示技术简介第二章　有机发光二极管的基础知识第三章　电荷注入与传递材料第四章　萤光发光材料第五章　磷光发光材料第六章　有机发光二极管的效率第七章　OLED寿命第八章　OLED的组件 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 第九章　OLED显示器 白光发光二极管使用萤光粉专利解析 作者：刘如熹 林益山 康佳正 368页 本书特色 1.本书介绍具省电、低污染、长寿命等优点之白光发光二极管， 白光LED已是现代照明主要发展趋势。 2.对白光LED提供相关产业专利解析。 3.详细介绍白光LED重要性及其未来展望。 ■ 内容简介 本书作者多年致力于白光发光二极管之发展，整理自1993年后白光发光二极管使用萤光粉重要专利。第一章除了白光LED简介，也谈到其未来展望及专利的重要性。第二章整理了白光LED产业现况各项专利，参考自财团法人光电科技工业协进会、2004 Phosphor Global Summit、工业技术研究院及国内外厂商等单位研究人员、 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 专家所公开发表报告。第三章将白光LED使用萤光粉专利年代整理出来。本书适合照明设计从事人员及有兴趣的人士阅读使用。 ■ 目录 第1章　白光LED之发展与专利分析之重要性1-1 1-1　白光LED简介与其未来展望1-1 1-2　专利分析之重要性1-8 1-3　白光LED用萤光粉原理简介1-10 第2章　白光LED用萤光专利整理2-1 2-1　Nichia2-3 2-2　Osram2-51 2-3　Gen Electric (GE)与Gelcore2-98 2-4　Lumileds2-240 第3章　白光LED用萤光粉专利年代整理3-1 第4章　结　论4-1   书名：平面面板显示器基本概论 编着：顾鸿寿?周本达?陈密?张德安 　　　樊雨心?周宜衡 页数：454页 发行日期：2004.09(二版修订) 定价：300元 § 第一章　平面面板显示器的种类、市场、技术及其应用 § 第二章　彩色映像管与彩色显示管的基本原理及制程技术 § 第三章　STN液晶平面显示器的制程技术及模块技术 § 第四章　非晶硅薄膜晶体管液晶平面显示器的制程技术及模块技术 § 第五章　低温多晶硅薄膜晶体管液晶平面显示器的制程技术及模块技术 § 第六章　铟锡氧化物透明导电薄膜的制程技术及其应用 § 第七章　彩色滤光片的制程技术、特性及其应用 § 第八章　玻璃基板的种类、特性、制程技术及其应用 § 第九章　液晶材料的种类、特性及其应用 § 第十章　背光板和偏光板的种类、材料、结构及其特性 § 第十一章　电浆平面显示器的制程技术及其应用 § 第十二章　场发射平面显示器的制程技术及其应用 § 第十三章　有机电激发光显示器的制程技术及其应用 § 附录 § 英中文索引 书　　名﹕光电液晶平面显示器技术基础及应用 作　　者﹕顾鸿寿 出版日期﹕2004 年 3 月 20 日 定　　价﹕300元 总页数﹕532 页 本书的主要内容如下：先由液晶平面显示器的发展历史、应用及种类开始，再就其驱动应用技术说明基本的动作原理；其次，说明其液晶材料的种类以及相关的物理特性，而其主要构成零组件之材料特性也将详细地列述，以便能够容易了解整个液晶平面显示器的组成部分以及其功能。至于，彩色滤光片技术是与薄膜晶体管制程相异的另一项重要的制程技术，在此则独立成一个章节详述其原理、制程、特性以及其未来的发展趋势。再其次，就薄膜晶体管制程中，有关之制程、设备以及检测技术予以讨论和说明。最后，将就新世代的液晶平面显示器一有机电激发光显示器(OLED)，以及与液晶有关之环境保护、安全以及回收再生化技术等二项新议题列述本书的内容之一。　　光电液晶平面显示器技术的基础及其应用是专为初学者，而撰写的一本科技性教材用书，并柔合一般薄膜晶体管液晶平面显示器的相关专业书籍的精华、期刊杂志摘要文章以及欧美的专业书籍和论文等编集而成，以及作为一般液晶平面显示器制造公司之工程师的参考性工具用书。可作为有心从事液晶平面显示器技术相关议题研究者、工程师、在学大学生以及研究生参考之用 第1章 液晶平面显示器的技术发展现况以及厂商动态第二章　液晶平面显示器的种类第三章　液晶平面显示器的驱动原理以及其技术第四章　液晶材料的种类及其物性第五章　液晶平面显示器的零组件及其材料第六章　彩色滤光片及其色彩显示第七章　液晶平面显示器的制造技术及其制程设备第八章　液晶平面显示器的检测技术第九章　有机电激发光显示器之材料及其制程技术第十章　液晶平面显示器技术之环境、安全和再生化技术 平面显示器的关键组件及材料技术 作(译)者：赵中兴 出版日：2004/8/3   胶装 248页20 K 价格：180元 ■ 本书特色 1.本书介绍了各种最新平面显示器之原理与应用。 2.成为所谓”次世代的平面显示器”究竟有何特点与吸引力？皆可在本书一窥究竟。 3.显示器产业是继IC半导体产业之后最热门之新兴技术，是值得一读的内容。 ■ 内容简介 本书介绍了各种最新平面显示器之历史、动作原理、构造和种类，及其应用技术、主要构成之组件和材料，而成为所谓「次世代的平面显示器」究竟有哪些特点与吸引力？其为目前显示器产业最热门之话题，也是继IC半导体产业后最热门之新兴技术，值得一读，本书内容有：平面显示器FPD的最新动向、液晶显示器LCD的制造流程与其关键零组件、液晶显示器的发展过程与现况、有机EL(OLED)、PDP的市场、技术动向与电子纸张、快速发展中的韩国、台湾、中国大陆、液晶产业的全球化分工趋势与日本制造的比例，本书适合对平面显示器有兴趣之业界及社会人士。 ■ 目录 第1章　平面显示器FPD的最新动向1-1 1、液晶显示器(LCD)1-2 2、大型液晶显示器与其它平面显示器1-21 3、期待从小型面积商品化的有机EL与不可轻忽 　的无机EL1-25 4、日本、美国所主导开发的电子纸张1-31 第2章　液晶显示器LCD的制造流程与其关键零组件2-1 1、LCD制造流程2-2 2、结构组件与材料2-13 3、手机与大型监视器的成本结构2-66 第3章　液晶显示器的发展过程与现况3-1 1、液晶显示器的发展过程3-2 2、LCD的市场与关键组件材料技术3-7 3、与信赖性有关的部分3-21 第4章　有机EL(OLED)、PDP的市场、技术动 向与电子纸张4-1 1、有机电激发光显示器EL(OLED)4-3 2、电浆显示器(PDP)4-20 3、电子纸张(electricalpaper)4-34 第5章　快速发展中的韩国、台湾、中国大陆 第6章　液晶产业的全球化分工趋势与日本制造   薄膜光学与镀膜技术(第四版) 作者简介 ◎李正中/现任国立中央大学光电科学研究所教授。学历：成功大学物理学系学士、成功大学物理所硕士、亚利桑那大学光学博士。专长：薄膜光学、真空镀膜技术、光学薄膜特性之测量、干涉光学 内容简介   光学薄膜是指在光学组件上或独立基板上镀上一层或多层之介电质膜或金属膜或介电质膜与金属膜组成之膜堆来改变光波传递的特性。所以薄膜光学这一门科学，即在研究光波在这些薄膜中行进的现象与原理。包括光的透射、反射、吸收、散射、偏振及相位变化等，进而设计及制造各种单层及多层之光学薄膜来达到科学与工程上的应用。本书原为授课之 讲义 氰化物测定慧律法师六祖坛经3集35控烟知识讲座讲义宋大叔教音乐完整讲义华为财务bp ，因随着科技的进展必须补充新的教材，故在第二版出版不到一年的时间，立即增添新内容，增订第三版，内容详实和更新速度最适合专业人士和学生研读。   序言   随着光电科技的发展，光学薄膜的应用越来越不可或缺，而且品质上的要求也越来越高。有感于光电科技之发展极为快速，学校训练出来的学生人数不敷研究单位及工业界所需，因此友人建议作者将过去之讲义及讲稿整理成此书，希望更多人从此书直接获习所需的知识。这也是编写此书最主要的目的。   目次   第一章 引言//第二章 基本理论//第三章 光学薄膜设计之图标法//第四章 分光镜//第五章 高反射镜//第六章 截止滤光片//第七章 带止滤光片//第八章 带通滤光片//第九章 斜向入射薄膜//第十章 光学薄膜的制镀方法//第十一章 光学薄膜之特性与制镀技术的改进//第十二章 薄膜厚度之均匀性及镀膜厚度之监控//第十三章 光学薄膜特性的量测//第十四章 光学薄膜材料//第十五章 紫外光及X-光波域之光学薄膜//第十六章 光学滤光片制镀范例//     LTPS低温复晶硅显示器技术 作(译)者：陈志强 出版日：2004/6/29 胶装 416页 价格：220元 本书特色 1.LTPS低温复晶硅显示器技术是一本LTPS的入门书。 2.本书分成三大部分： 第一部份介绍LTPS结构 第二部份介绍LTPS技术开发与现况 第三部份介绍下世代显示技术开发。 3.作者以浅显易懂之辞句，将LTPS原理与应用完整呈现。 ■ 内容简介 　　本书为一本LTPS的入门书，分成三大部分：第一部份介绍LTPS结构，第二部份介绍LTPS技术开发与现况，第三部份介绍下世代显示技术开发，作者以浅显易懂之辞句，将LTPS原理与应用完整呈现，本书内容有：低温复晶硅简介、特性、结构、可靠度、LTPS氧化层技术、成膜技术、离子植入技术、低温复晶硅面版开发现况、低耗电显示技术、大面积低温复晶硅之挑战、主动式有机电激发光显示技术、可挠曲低温复晶硅显示技术等，适合对LTPS低温复晶硅显示器技术有兴趣之社会人士使用。 ■ 目录 第1章　诸论-低温复晶硅的世代 1.1　前　言1-1 1.2　平面显示器之分类1-1 1.3　低温复晶硅开发历史1-4 1.4　低温复晶硅之优势1-6 1.4.1　高分辨率与高开口率1-8 1.4.2　电磁干扰1-11 1.4.3　周边驱动IC1-12 1.4.4　低功率消耗1-16 1.4.5　窄框化与高积集度1-17 第2章　低温复晶硅特性与结构 2.1　前　言2-1 2.2　LTPS薄膜晶体管之特性2-1 2.2.1　特性曲线2-2 2.2.2　等效载子移动率2-3 2.2.3　临界电压2-5 2.2.4　次临界摆幅2-7 2.2.5　漏电流2-7 2.3　低温复晶硅画素之结构2-10 2.3.1　八道光罩之下部闸极流程2-15 2.3.2　九道光罩之上部闸极流程2-17 2.3.3　五道光罩之上部闸极流程2-20 2.3.4　内建电路架构2-22 第3章　低温复晶硅之可靠度 3.1　前　言3-1 3.2　LTPS组件可靠度3-1 3.2.1　热载子效应3-2 3.2.2　动态可靠度测试3-4 3.2.3　短信道效应3-6 3.2.4　窄宽度效应3-8 3.2.5　驼峰效应3-9 3.2.6　扭曲效应3-11 3.2.7　自发热效应3-13 3.2.8　低频噪声特性3-16 3.2.9　辐射效应3-18 3.3　LTPS数组可靠度3-20 3.3.1　静电放电伤害3-20 3.3.2　环境与制程之ESD防护3-23 3.3.3　数组与内建电路之防护3-23 3.4　数组测试3-27 3.4.1　接触式测试3-28 3.4.2　非接触式测试3-30 3.4.3　数组修补3-31 第4章　LTPS氧化层技术 4.1　前　言4-1 4.2　玻璃基板4-1 4.2.1　玻璃种类4-4 4.2.2　玻璃特性4-6 4.3　缓冲层4-10 4.4　闸极界电层4-13 4.4.1　氧化硅层4-13 4.4.2　氮化硅层4-16 4.4.3　其它闸极氧化层4-17 4.4.4　表面粗糙度4-19 4.4.5　洁净技术4-21 4.5　层间界电层4-23 4.5.1　上部透明导电电极结构4-24 4.5.2　平坦化制程4-26 4.5.3　氢化制程4-31 第5章　LTPS复晶硅成膜技术 5.1　前　言5-1 5.2　直接沉积型复晶硅5-2 5.2.1　触媒式化学气相沉积5-4 5.2.2　硅溅镀制程5-5 5.3　再结晶型复晶硅5-6 5.3.1　固相结晶5-6 5.3.2　金属引发侧向结晶法5-7 5.3.3　准分子雷射结晶5-10 5.4　雷射结晶系统5-13 5.4.1　准分子雷射源5-14 5.4.2　光学与基板承载系统5-14 5.5　复晶硅成膜机制5-15 5.5.1　部份融熔区5-17 5.5.2　接近完全融熔区5-19 5.5.3　完全融熔区5-19 5.6　结晶品质提升5-19 5.6.1　重叠照射5-20 5.6.2　非晶硅厚度5-22 5.6.3　抗反射层5-23 5.6.4　结晶气份与温度5-23 5.6.5　分析工具5-24 5.7　下一代复晶硅技术5-27 5.7.1　循序性侧向结晶5-28 5.7.2　固态雷射结晶5-29 5.7.3　连续波雷射横向结晶5-33 5.7.4　选择性扩大雷射结晶5-34 5.7.5　连续硅晶界5-35 第6章　LTPS离子植入技术 6.1　前　言6-1 6.2　显示器用植入系统6-1 6.2.1　质量分析式离子植入6-2 6.2.2　离子云式植入机6-4 6.2.3　电浆植入与固态扩散式6-6 6.3　汲极与源极端掺杂6-7 6.3.1　氢含量因素6-11 6.3.2　反极性植入6-14 6.3.3　交互污染6-14 6.3.4　光阻碳化效应6-14 6.4　轻掺杂汲极端6-16 6.4.1　高能量植入6-21 6.4.2　低电流植入6-21 6.5　信道掺杂6-22 6.6　离子活化制程6-24 6.6.1　雷射活化法6-25 6.6.2　快速加热活化法6-28 6.6.3　高温热炉管活化法与自我活化法6-30 第7章　低温复晶硅面板开发现况 7.1　前　言7-1 7.2　日本低温复晶硅之开发7-1 7.2.1　东芝(Toshiba)7-2 7.2.2　松下(Matsushita)7-6 7.2.3　三洋(Sanyo)7-9 7.2.4　新力(Sony)7-13 7.2.5　夏普(Sharp)7-17 7.2.6　精工爱普生(Seiko-Epson)7-20 7.2.7　富士通(Fujitsu)7-22 7.2.8　日立(Hitachi)7-26 7.2.9　日本电器(NEC)7-28 7.2.10　三菱(Mitsubishi)7-31 7.3　韩国低温复晶硅之开发7-34 7.3.1　LG-Philips7-34 7.3.2　Samsung7-38 7.4　台湾低温复晶硅之开发7-41 第8章　低耗电显示技术 8.1　前　言8-1 8.2　功率消耗8-1 8.3　薄膜二极管显示器8-2 8.3.1　MIM二极管的原理与结构8-3 8.3.2　TFD二极管的原理与结构8-6 8.3.3　二极管面板的驱动方式8-9 8.4　反射式液晶显示器8-11 8.4.1　反射板设计8-12 8.4.2　外部补偿设计8-14 8.4.3　其它反射式显示面板8-15 8.5　半透式液晶显示器8-16 8.5.1　比例设计8-16 8.5.2　彩色滤光片设计8-17 8.5.3　背光与组装模块8-20 8.6　省电设计8-23 8.6.1　内藏SRAM8-25 8.6.2　内藏DRAM8-28 第9章　大面积低温复晶硅之挑战 9.1　前　言9-1 9.2　大面积玻璃基板9-1 9.2.1　电阻-电容时间延迟9-4 9.2.2　无接缝技术9-6 9.3　前段数组制程9-7 9.3.1　低阻值导线技术9-8 9.3.2　微影制程9-11 9.3.3　蚀刻制程9-14 9.4　后段液晶模块9-17 9.4.1　液晶滴下法9-17 9.4.2　整合式黑色矩阵9-17 9.4.3　整合式间隔体9-18 9.4.4　整合式彩色滤光片9-20 9.4.5　背光模块9-26 9.4.6　广视角9-27 9.5　画面驱动系统9-28 9.5.1　Overdrive驱动9-29 9.5.2　背光源驱动9-31 9.6　大面积主动式平面影像传感器9-31 9.6.1　数字X光摄像技术9-34 9.6.2　间接式检测9-35 9.6.3　直接式检测9-37 9.6.4　讯号储存与读取电路9-38 第10章　主动式有机电激发光显示技术 10.1　前　言10-1 10.2　AMOEL的历史10-1 10.3　AMOEL驱动方式10-3 10.3.1　被动式OEL10-4 10.3.2　低温复晶硅AMOEL10-6 10.3.3　非晶硅AMOEL10-7 10.3.4　单晶硅AMOEL10-8 10.4　AMOEL彩色化与制造流程10-9 10.4.1　热蒸镀法10-10 10.4.2　旋转涂布法10-14 10.4.3　喷墨印刷法10-14 10.4.4　彩色滤光片10-16 10.4.5　色转换法10-16 10.5　阴阳电极特性10-17 10.5.1　阳极材质10-18 10.5.2　表面处理10-20 10.5.3　底层表面形态10-22 10.6　OEL面板可靠性10-22 10.6.1　封装技术10-23 10.6.2　干燥材质10-24 10.7　有机发光二极管驱动设计10-25 10.7.1　下部发光型画素10-26 10.7.2　上部发光型画素10-29 10.7.3　模拟驱动设计10-31 10.7.4　数字驱动设计10-34 第11章　可挠曲低温复晶硅显示技术 11.1　前　言11-1 11.2　玻璃基板之限制11-1 11.2.1　塑料基板特性11-2 11.2.2　基板形变11-5 11.2.3　可挠曲之显示媒介11-7 11.3　可挠曲主动组件11-9 11.3.1　薄膜二极管11-11 11.3.2　非晶硅晶体管11-11 11.3.3　有机薄膜晶体管11-13 11.4　可挠曲之低温复晶硅11-15 11.4.1　低温缓冲层11-17 11.4.2　复晶硅形成11-19 11.4.3　低温氧化层11-22 11.4.4　离子植入与活化11-24 11.4.5　低温透明导电电极11-26 11.5　塑料基板转贴技术11-30 11.5.1　SUFTLA转贴技术11-30 11.5.2　基板蚀刻与塑料贴合技术11-32 11.5.3　流动式自行组装11-33 第12章　低温复晶硅的未来 12.1　低温复晶硅技术蓝图12-1 12.2　低温复晶硅之挑战12-4 12.3　结　语12-6 附录 彩色液晶显示器  作者:卓圣鹏价格：152元出版日：2002/11/1 胶装 304页 ■ 内容简介本书是介绍将成为21世纪「工业之纸」的液晶显示器之历史、动作原理、构造和种类、及其应用技术、主要构成组件和材料。彩色液晶显示器除了能满足人类视觉之享受及省空间外，亦为目前最热门之话题，也是继IC产业后之新兴产业。可由此书中得到彩色液晶显示器之液晶动作原理、液晶显示器之构造和应用技术及其主要构成构件材料等相关知识。  ■ 目录 第1章　液晶显示器之历史1-1 第2章　液晶之动作原理2-1 第3章　液晶显示器之构成和种类3-1 3.1　液晶显示器之结构和特征3-1 3.2　液晶显示器之显示方式和种类3-2 3.2.1　直视型显示方式3-3 3.2.2　投射型显示方式3-6 3.3　驱动方式3-9 3.3.1　静态驱动3-9 3.3.2　单纯数组驱动3-10 3.3.3　主动数组驱动3-12 3.3.4　光束扫描驱动3-13 第4章　实际之液晶显示器4-1 4.1　单纯数组型4-1 4.1.1　前　言4-1 4.1.2　TN、STN单元之制程4-2 4.1.3　驱动方法4-3 4.1.4　STN之最近技术动向4-11 4.1.5　强感电性液晶4-14 4.1.6　反强感电性液晶4-18 4.2　使用MIM组件之主动数组型4-19 4.2.1　MIM(TFD)组件之结构与特征4-19 4.2.2　MIM-LCD之制程4-22 4.2.3　MIM-LCD之驱动方法4-25 4.2.4　MIM-LCD之课题与展望4-27 4.3　使用TFT组件之主动数组型4-29 4.3.1　TFT之基本结构及动作4-31 4.3.2　TFT之种类及特性4-33 4.3.3　像素结构与像素动作4-47 4.3.4　制　程4-54 4.3.5　TFT-LCD之大型及高精细化4-61 4.3.6　结　语4-66 第5章　液晶显示器之应用技术5-1 5.1　监视器和个人计算机5-1 5.1.1　广角化技术5-2 5.1.2　高速动作技术5-9 5.1.3　超高精细及大画面技术5-10 5.2　反射型5-14 5.2.1　反射型之必要性5-14 5.2.2　透射型与反射型之利弊5-15 5.2.3　反射型模式之分类与比较5-16 5.2.4　控制表面形状之散射性反射板5-21 5.2.5　使用前方散射膜之反射型组件5-22 5.2.6　白纸般显示5-24 5.3　投射型5-24 5.3.1　投射方式与原理5-25 5.3.2　效率与高亮度化手法5-28 5.4　头盔式显示器5-32 5.5　3次元显示器5-35 5.6　大型直视电视5-39 第6章　彩色液晶显示器之主要构成组件及材料6-1 6.1　玻璃基板6-1 6.1.1　玻璃基板之种类及制造方法6-1 6.1.2　玻璃基板之特性6-3 6.1.3　玻璃基板之技术动向6-5 6.2　液晶材料及配向膜材料6-6 6.2.1　液晶材料6-6 6.2.2　配向膜材料6-17 6.3　光学薄膜6-23 6.3.1　前　言6-23 6.3.2　偏光板6-25 6.3.3　相位差板6-29 6.3.4　结　语6-31 6.4　彩色滤光片6-32 6.4.1　前　言6-32 6.4.2　彩色滤光片之基本构成6-32 6.4.3　彩色滤光片之制造方法6-35 6.4.4　结　语6-44 6.5　背　光6-44 6.5.1　LCD与背光6-44 6.5.2　背光之构成组件6-45 6.6　TFT-LCD之驱动方法与驱动器/控制器6-50 6.6.1　前　言6-50 6.6.2　基本之驱动系统6-51 6.6.3　驱动波形6-56 6.6.4　闸极驱动器之构造6-61 6.6.5　数据驱动器之构造6-62 6.6.6　典型之液晶驱动电压6-67 6.6.7　像素电压之极性排列6-67 6.6.8　从理想状态来修正6-68 6.6.9　多灰阶驱动器6-72 6.6.10　模拟驱动系统6-72 6.6.11　模拟界面6-73 6.6.12　界面信号6-74 6.6.13　驱动器之安装方法6-74 半导体发光二极管及固体照明 作(译)者：史光国 368页 ■ 本书特色 1.书中收集所有重要有关白光LED之制造方法，以及做固体照明所需要的资料。 2.本书有系统地介绍固体照明，其内容详细丰富，可帮助固体照明研发者参考之用。 ■ 内容简介 固体照明用白光发光二极管可以节省能源减少污染而且体积小寿命长，已获得全世界之重视，中美日韩以及欧洲等区均积极参与研发工作。本书收集所有有关白光LED之制造方法，以及做固体照明所需要的重要资料，且有系统地介绍固体照明，其内容详细丰富，可帮助固体照明研发者参考之用。内容包括：固体照明简介、发光二极管光取出原理及方法、高功率红光发光二极管、高功率蓝光及绿光发光二极管、高功率紫外线及紫光发光二极管、白光发光二极管及萤光粉、封装简介及固体照明发展趋势及展望等。本书非常适合固体照明之研发人员。 ■ 目录 第1章　固体照明简介 1.1　照明技术之演进1-1 1.2　半导体发光二极管之基本原理1-9 1.3　照明技术基本参数1-18 1.4　高亮度发光二极管之应用1-30 参考资料1-31 第2章　发光二极管光取出原理及方法 2.1　发光二极管光取出原理2-1 2.2　增加光取出之方法2-7 2.2.1　增加内部量子效率2-7 2.2.2　改进内部结构2-11 2.2.3　改变表面结构及外形2-22 2.2.4　基本结构改变2-52 参考资料2-72 第3章　高功率红色发光二极管 3.1　用斜边结构增加光功率3-1 3.2　用有组织结构之粗糙面3-9 3.3　有组织粗糙面加斜边结构3-16 3.4　小反射镜LED3-19 3.5　连接在有金属反射镜之基板上3-28 参考资料3-37 第4章　高功率蓝色及绿色发光二极管 4.1　大面积4-1 4.2　FC LED4-5 4.3　用有组织粗糙面4-9 4.4　用几何变形结构4-22 4.5　薄膜LED4-29 4.6　用有模型基板4-34 参考资料4-39 第5章　高功率紫外线及紫色发光二极管 5.1　紫外线LED5-1 5.2　紫色LED5-25 参考资料5-34 第6章　白色发光二极管 6.1　基本考虑6-1 6.2　白色发光二极管之制作方法6-6 6.2.1　用有颜色光二极管6-6 6.2.2　蓝色LED加萤光粉6-32 6.2.3　紫外线及紫色LED加萤光粉6-51 6.2.4　其它方法6-71 参考资料6-80 第7章　萤光粉、包装简介及固体照明发展趋势及展望 7.1　萤光粉7-1 7.2　发光二极管之包装7-30 7.3　固体照明发展趋势及展望7-45 参考资料7-52 白光發光二極體製作技術 內容簡介 LED與傳統光源相比較具有許多優勢，例如體積小、發光效應佳、操作反應速度快發光二極體之發展歷程、現況與未來前景，並配合彩色圖片來闡述相關理論，可使讀者一目瞭然。本書適合照明設計從業人員及有興趣的人士閱讀使用。 第一章　白光發光二極體之介紹 1-1 1-1　發光二極體簡介 1-2 1-1-1　發光二極體之發光原理 1-2 1-1-2　發光二極體之製程介紹 1-4 1-2　白光發光二極體的發展歷程 與作用原理 1-14 1-3　光與視覺概論 1-18 1-4　光源的術語 1-29 1-4-1　色溫度（color temperature） 1-29 1-4-2　演色性（color rendering index；CRI） 1-31 1-5　日亞化學公司白光發光二極體之介紹 1-33 第二章　白光發光二極體用之螢光材料介紹 2-1 2-1　固態發光材料之發光原理及其特性 2-1 2-2　釔鋁石榴石型螢光粉之介紹 2-19 2-3　螢光粉的製程與特性分析 2-24 2-3-1　個種螢光粉製程之介紹 2-24 2-3-2　螢光粉之特性分析 2-43 2-3-3　螢光粉之特性分析 2-47 2-3-4　螢光粉之特性分析 2-54 2-3-5　螢光粉特性之綜合分析 2-57 2-3-6　螢光粉之特性分析 2-60 2-3-7　螢光粉之特性分析 2-62 2-4　紫外光發光二極體用之螢光材料介紹 2-66 第三章　白光發光二極體產業之關鍵性專利介紹 3-1 3-1　白光發光二極體產業專利申請之重要性 3-1 3-2　中華民國專利 制度 关于办公室下班关闭电源制度矿山事故隐患举报和奖励制度制度下载人事管理制度doc盘点制度下载 之介紹 3-2 3-3　日本日亞化學之白光LED專利介紹 3-6 3-4　日本住友電工之白光LED專利介紹 3-24 第四章　白光發光二極體產業之發展現況與未來展望 4-1 4-1　白光發光二極體之優點 4-1 4-2　國外白光發光二極體產業之發展現況 4-4 4-3　國內白光發光二極體產業之發展現況 4-11 封面參考資料 4-14 本書特色 1.詳細介紹發光二極體之物理特性。 2.深入淺出的說明基礎和高階發光二極體結構。 3.簡潔的敘述、清楚的觀念說明，一定可讓讀者對發光二極體有著通盤的了解。 ■ 內容簡介 在這電子產業突飛猛進的年代，相關重要的電子零件也隨著產業蓬勃發展而發光發熱，二極體便是其中的佼佼者；本書針對二極體原理、製程到多方面的應用有深入淺出的探討。本書共分為兩部份，第一章到第五章介紹發光二極體動作原理與物理特性；第六章到第八章則說明發光二極體製程技術與應用；另外收錄半導體元素特性值與化學元素符號、物理常數等介紹，方便讀者查閱。本書資料詳盡、淺顯易懂，適合科大、私立大學電子、光電系之高年級「光電元件」、「LED製程與應用」等課程使用。 紫外光发光二极管用萤光粉介绍 作(译)者：刘如熹 纪喨胜 出版日：2003/11/5 本书特色 1.本书介绍具备省电、低污染与寿命长等优点之LED。 2.继GaN系蓝光LCD之后，可发出紫外光之LED(UV-LED)即为下一个发 3.本书作者系台大教授，多年致力于研究发光二极管的发展。作者 ■ 内容简介 利用具省电、低污染、寿命长之优点，以LED作为照明光源已是现代照明的发展趋势。高亮度蓝光LED开发成功后，利用白光LED作为照明光源之理想，随即于GaN(蓝)配合YAG(黄)之白光LED系统取得初步实现。除LED本身亮度外，所选用之萤光体亦为影响光源总体发光效率之关键因素。本书内容包括近代照明发展趋势、样品合成及仪器分析原理、蓝、绿光与红色萤光粉之合成结果与讨论，并配合图片 表格 关于规范使用各类表格的通知入职表格免费下载关于主播时间做一个表格详细英语字母大小写表格下载简历表格模板下载 阐述相关理论，可使读者一目了然。本书非常适合LED照明设计从业人员及有兴趣的人士阅读。 ■ 目录 第1章　简　介 1-1 1.1　近代照明发展趋势 1-1 1.2　萤光粉于照明上之应用 1-4 1.2.1　低压水银放电灯(low-pressuremercury dischargelamp) 1-6 1.2.2　高压水银放电灯(high-pressuremercury dischargelamp) 1-7 1.2.3　应用于白光LED之YAG型萤光材料 8 1.3　白光发光二极管产业之发展现况与未来展望 1-10 1.3.1　各国之白光LED发展计画 1-10 1.3.2　市场未来需求与白光LED未来发展趋势 1-14 1.4　LED与白炽灯泡及日光灯效率之比较 1-17 1.5　色彩简介 1-19 1.5.1　视觉敏感度 1-20 1.5.2　CIE色度坐标图(CIEchromaticitydiagram) 1-20 1.5.3　色温(colortemperature) 1-23 1.5.4　演色性与照明效率 1-24 1-6　发光原理与过程 1-26 1.6.1　组态坐标(configurationcoordination)： 1-28 1.6.2　电子-声子交互作用(electron-phononinteraction) 1-28 1.6.3　LaPorte选择律(Laporte'sRule) 1-30 1.6.4　自旋选择律(spinselectionrule) 1-32 1.6.5　法兰克-康顿原理(Franck-Condonprinciple) 与史托克位移(Stokesshift) 1-32 1.6.6　温度对波形之影响 1-33 1.6.7　温度淬灭(temperaturequenching) 1-35 1.6.8　增感剂与活化中心之能量传递 1-35 1.7　共价性对离子晶体之影响 1-39 1.7.1　离子化合物之非极性(共价性)特征 1-39 1.7.2　电子云扩张效应(nephelauxetic;cloudexpanding) 1-41 1.7.3　晶格场理论(crystalfieldtheory) 1-42 1.8　固态萤光材料之分类 1-44 1.8.1　活化中心与主体晶格之作用 1-44 1.8.2　活化中心离子于周期表之位置 1-45 1.8.3　半导体与绝缘体型萤光材料 1-46 1.9　稀土元素之电子结构 1-50 1.9.1　稀土元素 1-50 1.9.2　稀土元素之原子及离子半径大小 1-51 1.9.3　稀土离子之价数 1-52 1.10　文献与专利回顾 1-56 1.11　本书介绍重点 1-65 第2章　样品合成及仪器分析原理 2-1 2.1　化学药品 2-1 2.2　样品之制备 2-2 2.2.1　固态反应法简介 2-4 2.2.2　均匀共沉淀法简介 2-7 2.2.3　蓝色萤光粉之固态反应法 2-9 2.2.4　绿色萤光粉之固态反应法 2-10 2.2.5　红色萤光粉之固态反应法 2-11 2.2.6　红色萤光粉之均匀共沉淀法 2-12 2.3　样品鉴定分析 2-13 2.4　粉末X光绕射仪(PowderX-rayDiffraction;XRD) 2-14 2.4.1　X光基本原理 2-14 2.4.2　X光粉末绕射 2-17 2.4.3　数据收集 2-17 2.4.4　晶格常数与晶系(crystalsystem)之决定 2-18 2.4.5　图形分解 2-18 2.4.6　选择空间群 2-18 2.4.7　定结构模型 2-18 2.4.8　结构精算 2-19 2.5　光激发光光谱(Photoluminescence﹔PL) 与色度坐标(CommissionInternationale deI'Edairage；CIE) 2-21 2.6　扫描式电子显微镜(ScanningElectron Microscope;SEM）与能量分布式X光(Energy DisperseX-ray;EDX) 2-24 2.6.1　SEM工作原理 2-24 2.6.2　电子束与试片之相互作用 2-25 2.6.3　EDX工作原理 2-25 2.7　X光吸收光谱近边缘结构(X-rayAbsorptionNear EdgeStructure;XANES)与延伸X光吸收细微结构ExtendedX-rayAb (EXAFS) 2-27 2.7.1　X光吸收近边缘结构(XANES) 2-27 2.7.2　延伸X光吸收细微结构(EXAFS) 2-28 第3章　蓝、绿与红色萤光粉之合成结果与讨论 3-1 3.1　蓝色萤光粉BaMgAl10O17:Eu2+特性分析 3-2 3.1.1　蓝色萤光粉BaMgAl10O17:Eu2+结构简介 3-2 3.1.2　XRD结构鉴定与分析 3-4 3.1.3　光激发光光谱与色度坐标图 3-10 3.1.4　主体晶格阳离子取代之影响 3-13 3.2　绿色萤光粉BaMgAl10O17:Eu,Mn特性分析 3-17 3.2.1　低掺杂浓度之结构与光学变化 3-17 3.2.2　高掺杂浓度之结构与光学变化 3-20 3.2.3　Eu2+离子与Mn2+离子之能量转换 3-25 3.2.4　主体晶格阳离子取代之影响 3-27 3.3　红色萤光粉Y2O3:Eu3+特性分析 3-31 3.3.1　红色萤光粉Y2O3:Eu3+结构与其光学跃迁 3-31 3.3.2　掺杂浓度对Y2O3:Eu3+结构与发光效率之影响 3-33 3.3.3　烧结温度与粉体制程对萤光效率之影响 3-41 3.3.4　增感剂Bi3+离子掺杂 3-53 3.4　粉体搭配与色彩表现 3-62 第4章　结　论 4-1   波摩技术与应用 本書特色 1.薄膜是實踐電子元件輕薄短小、低損耗能量之關鍵技術，使固態電子產品之進步發展得以靈活設計及精確控制其品質。 2.薄膜技術涉及多門學科領域，本書將薄膜的應用與製作薄膜所用到的真空技術、熱力、電漿科技皆有所涵蓋。 3.本書內容共為八章，前四章介紹薄膜製作技術所用到的各種裝備與物理機制，第五、六章說明如何製作高品質薄膜和薄膜品質對元件電性的影響，第七、八兩章說明量測薄膜特性的各種技術與原理。 ■ 內容簡介 薄膜技術的進展和表面界面物理導入，使電子元件實現了輕薄短小，且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書，但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制，製作高品質薄膜的要件，薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制,第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響,第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合技術學院、私立大學「化學工程系」、「電子系」、「電機系」的學生當教科書，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。 ■ 目錄 第1章　真空技術與氣體傳輸安全 1-1　氣　壓 1-2　氣體動力學 1-3　真空系統 1-3.1　氣導(conductance) 1-3.2　抽氣速率 1-4　真空泵浦 1-4.1　迴轉式機械泵浦(rotarymechanicalpump)與乾式泵浦(drypump) 1-4.2　擴散泵浦(diffusionpump) 1-4.3　渦輪式分子泵浦(turbomolecularpump) 1-4.4　低溫泵浦(cryogenicpump) 1-5　真空氣壓計(vacuumpressuregauge) 1-5.1　Pirani真空計 1-5.2　熱電偶真空計(thermocouplegauge) 1-5.3　Baratron電容式真空計 1-5.4　離子式真空計 1-5.5　Penning冷陰極真空計 1-5.6　剩餘氣體分析儀(residualgasanalyzer) 1-6　漏氣測定 1-7　氣體傳輸系統 1-7.1　閥門(valve) 1-7.2　真空導引(feedthrough) 1-7.3　管件的連接 1-8　危險氣體的處理 1-9　流量的量測與控制 習題 參考資料 第2章　電漿物理 2-1　電漿中的氣相碰撞 2-2　各種電漿粒子與表面之作用 2-2.1　濺　射 2-2.2　二次電子 2-2.3　在基板表面沉積薄膜或蝕刻 2-3　直流輝光放電(D.Cglowdischarge) 2-3.1　直流輝光放電特性 2-3.2　陰極暗區 2-3.3　陽極暗區 2-3.4　電漿輝光放電區 2-4　射頻輝光放電(radiofrequencyglowdischarge) 2-4.1　RF電漿的直流自我偏壓 2-4.2　RF系統的電壓分布 2-4.3　調頻器(matchingboxortunner) 2-5　磁控管(magnetron)輝光放電 2-5.1　帶電粒子在磁場方向螺旋前進 2-5.2　帶電粒子受電力和磁力作用 2-6　高密度電漿(highdensityplasma) 習題 參考資料 第3章　表面動力學與薄膜生長機制 3-1　物理吸附(physisorption) 3-2　化學吸附(chemisorption) 3-3　吸附原子在基板表面產生表面張力 3-4　結合能與表面張力 3-5　吸附量與溫度、氣壓之關係 3-6　摻質原子在晶體中的擴散 3-7　表面擴散與薄膜間的互擴散 3-8　孕核(nucleation) 3-9　原子團的生長與聚合 3-10薄膜的結構與缺陷 習題 參考資料 第4章　薄膜製作技術 4-1　熱氧化(thermalexidation) 4-2　物理汽相沉積(PVD) 4-2.1　蒸鍍(evaporation) 4-2.2　脈衝雷射沉積(PLD) 4-2.3　濺射沈積或乾蝕刻(SputteringDepositionorDryEtching) 4-2.4　離子束沉積與蝕刻(IonbeamdepositionorIonmill) 4-3　化學汽相沉積(CVD) 4-3.1　反應腔中氣體傳送原理 4-3.2　CVD動力學 4-3.3　CVD反應系統 4-4　導電薄膜和介電薄膜製作 4-5　磊晶技術(epitaxialtechnology) 4-5.1　鹵化物系VPE同質磊晶 4-5.2　Ⅲ一Ⅴ族半導體異質磊晶 習題 參考資料 第5章　磊晶生長與光學薄膜 5-1　同質磊晶生長模式 5-2　異質磊晶的能隙與晶格常數 5-3　晶格失配的結構 5-4　異質磊晶層中的應變能 5-5　異質磊晶的差排能 5-6　超晶格應變層與插入差排 5-7　電磁波在固態界面的傳輸 5-8　光在薄膜界面的反射與穿透 5-9　多層抗反射薄膜 5-10超晶格高反射薄膜 習題 參考資料 第6章　表面、界面與元件電性 6-1　表面能態 6-2　金屬與半導體界面 6-3　歐姆接觸 6-4　金屬-氧化層-半導體(MOS)界面 6-5　在二維通道的磁阻(Magnetoresistance) 6-6　異質結構的應用元件 6-6.1　發光二極體(LightEmittingDiodeLED) 6-6.2　半導體雷射二極體(LaserDiodeLD) 6-6.3　異質雙載子接面電晶體 (HeterojunctionBipolorTransistorHBT) 6-6.4　高電子遷移率電晶體(pseudomorphicHighElectron MobilityTransistorpHEMT) 習題 參考資料 第7章　散射與薄膜結構或成分分析 7-1　X-射線繞射與三維倒晶個格 7-2　散射機制與介電理論 7-2.1　散射機制 7-2.2　介電理論 7-3　電漿振盪子(plasmons)與電磁耦合量子(polaritons) 7-3.1　離子晶體的聲子 7-3.2　電漿振盪子 7-4　二維結晶學 7-4.1　基板晶格表面 7-4.2　表面結構的Wood符號與疊層覆蓋率 7-4.3　薄膜與基板的繞射圖案關係 7-5　電子繞射(LEED&RHEED) 7-6　拉塞福(Rutherford)反向散射光譜儀(RBS) 7-7　二次離子質譜儀(SIMS) 習題 參考資料 第8章　薄膜特性檢測技術與原理 8-1　光學特性分析技術 8-1.1　光學顯微鏡 8-1.2　橢圓儀(ellipsometer) 8-1.3　紅外光譜儀(FTIR) 8-1.4　拉曼(Raman)光譜分析 8-1.5　激發光光譜分析 8-1.6　感應耦合電漿原子發射光譜(ICPOES) 8-2　電子束分析技術 8-2.1　掃描式電子顯微鏡(SEM) 8-2.2　穿透式電子顯微鏡(TEM) 8-2.3　歐傑電子光譜儀(AES) 8-3　掃描探針顯微技術(ScanningProbeMicroscopy) 8-3.1　掃描式穿隧顯微鏡(STM) 8-3.2　原子力顯微鏡(AFM) 8-3.3　近場光學顯微鏡 8-4　X-射線分析技術 8-4.1　X射線特性 8-4.2　X光繞射儀 8-4.3　光電子光譜儀(photoemissionspectroscopy) 8-4.4　X射線螢光分析 8-5　薄膜應力量測 8-6　金屬薄膜的片電阻 8-7　絕緣薄膜的介電強度與崩潰電荷密度 習題 參考資料 附錄 附錄A　部分習題解答 附錄B　元素週期表 附錄C　室溫下一些半導體之物性 附錄D　Si、Ge、GaAs和SiO的性質(300°K) 附錄E　用於電子材料的某些元素的物理性質 附錄F　物理常數及其換算 內容簡介 本書超微細電子元件加工技術把它說成半導體製程技術可能會比較貼切一點，這是日本與台灣所使用的名詞不太一樣，但是應用的領域和方法是一樣的，在內文中所講述的製程技術從單結晶、氧化、微影、蝕刻、摻雜、薄膜製作、氣相成長法、CVD、外延成長、蒸鍍和離子鍍敷、濺鍍、精密電鍍、平坦化技術，這些是半導體製作的過程，相信想從事半導體方面的人士，閱讀此書必定會對半導體製程有所了解。 ■ 目錄 ch0超微細加工 0.1　超微細加工之目標0-2 0.2　微細加工之概要0-2 0.2-1　超微細加工之基本0-2 0.2-2　用超微細加工來製作半導體IC其一例0-4 0.2-3　用超微細加工來製作電子顯示器EPD0-8 1單結晶和玻璃基板 1.1　從單結晶到非結晶之基板1-2 1.2　玻璃基板及其製造方法1-2 1.3　切身之單結晶製造和來自溶液之結晶成長1-5 1.4　拉單晶從融液進行結晶成長1-6 1.4-1　坩鍋中冷卻法1-6 1.4.2　區域熔融法(Zonemelting法，Floatzone法FZ法)1-7 1.4-3　旋轉拉晶法(Czochralski法，CZ法)1-9 1.5　從蒸氣中成長1-11 1.5-1　採用閉管法來成長氣相1-11 1.5-2　其他之氣相成長法1-12 ch2熱氧化 2.1　處理方式2-3 2.2　熱氧化裝置2-5 2.3　其他之氧化裝置2-8 ch3微影(曝光、描畫技術) 3.1　光曝光3-2 3.1.1　密貼曝光法3-4 3.1.2　鄰近曝光法3-5 3.1.3　縮小投影曝光法(折射式)3-6 3.1.4　反射投影曝光法3-12 3.1.5　超解析技術3-13 3.2　X線曝光3-15 3.3　電子束曝光3-19 3.3.1　電子束曝光方式3-19 3.3.2　裝置之例3-20 3.3.3　電子束曝光之高生產量化3-23 3.3.3　鄰近效應3-24 ch4蝕　刻 4.1　濕蝕刻4-5 4.2　電漿蝕刻、激發蝕刻(圓筒型蝕刻)4-9 4.2.1　原　理4-9 4.2.2　裝　置4-10 4.2.3　軟　體4-13 4.3　微影蝕刻、濺鍍蝕刻(平行平板型、ECR型、磁控管形蝕刻)4-13 4.3.1　原理和特徵4-13 4.3.2　裝　置4-18 4.3.3　軟　體4-20 4.3.4　Cu和低介電常數材料(lowk)之蝕刻4-26 4.4　大型基板之蝕刻4-27 4.5　反應離子束蝕刻、濺鍍離子束蝕刻(離子束型蝕刻)4-27 4.5.1　極細離子束機器、FocussedIonBeam：FIB機器4-28 4.6　微機加工4-29 4.7　蝕刻用電漿源之開發4-32 4.7.1　電漿源4-32 4.7.2　高密度電漿HDP蝕刻4-36 ch5摻雜－熱擴散和離子植入 5-1　熱擴散5-2 5.2　離子植入5-6 5.2.1　離子植入和植入原子之活性化5-7 5.2.2　離子植入裝置5-9 5.2.3　離子植入之優點、缺點、第2代之要求5-12 5.2.4　離子植入之應用5-13 5.3　用來極淺接合之離子植入5-15 5.4　高速退火裝置RTA(照射燈退火裝置)5-16 ch6薄膜之基本性質和薄膜製作法之概要 6.1　何謂薄膜6-2 6.2　薄膜之製作方法6-4 6.3　薄膜之成長6-6 6.3.1　核成長6-7 6.3.2　單層成長6-9 6.3.3　非結晶膜之成長6-9 6.4　外延-基板結晶與成長膜結晶之方位關係6-10 6.4.1　外延溫度6-11 6.4.2　基板結晶之劈開6-12 6.4.3　壓力之影響6-14 6.4.4　殘留氣體之影響6-14 6.4.5　蒸鍍速度之影響6-14 6.4.6　基板表面之缺陷－電子線照射之影響6-15 6.4.7　電場之影響6-16 6.4.8　離子之影響6-16 6.4.9　膜厚之影響6-16 6.4.10misfit6-16 6.5　非結晶構造6-16 6.5.1　何謂非結晶6-17 6.5.2　當作一般材料之非結晶(不是薄膜)6-17 6.5.3　非結晶薄膜6-18 6.5.4　非結晶Si膜之多結晶化6-19 6.6　薄膜之基本性質6-20 6.6.1　電氣電導6-20 6.6.2　阻抗溫度係數TCR6-22 6.6.3　薄膜之密度6-23 6.6.4　長期變化6-23 6.6.5　介電質膜6-24 6.6.6　薄膜之內部應力6-25 6.6.7　電遷移6-26 6.7　採用真空之薄膜製作法之概要6-30 6.8　源和膜之組成－如何得到目的之膜組成？6-33 6.8.1　蒸鍍和離子鍍敷6-34 6.8.2　濺　鍍6-35 6.9　附著強度－如何強固附著膜6-36 6.9.1　前處理6-37 6.9.2　蒸鍍時之條件6-46 6.9.3　蒸鍍和濺鍍之比較－不加熱之情形6-51 6.