硅太阳能电池发电原理分析
纯净的硅在常温下电导率较小~导电性能很差~且对温度变化敏感~很难对其特性进行控制~因此实际应用不多。实际应用的半导体是在纯硅中加入微量的杂质元素后的
材料
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。
1.P型半导体
在纯净的硅中掺入硼或铟三价元素,价电子数为3~即外围电子有3个,时~硅4个外
围电子中的1个会“跃迁”到硼或铟的外
围电子层上~这样硅原子失去1个电子而
变成了一个正离子。硅原子失去1个电子
后~在其原来的外围电子层位置出现一个
“空位”~这个“空位”被称为“空穴”,如
图9所示,~这种半导体被称为空穴半导
体~也叫作P型半导体,“P”表示正电的
意思,。
在P型半导体中~由于“空穴”的出
现~使其导电性能增强。其导电主要是由带正电的空穴完成的~远超过电子的导电~即:在P型半导体中~电子是“少数载流子”~简称少子,空穴是“多数载流子”~简称多子。
2.N型半导体
在纯净的硅中掺入磷或砷五价元素,价电子数为
5~即外围电子有5个,时~杂质元素最外层有5个
价电子~它与周围的硅原子结合时~多出一个电子。
在常温下~由于热激发~多出的电子很容易成为自由
电子~使杂质原子成为正离子。如图10所示。
在此种半导体中~电子为多数载流子~空穴为少
数载流子。这种半导体称为N型半导体。
3.PN结
如图11所示~若把P型半导体和N型半导体结合
在一起,如左右两层,~交界面便形成一个P,N结。太
阳能电池的奥妙就在这个“结”上~P,N结就像一堵墙~
阻碍着电子和空穴的移动。但当受到阳光照射时~电子
接受光能~向N型区移动~使N型区带负电~同时空穴
向P型区移动~使P型区带正电。这样~在P,N结两
端便产生了电动势~也就是通常所说的电压。这种现象
就是上面所说的“光生伏特效应”。如果这时分别在P
型层和N型层焊上金属导线~接通负载~则外电路便有
电流通过~如此形成的一个个电池元件~把它们串联、并联起来~就能产生一定的电压和电流~输出功率。