Lecture10 采用开关阶跃电容的电感电容压控振荡器

Lecture10 采用开关阶跃电容的电感电容压控振荡器 CMOSCMOS射频集成电路设计射频集成电路设计 2006年11月24日唐长文助理研究员 zwtang@fudan.edu.cn http://me.fudan.edu.cn/faculty/personweb/tangzhangwen/RFIC/RFIC.htm 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 -2- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯采用开关阶跃电容的电感电容...

CMOSCMOS射频集成电路设计射频集成电路设计 2006年11月24日唐长文助理研究员 zwtang@fudan.edu.cn http://me.fudan.edu.cn/faculty/personweb/tangzhangwen/RFIC/RFIC.htm 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 -2- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯采用开关阶跃电容的电感电容压控振荡器采用开关阶跃电容的电感电容压控振荡器 z调谐特性的理论分析背景介绍单端调谐的压控振荡器差分调谐的压控振荡器 z电路设计和实现开关阶跃电容差分调谐电感电容压控振荡器测试验证 -3- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯背景介绍背景介绍 z电感电容压控振荡器片上螺旋电感和片上可变电容谐振性能指标：相位噪声、功耗、调谐范围设计和实现是一件很容易的事情 z然而，许多简单问题并没有得到完全解决可变电容是如何实现对振荡器频率进行控制的？谐波平衡近似分析的方法数值计算的方法精简的有效电容计算公式压控振荡器的调谐特性的内在物理本质是什么？阶跃可变电容是如何实现高线性的调谐特性的 -4- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯片上可变电容的种类片上可变电容的种类 z硅CMOS工艺中的四种可变电容 PN结、标准 MOS管电容、I-MOS管电容、A-MOS管电容 N+ P+ N+ N-Well P-Sub G Vctrl P+ P+ N+ N-Well P-Sub G Vctrl P+ P+ N+ N-Well P-Sub Vctrl N+ N+ N-Well P-Sub G Vctrl G VDD (a) P+/N-well junction (b) D=S=B MOS (d) Accumulation MOS(c) Inversion MOS -5- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯反偏反偏PNPN结的结的CC--VV曲线曲线 φ = ⎛ ⎞−⎜ ⎟⎜ ⎟⎝ ⎠ 0( ) 1 j m j C C V V z m为结电容梯度因子线性缓变结，m = 1/3；突变结，m = 1/2；超突变结，m = 1/2~6 。 -6- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 MOSMOS管可变电容的管可变电容的CC--VV曲线曲线((I)I) z标准MOS管电容：非单调性，很少使用 D=S=B MOS管 Vgs@Vctrl=1.65V S=D=B PMOS Varactor 反型区累积区耗尽区 Vg Vctrl -7- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 MOSMOS管可变电容的管可变电容的CC--VV曲线曲线((II)II) z Inversion-MOS管电容：阶跃特性 Vgs@Vctrl=1.65V Inversion PMOS Varactor 反型区耗尽区 -8- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 MOSMOS管可变电容的管可变电容的CC--VV曲线曲线((III)III) z Accumulation-MOS管电容：阶跃特性 Nwell中的NMOS管 Vgs@Vctrl=1.65V Accumulation NMOS Varactor 累积区耗尽区 Vg Vctrl -9- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 PNPN结电容与结电容与MOSMOS管电容的比较管电容的比较 z C-V曲线完全不同 PN结电容的C-V曲线是连续缓变的 MOS管电容是阶跃突变的，电压可控范围很小 z 偏置问题 PN结必须始终处于反偏状态，限制了调谐电压范围 MOS管不存在偏置问题，调谐电压范围与振荡电压幅度有关 z 等效电容是一个振荡周期内平均电容值早期，压控振荡器都是采用PN结可变电容对MOS管电容的C-V曲线特性的不断认识，MOS管电容慢慢被接受 z 缓变的A-MOS管电容比陡变I-MOS管电容性能更好是错误的 I-MOS管电容与A-MOS管电容一样，可以实现高线性调谐特性 A-MOS管做在深阱里，噪声性能好一些 P型I-MOS管也做在深阱里，噪声性能也很好 -10- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯单端调谐的压控振荡器单端调谐的压控振荡器 ≥⎧= ⎨ <⎩ max os ss min os C V V C (V) C V V z 可变电容近似为一个阶跃函数 z 有效控制电压 Vos为偏移电压 = +eff ctrl osV V V VDD Vctrl Mn1 Mn2 Mp1 Mp2 VSS Mn3 Vdc Cvn Cvn Css(V) Vdc (a) (b) V Css(V) Cmax Cmin 0 Vos (c) V L I Mn4 Vctrl -11- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯谐振电压波形谐振电压波形((I)I) Vdc Case (2) Case (4) Case(3) Case (1) Veff=3.5V (Case 2) Veff=3.0V(Case 4) Veff=2.0V (Case 1) Veff=2.5V (Case 3) T2T1 T -12- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯谐振电压波形谐振电压波形((II)II) z 谐振电压波形由两个正弦波形拼接而成，其转折点电压为有效控制电压Veff。 z 根据有效控制电压Veff的大小可以将整个压控范围划分为四种情况： 1) Veff≤Vdc-Amin，最大电容Cmax，最小幅值Amin，最小振荡频率 2) Veff≥Vdc+Amax，最小电容Cmin，最大幅值Amax，最大振荡频率 3) Vdc-Amin >⎨⎜ ⎟ ⎜ ⎟ω⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎪⎪⎛ ⎞ ⎛ ⎞−⎪ + = θ ≥⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎪ ω⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎩ 2 2 dc effn mid1 mid1 mid1 mid1 2 2 2dc 1 effn effp max max min max 2 2 2dc 2 effp mid2 mid2 mid2 mid2 V V I 1 V V A C A V V I V V V A C A V V I V V A C A θ1 ≤ θ ≤mid1 max 1A A 1 θ2 ≤ θ ≤2 max mid21 A A -23- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯振荡周期的计算振荡周期的计算((I)I) z 在有效控制电压Veffn交接点处片上电感的电压和电流分别是Veffn和Ieffn，由第一个椭圆方程可以得到：代入第二个椭圆方程得 ⎛ ⎞−= ±ω − ⎜ ⎟⎝ ⎠ 2 dc effn effn mid1 mid1 mid1 mid1 V VI C A 1 A ⎛ ⎞⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞− ω −⎜ ⎟θ = + −⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟ω⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎝ ⎠ 2 2 2 2 dc effn mid1 mid1 mid1 dc effn 1 max max min max mid1 V V C A V V1 A C A A ⎛ ⎞ ⎛ ⎞− −θ = − +⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎝ ⎠ ⎝ ⎠ 2 2 dc effn dc effn 1 mid1 max V V V V1 A A -24- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯振荡周期的计算振荡周期的计算((II)II) z 在有效控制电压Veffp交接点处片上电感的电压和电流分别是Veffp和Ieffp，由第二个椭圆方程可以得到：代入第三个椭圆方程得 −⎛ ⎞= ±ω θ − ⎜ ⎟⎝ ⎠ 2 dc effp2 effp max min max 1 max V V I C A A ⎛ ⎞− −⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ω ⎜ ⎟θ = + θ −⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟ω⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎝ ⎠ 2 2 2 dc effp dc effp2 2max min max 2 1 mid2 mid2 mid2 mid2 max V V V VC A A C A A ⎛ ⎞− −⎛ ⎞ ⎛ ⎞⎜ ⎟θ = θ − +⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎜ ⎟θ⎝ ⎠ ⎝ ⎠⎝ ⎠ 2 2 dc effp dc effp2 2 1 1 max mid2 V V V V 1 A A -25- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯振荡周期的计算振荡周期的计算((III)III) z 振荡周期为三个椭圆上的时间之和 = + +1 2 3T T T T − ⎛ ⎞−π + ⎜ ⎟⎝ ⎠= π 1 dc effn mid1 1 mid1 V Vsin 2 A T T − −−⎛ ⎞ ⎛ ⎞−−⎜ ⎟ ⎜ ⎟θ θ⎝ ⎠ ⎝ ⎠= π dc effp1 1 dc effn 1 max 1 max 2 min V V V Vsin sin A A T T − −⎛ ⎞π − ⎜ ⎟θ⎝ ⎠= π dc effp1 2 mid2 3 mid2 V V sin 2 A T T − ⎛ ⎞−π + ⎜ ⎟⎝ ⎠= + + = π 1 dc effn mid1 1 2 3 mid1 V Vsin 2 A T T T T T − − −− −⎛ ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞− π− −⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟θ θ θ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠+ +π π dc effp dc effp1 1 1dc effn 1 max 1 max 2 mid2 min mid2 V V V VV Vsin sin sin A A 2 A T T -26- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯差分调谐的频率－电压调谐曲线三维图差分调谐的频率－电压调谐曲线三维图 -27- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯差分调谐的频率－电压调谐曲线差分调谐的频率－电压调谐曲线 L=10nH; Vdc=2.5V Fmax=1.591GHz; Fmin=0.795GHz Cmin,n=0.5pF; Cmax,n=2.0pF Cmin,p=0.5pF; Cmax,p=2.0pF Amin=0.5V Amax=1.0V -28- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯开关电容开关电容 z 电容差 ∆ SCC ∆ = − + a d SC a a d C CC C C C a d a d C C C C+ -29- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 II--MOSMOS管可变电容管可变电容 z 电容差 −∆ I MOSC − − −∆ = −I MOS I MOS,Max I MOS,MinC C C -30- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯开关阶跃电容开关阶跃电容((I)I) z 开关阶跃电容的C-V特性 − − ⎧ + − <⎪ +− = ⎨⎪ + − ≥⎩ a d I MOS,Min X ctrl thn a dX ctrl I MOS,Max a X ctrl thn C CC V V V C CC(V V ) C C V V V ,min a d I MOS a d C CC C C− + + a d a d C C C C+ -31- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯开关阶跃电容开关阶跃电容((II)II) z 电容差 z 开关阶跃电容的电容调谐范围是开关电容和I-MOS管可变电容两者之和。 ∆ SSCC − − −∆ = − + − = ∆ + ∆+ a d SSC I MOS,Max I MOS,Min a I MOS SC a d C CC C C C C C C C a d a d C C C C+ -32- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯开关阶跃电容开关阶跃电容((III)III) z 两种差分结构直接型结构：振荡电压波形控制同侧的可变电容的电容值交叉型结构：振荡电压波形控制异侧的可变电容的电容值 -33- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯 I-MOS varactor (without Ca) Switched step capacitor 5.533pF 5.221pF 5.245pF 5.078pF 4.933pF I-MOS varactor (with Ca) 0.312pF 0.455pF 0.288pF −∆ I MOSC ∆ SSCC 调谐电容差的比较调谐电容差的比较 I-MOS管可变电容开关阶跃电容 z 开关阶跃电容的调谐电容差是I-MOS管可变电容调谐电容差的1.46倍 0.288=aC pF : 96 / 0.6µ µMOS m m 2=fixedC pF Y Vctrl Ca Ca Ms1 Ms2 X Y Vctrl Ca Ca MI-MOS X MI-MOS -34- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯片上叠层螺旋电感片上叠层螺旋电感 -35- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯差分调谐压控振荡器差分调谐压控振荡器 VDD Vctrln Vctrlp Mn1 Mn2 Mp1 Mp2 VSS Y Cp1 Mn3 Mn4 X Mp5Mp6 1000/4 1000/4 C7 27pF L2 28nH 180/0.24180/0.24 240/0.5 240/0.5 Cp2 Mp3 Mp4 C1 C2 Cn1 Cn2 C4 C3 C51.125pF C61.125pF 60/0.24 Mp7 60/0.24 Mp8 RFnRFp L 9.44nH L1 28nH Cp1=Cp2=288pF C1=C2=1.701pF Cn1=Cn2=288pF Mp3,Mp4:96/0.6 Mn3,Mn4:96/0.6 z 正向阶跃的开关阶跃电容 NMOS: Mn3-Mn4 MIM: Cn1-Cn2 z 负向阶跃的开关阶跃电容 PMOS: Mp3-Mp4 MIM: Cp1-Cp2 z 开关NMOS管Mn3-Mn4和 PMOS管Mp3-Mp4采用零阈值MOS管降低偏移电压提高共模抑制比 -36- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯差分调谐压控振荡器芯片照片差分调谐压控振荡器芯片照片 z CMOS 0.25μm 1P5M z 面积： 0.82mm×0.84mm z COB封装 Chip-on-Board z 工作电压：2.6V z 工作电流：3.3mA -37- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯单端频率－电压调谐曲线的测试结果单端频率－电压调谐曲线的测试结果 L=4.72nH; Vdc=0.886V Fmax=1.021GHz; Fmin=0.979GHz Cmin=5.154pF; Cmax=5.600pF Amin=0.796V Amax=0.830V L=4.72nH; Vdc=1.212V Fmax=1.018GHz; Fmin=0.980GHz Cmin=5.176pF; Cmax=5.589pF Amin=0.810V Amax=0.841V L=4.72nH; Vdc=1.227V Fmax=1.066GHz; Fmin=1.023GHz Cmin=4.723pF; Cmax=5.130pF Amin=0.838V Amax=0.874V L=4.72nH; Vdc=0.904V Fmax=1.066GHz; Fmin=1.019GHz Cmin=4.723pF; Cmax=5.168pF Amin=0.851V Amax=0.890V max minC C C 0.445pF∆ = − = max minC C C 0.446pF∆ = − = max minC C C 0.413pF∆ = − = max minC C C 0.407pF∆ = − = Vctrlp=0V Vctrlp=2.6V Vctrln=0V Vctrln=2.6V -38- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯差分频率－电压调谐曲线的测试结果差分频率－电压调谐曲线的测试结果 L=4.72nH; Vdc=0.892V Fmax=1.066GHz; Fmin=0.979GHz Cmin=4.726pF; Cmax=5.604pF Amin=0.848V Amax=0.923V max minC C C 0.878pF∆ = − = 共模电压：(Vctrlp＋Vctrln)/2=1.1V -39- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯共模频率－电压调谐曲线的测试结果共模频率－电压调谐曲线的测试结果 Vctrlp＝Vctrln，ΔF=13.5MHz, Kvmax=33MHz, 共模抑制比15.7dB -40- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯相位噪声的测试结果相位噪声的测试结果 Large Noise from Power Supply Power Supply Noise was suppressed 1.000GHz, single-ended tuned 1.013GHz, differentially tuned z 1/f3区域相位噪声降低7dB z 电源上的噪声得到很大程度的抑制 -41- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯结论结论 z 分析了单端和差分调谐的压控振荡器的振荡周期 z 阐述了阶跃可变电容能够实现线性压控的物理机理和本质 z 任何具有阶跃C-V曲线的可变电容都可以实现线性调谐曲线的压控振荡器 z 新型开关阶跃电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的1.46倍 z 差分调谐结构使得1/f3区域相位噪声降低7dB，且有效抑制了电源噪声的上变频过程。 -42- 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文版权© 2005-2006, 版权所有，不得侵犯参考文献参考文献 z 博士论文唐长文，“电感电容压控振荡器”，第四章，2004年5月，复旦大学博士论文 z 杂志文章唐长文，何捷，闵昊. 一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(上)：调谐特性的理论分析. 半导体学报. 2005年第10期唐长文，何捷，闵昊. 一种采用开关阶跃电容的压控振荡器(下)：电路设计和实现. 半导体学报. 2005年第11期上述两篇文章的参考文献 << /ASCII85EncodePages false /AllowTransparency false /AutoPositionEPSFiles true /AutoRotatePages /All /Binding /Left /CalGrayProfile (Dot Gain 20%) /CalRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1) /CalCMYKProfile (U.S. Web Coated \050SWOP\051 v2) /sRGBProfile (sRGB IEC61966-2.1) /CannotEmbedFontPolicy /Warning /CompatibilityLevel 1.4 /CompressObjects /Tags /CompressPages true /ConvertImagesToIndexed true /PassThroughJPEGImages true /CreateJDFFile false /CreateJobTicket false /DefaultRenderingIntent /Default /DetectBlends true /ColorConversionStrategy /LeaveColorUnchanged /DoThumbnails false /EmbedAllFonts true /EmbedJobOptions true /DSCReportingLevel 0 /EmitDSCWarnings false /EndPage -1 /ImageMemory 1048576 /LockDistillerParams false /MaxSubsetPct 100 /Optimize true /OPM 1 /ParseDSCComments true /ParseDSCCommentsForDocInfo true /PreserveCopyPage true /PreserveEPSInfo true /PreserveHalftoneInfo false /PreserveOPIComments false /PreserveOverprintSettings true /StartPage 1 /SubsetFonts true /TransferFunctionInfo /Apply /UCRandBGInfo /Preserve /UsePrologue false /ColorSettingsFile () /AlwaysEmbed [ true ] /NeverEmbed [ true ] /AntiAliasColorImages false /DownsampleColorImages true /ColorImageDownsampleType /Bicubic /ColorImageResolution 300 /ColorImageDepth -1 /ColorImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeColorImages true /ColorImageFilter /DCTEncode /AutoFilterColorImages true /ColorImageAutoFilterStrategy /JPEG /ColorACSImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /ColorImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /JPEG2000ColorACSImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /JPEG2000ColorImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /AntiAliasGrayImages false /DownsampleGrayImages true /GrayImageDownsampleType /Bicubic /GrayImageResolution 300 /GrayImageDepth -1 /GrayImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeGrayImages true /GrayImageFilter /DCTEncode /AutoFilterGrayImages true /GrayImageAutoFilterStrategy /JPEG /GrayACSImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /GrayImageDict << /QFactor 0.15 /HSamples [1 1 1 1] /VSamples [1 1 1 1] >> /JPEG2000GrayACSImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /JPEG2000GrayImageDict << /TileWidth 256 /TileHeight 256 /Quality 30 >> /AntiAliasMonoImages false /DownsampleMonoImages true /MonoImageDownsampleType /Bicubic /MonoImageResolution 1200 /MonoImageDepth -1 /MonoImageDownsampleThreshold 1.50000 /EncodeMonoImages true /MonoImageFilter /CCITTFaxEncode /MonoImageDict << /K -1 >> /AllowPSXObjects false /PDFX1aCheck false /PDFX3Check false /PDFXCompliantPDFOnly false /PDFXNoTrimBoxError true /PDFXTrimBoxToMediaBoxOffset [ 0.00000 0.00000 0.00000 0.00000 ] /PDFXSetBleedBoxToMediaBox true /PDFXBleedBoxToTrimBoxOffset [ 0.00000 0.00000 0.00000 0.00000 ] /PDFXOutputIntentProfile () /PDFXOutputCondition () /PDFXRegistryName (http://www.color.org) /PDFXTrapped /Unknown /Description << /FRA /ENU (Use these settings to create PDF documents with higher image resolution for improved printing quality. 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