Array_自主学习-制程

Array_自主学习-制程nullnull光罩製程步驟nullARRAY製程ARRAY製程1. GE製程Gate成膜 Al:2500ÅGate蝕刻 Al:2500Å2. SE製程GI成膜 SiNx:3000ÅGI成膜 SiNx:1000Åa-Si成膜 a-Si:1500Ån+成膜 n+ :300ÅSE蝕刻3. SD製程SD成膜 Cr :4000ÅSD蝕刻4. CH製程5. PE製程BCE蝕刻完成!後流至 ARRAY TESTER工程CH成膜 SiNx:3400ÅCH蝕刻ITO成膜 ITO:850ÅITO蝕刻null PVD: 導...

nullnull光罩製程步驟nullARRAY製程ARRAY製程1. GE製程Gate成膜 Al:2500ÅGate蝕刻 Al:2500Å2. SE製程GI成膜 SiNx:3000ÅGI成膜 SiNx:1000Åa-Si成膜 a-Si:1500Ån+成膜 n+ :300ÅSE蝕刻3. SD製程SD成膜 Cr :4000ÅSD蝕刻4. CH製程5. PE製程BCE蝕刻完成!後流至 ARRAY TESTER工程CH成膜 SiNx:3400ÅCH蝕刻ITO成膜 ITO:850ÅITO蝕刻null PVD: 導電性薄膜 GE工程: gate electrode, (AL) SD工程: source electrode, (Cr) PE工程: pixel electrode, (ITO) CVD: 半導電性薄膜絕緣性薄膜成膜工程物質四態物質四態高溫低溫離子原子電子離子電漿態氣態液態固態原子電子nullCathodeAnodeTargetSubstrateAr+plasmaChamber wallSputter裝置圖+_Pump黃光製程黃光製程因為在微影製程中所使用的光阻材料屬於感光性高分子材料。這種感光性材料對於光在波長500 nm以下的區域非常敏感，為了使光阻在製程前不受外在環境的光線影響，一般微影需的照明光波長都在黃光範圍的500 nm左右，以確保光阻的品質，故又稱為黃光區。 nullnullFX-21S Main Body基板平台光罩平台投影鏡頭光源避震儀聚焦鏡頭nullFX-21S New Exposure Technologynull周邊曝光目的：將基板周圍未曝到光部分，進行曝光。光源：紫外光。1蝕刻技術分類1蝕刻技術分類 WET etching -溼蝕刻技術 DRY etching -乾蝕刻技術FAB II 蝕刻機斜式搬送FAB II 蝕刻機斜式搬送10度Nozzle蝕刻部斜式搬送方式FAB II 蝕刻機斜式搬送FAB II 蝕刻機斜式搬送Nozzle噴灑蝕刻部斜式搬送方式FAB II 蝕刻機斜式搬送FAB II 蝕刻機斜式搬送10度Nozzle水洗部斜式搬送方式null水平式蝕刻FAB I Wet etcherFAB II Wet etcher傾斜式搬送純水用量傾斜式搬送純水用量剝膜目的剝膜目的將已經蝕刻出所需求圖形之基板，以藥液將覆蓋於圖形上之光阻去除之工程 PRThin Film (pattern)Substrate剝膜液的性能剝膜液的性能界面活性劑：MEA （70﹪） MonoEthanolAmine, HOCH2CH2NH2 ■濕潤能力 ■浸透力 ■溶解能力（只形成可溶解之micell） ☆溶劑：DMSO（30﹪） DiMethylSulfOxide, (CH3)2SO ■溶解力 ■浸透力 ■Polymer等之親和力PECVD 簡介PECVD 簡介乃是利用電漿內的高能電子，撞擊製程氣體分子，斷裂其化學鍵，提高活性，在較低的製程溫度下於加熱的基板表面形成化學反應，而形成所需要的固態沉積。Pumpe-PlasmaAhue-e-e-e-RFgas+ PECVD應用：非晶矽膜 (a-Si) PECVD應用：非晶矽膜 (a-Si) 反應氣體 (Gas Source)： SiH4(Silane) 、H2 (n+a-Si反應時則加入PH3氣體) SiH4(g) + H2(g) a-Si:H(s) a-Si 製程條件:(unaxis) 壓力 1.2～1.6 mbar 溫度 280o 功率 90 W ~320W RFPECVD應用：氮化矽 (Silicon Nitride)SiNxPECVD應用：氮化矽 (Silicon Nitride)SiNx 反應氣體 (Gas Source)： SiH4(Silane)、NH3、N2、H2 SiH4(g) + NH3(g) SiNx:H(s) + 3H2 SiNx 製程條件:(unaxis) 壓力 0.6 mbar 溫度 280o 功率 1300WRFN2+H2nullSiNxParticleSiNxPinholePECVD SiNx:4000A a-Si:1500A n+a-Si:300A發生 Pinhole示意圖洗淨、、a-Si/n+洗淨SPUTTERMetalGateGatea-Si / n+nullPECVD SiNx:3000A GI 二次成膜對策PECVD SiNx+a-Si洗淨SiNxGateSiNxPECVD SiNx:1000A a-Si:1500A n+a-Si:300A SiNxGateGateGatea-Si乾蝕刻設備基本構造乾蝕刻設備基本構造nullnullnullnullnullnullnullnullnullArray面板訊號傳輸說明nullArray面板說明nullArray 面板示意圖null 1.因TFT元件的動作類似一個開關(Switch)，液晶元件的作用類似一個電容，藉Switch的ON/OFF對電容儲存的電壓值進行更新/保持。 2.SW ON時信號寫入(加入、記錄)在液晶電容上，在以外時間 SW OFF，可防止信號從液晶電容洩漏。 3.在必要時可將保持電容與液晶電容並聯，以改善其保持特性。nullMask 1：GE (Gate電極形成)nullMask 2：SE (島狀半導體形成)nullMask 3：SD (Source及Drain電極形成)AA’nullMask 4：CH (Contact Hole形成)nullMask 5：PE (畫素電極形成) TFT元件製程結束 , 後流至ARRAY TESTER A’A

                    本文档为【Array_自主学习-制程】，请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑，
                    图片更改请在作品中右键图片并更换，文字修改请直接点击文字进行修改，也可以新增和删除文档中的内容。 
 该文档来自用户分享，如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服，我们会及时删除。

                    [版权声明] 本站所有资料为用户分享产生，若发现您的权利被侵害，请联系客服邮件isharekefu@iask.cn，我们尽快处理。

                    本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权，请谨慎使用。

                    网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传，仅限个人学习分享使用，禁止用于任何广告和商用目的。
                

下载需要：免费已有0 人下载

立即下载

Array_自主学习-制程

你可能还喜欢