太阳能生产设备介绍

DXQ-601型多线切割机主要用于太阳能电池，以及各类半导体晶片加工。主要技术特点※具有手动、自动功能模式,界面直接显示线速、张力、被切材料的切割位置和进给速度、砂浆流量。操作简洁直观。※热交换器控制砂浆温度，温度控制准确。保证切片精度。※采用主轴电机变频控制方式。※采用张力传感器和伺服电机闭环控制。　主要技术指标□最大加工外形尺寸：方片:156×156×300(mm)2根 圆片：φ150×300(mm) 2根□使用线径：0.08～0.18mm(一般φ0.14mm)□线速最大：1000m/min□轴辊直径：φ190～200mm□最大钢丝储线量：φ0.14mm×300Km □工作台最大行程：240mm□工作台快速进给返回速度：50～500mm/min□工作台切割进给速度：0.1～2mm/min□切割线张力：10～50N(可调)□切削液容积：175升□砂浆泵流量：最大70L/min □电源：～380V±38V 50Hz±1Hz，最大功率95Kw□气源压力大于:0.4Kgf/cm3□设备外形尺寸(长×宽×高)：2660×1850×2620(mm)□净重量：6000Kg QP-613A型内圆切片机该机主要用于半导体材料、玻璃、陶瓷、钽酸锂、铌酸锂等脆硬材料的切割。主要技术特点□采用精密滚动轴承的立式主轴结构，具有主轴刚度大、精度高、寿命长、不易振动的特点。□工作台采用精密直线导轨，交流伺服系统，调速范围宽,低速性好，可满足不同材料切割要求，拓宽了适用范围。□送料系统采用步进电机及驱动模块，系统稳定，精度高。□采用PLC可编程控制器，控制简洁可靠，易于维护。□采用彩色触摸屏，人机界面美观，操作灵活，便于人性化管理。主要技术指标□切割晶棒最大直径：153mm□刀片规格：690mm×241mm×0.15mm或690mm×235mm×0.15mm□切割晶棒最大长度：400mm□切割进给速度：0.2～120mm/min□切割返回速度：1～1000mm/min□主轴转速：1420r/min□送料进给步距偏差：±0.005mm（按1mm当量进给）□片厚设定范围：0.001～68.000mm  片厚设定分辨率：0.001mm□晶向调节:水平方向(X)±7°（分辨率2′）  垂直方向(Y)±7°（分辨率2′）□功耗：3.5kW，～380V±38V，50Hz±1Hz□空气源：0.4～0.5MPa；250L/min（刹车瞬时）□冷却水源：0.2～0.4MPa；5L/min□触摸屏：7.7英寸□外形尺寸：1645mm×925mm×2820mm□重量：2500kgDJ-801型硅片倒角机该机主要用于直径4英寸-8英寸硅片、玻璃圆片等硬脆材料的边缘磨削。主要技术特点1. 采用高精度激光传感器对晶片进行定位；2. 全自动加工过程并实时监控加工状态；3. 片盒取完或装满时自动提示。4. 高精度磨轮轴及磨轮进给系统保证了晶片磨削精度；5. 可自动上下片，对磨削后的晶片可自动清洗。主要技术指标□晶片直径：4～8inch □晶片厚度：0.6～1.2mm□晶片形状：带定位边硅片，圆片□磨轮外径：200mm□磨轮旋转速度：5000r/min□磨轮外型：R型、T型磨轮□片厚测定分辨率：0.1μm□片厚测定进给步距偏差：±2μm□磨轮主轴上下移动分辨率：1μm□送片工作台旋转分辨率：0.001°□清洗甩干工作台旋转速度：0-3000r/min□承片台转速：≦200r/min□磨轮主轴上下运动：AC伺服电机□承片台X-Y向运动分辨率：1μm□承片台X-Y向运动：AC伺服电机□承片台中心定位精度：±50μm□外形：1500mm×1000mm×1800mm□重量：1500kgSFQ系列湿法清洗台SFQ系列湿法清洗台主要应用于各种半导体基片及类似材料制造过程中的湿法清洗工艺。如半导体硅片、砷化镓，太阳能电池板，掩 模板 个人简介word模板免费下载关于员工迟到处罚通告模板康奈尔office模板下载康奈尔 笔记本 模板 下载软件方案模板免费下载 及各种平板显示器等。主要技术特点※最大可清洗片子尺寸：Φ300mm。※槽体数量可根据用户工艺要求配置。 ※清洗槽最高加热温度可达200℃。※快速排放冲洗槽排放，冲洗次数可设置。※槽体结构可选单片盒，或双片盒结构。※槽内传输有手动、自动方式可选。※可选配超声清洗，或兆声清洗功能。※可选配液体循环系统。※具有故障提示，报警等功能。主要技术指标□去离子水压力：0.25~0.3Mpa□排水口：Φ60mm□酸液排放口：1/2″PFA管□氮气压力：0.25~0.3MPa□氮气接口管径：3/8″PE管□压缩空气压力：0.25~0.3Mpa□压缩空气接口：3/8″PE管□电源：AC380V±AC38V(三相五线)□整机功率：视用户配置而定□外型尺寸：根据用户要求制作LXS系列立式旋转冲洗甩干机LXS系列立式旋转冲洗甩干机主要应用于太阳能电池和半导体硅片等的冲洗甩干工艺环节，具有容量大、效率高的特点。主要技术特点□ 彩色液晶触摸屏实时监控，可存储多种工艺菜单□ 腔体和转架采用316不锈钢，电化学抛光处理□ 去离子水电阻率监控功能□ 无刷电机驱动□ 氮气温度控制      □ 转轴氮气密封□ 具有锁盖防护功能   □ 故障诊断、显示、报警功能□ 可按用户特殊要求配置主要技术指标□ 去离子水耗量：12L/min(MAX)□ 去离子水压力：0.23~0.3MPa  (2.3~3kgf/cm2)□ 氮气耗量：240L/min(MAX)□ 氮气压力：0.25~0.3MPa  (2.5~3kgf/cm2)□ 氮气温度控制：100℃±5℃□ 旋转速度范围：100~900r/min□ 电源：AC220V±AC22V□ 外形：1150mm×1200mm×1250mm（800系列）□ 重量：280kgCXS系列旋转冲洗甩干机CXS系列旋转冲洗甩干机是我所根据市场需求研制开发的系列高洁净度冲洗甩干设备。该产品主要用于硅圆片、掩模板、太阳能电池等其他类似材料的高洁净度冲洗甩干。具有单腔、双腔两种结构（也可按用户要求配置）。主要技术特点：□ 采用高性能可编程控制器实现逻辑控制。□ 采用彩色液晶汉显监控，可存储百种用户工艺菜单。□ 结构采用净化处理技术。□ 去离子水电阻率监控。□ 防静电控制。□ 氮气温度控制。□ 腔体温度控制。□ 转轴氮气密封。□ 可选无刷电机驱动。□ 旋转载体定位。□ 故障诊断、显示及报警。□ 可按用户特殊要求配制主要技术指标：□加工硅片尺寸：~200mm(最大300mm)  （片架连接按用户要求配制）□工作腔数量：1~2个（可选）□去离子水耗量：5L/min（单腔）□去离子水压力：0.25~0.3MPa （2.5~3kgf/cm2）□氮气耗量：125L/min（单腔单片盒）□氮气压力：0.23~0.28Mpa   （2.3~2.8kgf/cm2）□氮气过滤精度：≤0.003μm□氮气温度控制：80℃±5℃□旋转腔转速：300~2400r/min□电源：AC220V±AC22V□整机功率：2.4KW（双腔） 1.2KW（单腔)□外型：765×460×1800(双腔)  730×460×1300(单腔)□重量：420kg(双腔)  240kg(单腔)JDQ系列晶圆电镀设备JDQ系列晶圆电镀设备是我所根据国内微组装行业需求开发的湿法电镀设备。该产品主要用于100mm～200mm半导体晶圆上Au、Cu、PbSn、AgSn等不同材料的湿法电镀工艺。主要技术特点※采用PLC10″液晶触摸屏实时监控，可存储多种工艺菜单※采用双脉冲电镀电源※有多种镀制方式、多种镀槽结构可供选择※整机采用模块化结构，镀槽数量可根据用户要求进行扩展※镀液连续循环过滤，流量变频控制※镀液温度、液位、PH值自动监控※高压DI水预浸润消泡功能※去离子水注入、排放、冲洗功能※镀液氮气保护※故障诊断、显示、报警功能主要技术指标□双脉冲电源：量程1A～3A，80V；精度1mA□镀液循环流量：5lpm～30lpm□镀液过滤精度：0.5um□镀液温度：室温～60℃±1℃□处理片数：水平喷镀、倾斜旋转喷镀，1片/槽；垂直挂镀，2片/槽□沉积速度：0.5um/min～1.5um/min□整机功率：8kwSB-601型曝光机主要用于功率电子器件、传感器、光电子器件、微波电路、MEMS（微电子机械系统）以及其它新型电子元器件的单、双面对准及曝光工艺。主要技术特点1. 独特的版架支撑系统，可对基片与掩模之间的接触压力进行调节和显示，实现掩模与基片的精确分离和接触。2. 底部和顶部对准观察系统扫描范围大，成像清晰、定位精度高。物镜由微电机驱动，可独立进行X、Y、Z向三维调节，移动速度线性可调。3. 由多关节机械手和预对准台实现自动上、下片，提高生产效率。4. 采用先进的空气轴承 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 ，可快速、精确地进行楔形误差补偿，结构自由度高，找平效果好。高性能恒功率汞灯电源，易于触发，可靠性高，并具有安全保护功能。主要技术指标□基片尺寸：φ6″       □掩模尺寸：7″×7″□双面对准精度：2.0μm(20×物镜)□放大总倍率：90×、175×、350×□对准工作台机构指标：  行程: X/Y:±5mm  θ向旋转:±5°（C型）；       ±3°（A、B型）□Z向驱动机构指标：  Z向驱动行程: 10mm□曝光光源机构指标：  曝光分辨率：  1.5μm（真空接触）  最大曝光范围： φ160mm，UV400  曝光不均匀性： ±5%（φ160mm）；±3%（φ110mm）  曝光强度：   ≥10mW/cm2（1000W汞灯）□物镜分离距离:   30～100mm(BSA)（B、C型）  60～100mm(BSA)（A型）  30～145mm(TSA)□预对准台精度：  ±60μm（可选，仅适用于φ4″、φ6″基片）□所需设施：  输入电压： ～220V±22V(50Hz)  整机功率： 1.5KW      室内光线: 红色、黄色  压缩空气： 0.5～0.7MPa  氮气：   0.2～0.4MPa  真空：   －0.08～－0.1MPa□体积及重量：  外形尺寸：  1500mm×1100mm×1860mm（A型）  940mm×1100mm×1860mm（B、C型）  重量：500kg（A型）     400kg（B、C型）　SB-402型曝光机该机主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS）等制作的双面对准和曝光。主要技术特点1. 高精度薄型精密双层三维对准工作台，采用交叉滚柱V形导轨副和θ向超薄轴承及中心滑块结构，保证了工作台的直线性和旋转精度。2. 机械手采用直线导轨和滚珠丝杠结构，具有高的定位精度和重复精度。3. 上掩模版的升降导轨选用THK可调分离型直线导轨，驱动采用高分辨率的数显微分头，从而保证两掩模版的重复精度和定位精度。4. 双光路结构的卧式分离视场显微镜，可以获取高清晰的图像。5. 上、下两套独立的紫外光曝光系统，采用先进的结构 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 ，具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。主要技术指标□对准工作台指标:  X向行程：±4mm  Y向行程：±4mm  旋转角θ向：±5° □基片尺寸：φ4″ □掩模尺寸：5″×5″ □双面对准精度：±0.004mm □机械手机构指标；  Z向行程:5mm  机械手对下掩模分离间隙：  0～100μm（当量1μm） □曝光系统指标；  光源：350W超高压汞灯  波长：UV400   最大曝光面积；φ110mm  曝光不均匀性：±3%曝光分辨率：3μm（正胶）  汞灯冷却：风冷  曝光时间：0～999s档量1s □分离视场显微镜指标：  总倍率：65X  视场：φ3.3mm  物镜分离距离：26～70mm □所需设施：  输入电压：～220V±22V（50HZ）  整机功率：1.5KW  室内光线:红色、黄色  氮气:0.2～0.4MPa  压缩空气:0.5～0.7MPa  真 空:－0.08～－0.1MPa □体积及重量：  重量： 480㎏  外形尺寸:1030㎜×840㎜×1600㎜ BG-401A型曝光机主要用于中小规模集成电路、声 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面波器件和其它各种半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。主要技术特点※对准精度高，漂移小。精密楔形误差补偿机构实现三点找平，找平力小，延长掩模版使用寿命。※采用柱体蝇眼透镜和高能力集光的椭球反射镜等精密光学件，具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。※在X、Y方面进行大范围扫描观察，可进行单视场或双视场切换，提高对准效率和套准精度，同时兼容CCD成像显示功能。※电气控制采用可编程控制器（PLC）、LCD显示屏，操作方便，汞灯电源易于触发，可靠性高。该设备的关键件采用进口或专业厂家制造，气动元件采用SMC的产品，提高了设备的稳定性、可靠性，同时提供个性化服务。主要技术指标□工作台行程：  X向：±5mm Y向：±5mm  Z向：3mm  θ向：±12°□掩模尺寸：5″×5″□基片尺寸：φ4″□基片与掩模微分离间隙：0-0.05mm □曝光分辨率：1.5um（真空接触）□曝光系统及波长：采用250W超高压汞灯，UV400□曝光方式：真空接触、硬接触□曝光时间：0-999.9s连续可调□曝光面积：φ108mm□曝光不均匀性：±3% □分离视场显微镜  总倍率：100×（50×可选）  扫描范围：50mm×50mm  调焦范围：8mm  物镜分离距离：28-90mm □所需设施：  输入电压： ～220V±22V(50Hz)  整机功率： 1KW      室内光线: 红色、黄色  压缩空气： 0.5～0.7MPa  氮气：   0.2～0.4MPa  真空：   －0.08～－0.1MPa □体积及重量：  外形尺寸：1000mm×700mm×1300mm  重量：300kgBG-402曝光机主要用于中小规模集成电路、声表面波器件、LED和其它各种半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。主要技术特点※对准精度高，漂移小。精密楔形误差补偿机构实现找平，找平力小，延长掩模版使用寿命。Z向采用空气轴承导向，气动驱动，实现了找平与分离的自动控制。在X、Y方面可进行大范围扫描观察。 ※采用柱体蝇眼透镜和高能力集光的椭球反射镜等精密光学件，具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。※可进行单视场或双视场切换，提高对准效率和套准精度，同时兼容CCD成像显示功能。※电气控制采用可编程控制器（PLC）、LCD显示屏，操作方便，汞灯电源易于触发，可靠性高。该设备的关键件采用进口或专业厂家制造，气动元件采用SMC的产品，提高了设备的稳定性、可靠性，同时提供个性化服务。主要技术指标□工作台行程：  X/Y：±5mm（粗动）±0.1mm（微动）θ：±5°  扫描范围：30mm×30mmZ向行程：24mm□掩模尺寸：Max5″×5″□基片尺寸：Maxφ4″□基片与掩模微分离间隙：0～0.05mm □曝光系统：采用350W超高压汞灯□曝光分辨率：1.5um（真空接触）□曝光时间：0～999s连续可调□曝光面积：φ110mm□曝光不均匀性：±4% □分离视场显微镜  总倍率：100×（50×可选）  调焦范围：8mm  物镜分离距离：28～90mm □所需设施：  输入电压：～220V±22V 50Hz±1Hz  整机功率：1.0kW      压缩空气；0.5～0.7MPa  氮气：0.2～0.4MPa  真空：－0.08～－0.1MPa □体积及重量：  外形尺寸：  950mm×1000mm×1520mm  重量：400kg　TZ-801型自动探针测试台高精密测试机型，适合于大管芯（≥1mm），压焊点≥80μm半导体IC、分立元件、非光敏元件的自动中测，与测试仪连接后，能自动完成管芯的精密电参数测试及功能测试。主要技术特点1.台式结构，平面电机气浮工作台2.支持测试仪及设备一体化（预留有集成空间）3.承片台光电闭环控制4.承片台采用镀金工艺，上下片过程具有芯片防磨损功能5.工作台无摩损、低噪声、长寿命、易维护6.可调分离针探头测试，探卡测试（可选）7.采用嵌入式专用工控机,集成专用运动控制器，15″LCD显示器8.I/O系统配备了光电隔离转接盒9.电控系统增加了过流、过压、过热保护功能10.集成网卡,支持设备联网11.Windows友好界面，动态显示测试过程12.具备探高测试功能13.同步/延时/离线打点（任选）14.手动/自动测试任选15.自动测试方式灵活多样（单点、矩阵、探边、圆形、圆环、自定义编辑、抽测）16.具有MAP图显示和输出功能，配合软件可实现脱机观察17.公/英制步距（任选）主要技术指标□可测片径：3″、4″、5″、6″、8″□显微镜：14X～90X□工作台行程：460mm×220mm□工作台速度：200mm/s□步进分辨率：0.002mm□定位精度：≤0.010mm□重复精度：≤0.003mm□步距范围：0.002-200mm（公制）0.000078"-7.8740"（英制）□Z向行程：0～6mm（可调）□Z向重复精度：±0.001mm□Z向分辨率：0.002mm□θ向调节范围：±15°□外形尺寸：（长×宽×高）1200mm×650mm×500mm□重量：约200kg□功率：1kW□电源：AC220V±22V,50Hz±1Hz□气源：0.4~0.6MPa□真空：0.08MPa（用户自备）□使用温度环境：15ºC-25ºC□相对湿度：＜70%□延时打点个数：1～7个□测试仪接口：TTL、RS232、GPIB（488）其中GPIB（488）为非标配，需另行订制□最多可布可调探头数：10支、打点器2支、探边器1支HP-603型精密自动划片机该机主要用于硅集成电路，发光二极管，铌酸锂、压电陶瓷、石英、砷化镓、蓝宝石、氧化铝、氧化铁、玻璃等材料的划切加工。主要技术特点1. Y轴采用滚动导轨，进口高密度定位电机，光栅尺闭环控制，无误差积累2. 同时安装环形光和同轴光,CCD监视对准系统。3. 简单、友好的用户操作界面，具有刃具磨损自动补偿功能。4. 进口空气静压主轴（交流），具有精度高、刚性好等特点。5. θ轴采用直驱交流伺服系统工作台，精度更高。主要技术指标轴转速3000~40000rpm对准系统照明光源同轴＋环形输出功率1.5kW放大倍率150XX轴切割行程Max230mm显示器15″彩色LCD切割速度0.1~400mm/s操作系统控制系统PCBaseY轴切割行程Max165mm操作系统Windows©2000单步步进精度0.003mm语言中文全程最大误差0.005/165mm加工尺寸工作尺寸160mm×160mm或Φ6″Z轴有效行程/刀盘尺寸Max20mm/Φ61mm圆形工作台Φ6″重复定位精度0.003mm方形工作台160mm×160mm刀具应用尺寸φ50mm~φ61mm安装体积500×865×1700(mm)θ轴转角范围Max320°净重500Kg重复定位精度±5″电源AC220V±10%，三相HP-600A(S)型自动划片机该机主要用于集成电路、发光二极管、铌酸锂、压电陶瓷、石英、砷化镓、蓝宝石、氧化铝、氧化铁、玻璃等材料的划切加工。主要技术特点1. 采用CCD监视对准系统，全中文人机界面，实时提示，操作方便。2. 多文件参数化模式控制，适应多种材料、不同模式划切3. 空气静压主轴，有三种直径刀盘（标准配置），刀具利用率更高。4. 独特的θ工作台，工作效率更高。主要技术指标主轴转速3000~40000rpm输出功率0.75kWX轴有效行程Max230mm切割速度0.1~300mm/s返回速度Max300mm/sY轴有效行程Max160mm步进设定范围0.001~154mm单步步进精度0.003mmZ轴有效行程Max20mm最小步进设定0.001mmθ轴转角范围Max260°重复定位精度±20″显微镜单物镜摄像放大倍率100X监视器17英寸彩色显示器工件尺寸2~6英寸应用刀片Φ50.8mm~Φ56mm安装体积（W×D×H）500×965×1560(mm)重量500kg电源AC220V±10%，三相HP-600S型精密自动划片机：增配划切箱、θ工作台、控制划切模式，能够增大划切尺寸（156mm*156mm），更适合太阳能行业使用。　选配部件：该机型的进口主轴可以选用直流空气静压主轴，具有热变形小、摩擦小、寿命长等特点。JHQ-800型激光划切机采用进口激光器、振镜、光学元件及高精度的运动平台，用户可以输入dxf图形文件，加工不同孔径不同形状的图形。自动上下料系统可选。图像实时对准系统，可以套刻各种图形，人性化设计的用户交流平台，功能完善，操作简单。主要技术指标：激光器：355nmDPSSL加工尺寸：8英寸加工材料：LTCC、硅晶圆、陶瓷、蓝宝石、玻璃、薄膜电路、多层复合材料等加工形状：圆孔——最小孔径φ0.1mm；方孔、半圆孔、异形孔划线——深度可控，划线宽度＜20μm切割——速度可控印字——特殊材料的打字TZ-610型自动探针测试台高精密测试机型，适合于大管芯（≥1mm），压焊点≥80μm半导体IC、分立元件、光敏元件的自动中测，具有抽测功能。与测试仪连接后，能自动完成管芯的精密电参数测试及功能测试。主要技术特点□全封闭立式结构，平面电机气浮工作台□支持测试仪及设备一体化（预留有集成空间）□支持遮光测试、可测光敏元件□承片台光电闭环控制□承片台采用镀金工艺，上下片过程具有芯片防磨损功能工作台无摩损、低噪声、长寿命、易维修□可调分离针探头测试，探卡测试（可选）□采用嵌入式专用工控机,集成专用运动控制器，15″LCD显示器□I/O系统配备了光电隔离转接盒，提高了抗干扰能力□电控系统增加了过流、过压、过热保护功能□集成网卡,支持设备联网□Windows友好界面，动态显示测试过程□具备探高测试功能□同步/延时/离线打点（任选）□手动/自动测试任选□自动测试方式灵活多样（单点、矩阵、探边、圆形、圆环、自定义编辑、抽测）□具有MAP图显示和输出功能，配合软件可实现脱机观察□公/英制步距（任选）□正常测试电压＜600V□通过付费升级可进行高压测试，测试电压＜1500V、电流＜5A主要技术指标□可测片径：3″、4″、5″、6″□显微镜：14X～90X□工作台行程：290mm×200mm□工作台速度：200mm/s□步进分辨率：0.002mm□定位精度：≤0.010mm□重复精度：≤0.003mm□步距范围：0.002-160mm（公制）0.000078"-6.29921"（英制）□Z向行程：0～4.0mm（可调）□Z向重复精度：±0.002mm□Z向分辨率：0.002mm□θ向调节范围：±15°□外形尺寸：（长×宽×高）720mm×650mm×1370mm□重量：约200kg□电源：AC220V±22V,50Hz□功率：0.6kw□气源：0.4-0.6MPa□真空：0.08MPa（用户自备）□使用环境温度：15℃-25℃□相对湿度：＜70%□延时打点个数：1～7个□测试仪接口：TTL、RS232、GPIB（488）其中GPIB为非标配，须另行定制最多可布可调探头数10支、打点器2支、探边器1支TZ-602型自动探针测试台高速机型，可实现遮光测试。主要用于管芯大小≤1mm、压焊点≥100μm的半导体器件，光电元件芯片的自动中测，与相应测试仪连接后，能自动完成对各种晶体管芯的电参数测试及功能测试。主要技术特点1.全封闭立式结构，进口导轨丝杠工作台，高速精密半闭环控制方式2.支持测试仪及设备一体化（预留有集成空间）3.支持遮光测试、可测光敏元件4.可调式分离针探头测试（探卡测试另选）5.单片机控制系统主控6.256色真彩显示屏（7″）7.全中文操作系统8.具有探高测试功能9.同步/延时打点任选10.手动/自动测试任选11.自动测试方式灵活多样（矩阵、探边、圆形）12.具有掉电保护功能13.系统帮助与各种提示信息14.公/英制步距主要技术指标□可测片径：3″、4″、5″、6″□显微镜：放大倍数14X～90X□工作台行程：200mm×280mm□工作台速度：X：300mm/sY：100mm/s□步进分辨率:0.005mm□定位精度:≤0.01mm□重复精度:≤0.003mm□步距范围:0.005～99.999mm/0.001″～9.999″□Z向行程:0～3mm□Z向精度:±0.003mm□Z向分辨率:0.004mm□θ向调节范围:±15°□外形尺寸（长×宽×高）:725mm×650mm×1400mm□重量:200㎏□功率:0.5kW□电源:AC220V±22V50Hz±1Hz□真空:0.08MPa（用户自备）□使用温度环境:15℃-25℃相对湿度:＜70%□延时打点个数：1～3个□测试仪接口:TTL、RS232□最大可布探头数：5支、打点器2支、探边器1支TZ-107C型自动探针测试台经济型机型。特别适用于用于芯片管芯≤1mm、压焊点≥100μm的非光电类分立元件半导体器件的中测，它与测试仪连接后，能自动完成对分立器件管芯的电参数测试及功能测试。主要技术特点1.导轨丝杠精密工作台2.台式分体结构3.可调式分离针探头测试4.单片机控制系统主控5.X/Y步进电机细分斩波驱动控制系统6.Z向开环控制7.数码显示8.具有探高测试功能9.同步/延时打点任选10.手动/自动测试任选11.自动测试方式灵活多样（矩阵、探边、仿形、圆形）12.公/英制步距主要技术指标□可测片径：2″、3″、4″□显微镜：14X~90X□工作台行程：260mm×200mm□工作台速度：100mm/s□步进分辨率：0.005mm□定位精度：≤0.010mm□重复精度：≤0.003mm□步距范围：0.005~9.999mm/0.001″~0.999″□Z向行程：0~3mm（可调）□Z向重复精度：±0.003mm□Z向分辨率：0.004mm□θ向调节范围：±15°□外形尺寸：1000mm×700mm×1150mm□重量：约150kg□功率：0.5kW□电源：AC220V±22V50Hz±1Hz□气源：0.4MPa~0.6MPa□真空：0.08MPa(用户自备）□环境温度：15℃~25℃℃□相对湿度：70%□延时打点个数：1～3个□测试仪接口：TTL□最多可布可调：探头数5支、打点器2支、探边器1支DXQ-601型多线切割机主要用于太阳能电池，以及各类半导体晶片加工。主要技术特点※具有手动、自动功能模式,界面直接显示线速、张力、被切材料的切割位置和进给速度、砂浆流量。操作简洁直观。※热交换器控制砂浆温度，温度控制准确。保证切片精度。※采用主轴电机变频控制方式。※采用张力传感器和伺服电机闭环控制。　主要技术指标□最大加工外形尺寸：方片:156×156×300(mm)2根 圆片：φ150×300(mm) 2根□使用线径：0.08～0.18mm(一般φ0.14mm)□线速最大：1000m/min□轴辊直径：φ190～200mm□最大钢丝储线量：φ0.14mm×300Km □工作台最大行程：240mm□工作台快速进给返回速度：50～500mm/min□工作台切割进给速度：0.1～2mm/min□切割线张力：10～50N(可调)□切削液容积：175升□砂浆泵流量：最大70L/min □电源：～380V±38V 50Hz±1Hz，最大功率95Kw□气源压力大于:0.4Kgf/cm3□设备外形尺寸(长×宽×高)：2660×1850×2620(mm)□净重量：6000Kg SFQ-1506ZT型自动硅片清洗机SFQ-1506ZT型自动硅片清洗机是一种为特定工艺要求而设计的湿法腐蚀清洗设备，它主要用于太阳能电池硅片生产过程中硅片的化学腐蚀及DI水冲洗工艺。设备具有生产效率高,自动化程度高，性能稳定,低成本，安全可靠等特点。主要技术特点※各清洗槽功能可根据用户要求配置※槽体材料可选用石英、PTFE、PVDF、PP和不锈钢等※PLC控制，触摸屏操作面板※精确温控，精度可达到±0.5℃※伺服驱动系统及片盒传输系统※关键外购件选用进口材料※多种工作模式：全自动、半自动、手动等※实时状态显示及故障报警※腐蚀槽配置自动盖※可实现化学液循环、自动配液等功能主要技术指标□ 清洗片盒数量：每个载体12盒  *可根据用户定制□ 氮气压力：0.3～0.35MPa□ 压缩空气压力：0.45～0.6MPa□ 去离子水压力：0.2～0.3MPa□ 自来水压力：0.2～0.3MPa□ 排水口管径：OD φ60mm□ 设备废气排风量：≥8500L/min/每个排风口□ 电源：AC380V±38V 50Hz (三相五线制)□ 整机功率：视用户配置而定LXS系列立式旋转冲洗甩干机LXS系列立式旋转冲洗甩干机主要应用于太阳能电池和半导体硅片等的冲洗甩干工艺环节，具有容量大、效率高的特点。主要技术特点□ 彩色液晶触摸屏实时监控，可存储多种工艺菜单□ 腔体和转架采用316不锈钢，电化学抛光处理□ 去离子水电阻率监控功能□ 无刷电机驱动□ 氮气温度控制      □ 转轴氮气密封□ 具有锁盖防护功能   □ 故障诊断、显示、报警功能□ 可按用户特殊要求配置主要技术指标□ 去离子水耗量：12L/min(MAX)□ 去离子水压力：0.23~0.3MPa  (2.3~3kgf/cm2)□ 氮气耗量：240L/min(MAX)□ 氮气压力：0.25~0.3MPa  (2.5~3kgf/cm2)□ 氮气温度控制：100℃±5℃□ 旋转速度范围：100~900r/min□ 电源：AC220V±AC22V□ 外形：1150mm×1200mm×1250mm（800系列）□ 重量：280kgCXS系列旋转冲洗甩干机CXS系列旋转冲洗甩干机是我所根据市场需求研制开发的系列高洁净度冲洗甩干设备。该产品主要用于硅圆片、掩模板、太阳能电池等其他类似材料的高洁净度冲洗甩干。具有单腔、双腔两种结构（也可按用户要求配置）。主要技术特点：□ 采用高性能可编程控制器实现逻辑控制。□ 采用彩色液晶汉显监控，可存储百种用户工艺菜单。□ 结构采用净化处理技术。□ 去离子水电阻率监控。□ 防静电控制。□ 氮气温度控制。□ 腔体温度控制。□ 转轴氮气密封。□ 可选无刷电机驱动。□ 旋转载体定位。□ 故障诊断、显示及报警。□ 可按用户特殊要求配制主要技术指标：□加工硅片尺寸：~200mm(最大300mm)  （片架连接按用户要求配制）□工作腔数量：1~2个（可选）□去离子水耗量：5L/min（单腔）□去离子水压力：0.25~0.3MPa （2.5~3kgf/cm2）□氮气耗量：125L/min（单腔单片盒）□氮气压力：0.23~0.28Mpa   （2.3~2.8kgf/cm2）□氮气过滤精度：≤0.003μm□氮气温度控制：80℃±5℃□旋转腔转速：300~2400r/min□电源：AC220V±AC22V□整机功率：2.4KW（双腔） 1.2KW（单腔)□外型：765×460×1800(双腔)  730×460×1300(单腔)□重量：420kg(双腔)  240kg(单腔)CXS系列旋转冲洗甩干机CXS系列旋转冲洗甩干机是我所根据市场需求研制开发的系列高洁净度冲洗甩干设备。该产品主要用于硅圆片、掩模板、太阳能电池等其他类似材料的高洁净度冲洗甩干。具有单腔、双腔两种结构（也可按用户要求配置）。主要技术特点：□ 采用高性能可编程控制器实现逻辑控制。□ 采用彩色液晶汉显监控，可存储百种用户工艺菜单。□ 结构采用净化处理技术。□ 去离子水电阻率监控。□ 防静电控制。□ 氮气温度控制。□ 腔体温度控制。□ 转轴氮气密封。□ 可选无刷电机驱动。□ 旋转载体定位。□ 故障诊断、显示及报警。□ 可按用户特殊要求配制主要技术指标：□加工硅片尺寸：~200mm(最大300mm)  （片架连接按用户要求配制）□工作腔数量：1~2个（可选）□去离子水耗量：5L/min（单腔）□去离子水压力：0.25~0.3MPa （2.5~3kgf/cm2）□氮气耗量：125L/min（单腔单片盒）□氮气压力：0.23~0.28Mpa   （2.3~2.8kgf/cm2）□氮气过滤精度：≤0.003μm□氮气温度控制：80℃±5℃□旋转腔转速：300~2400r/min□电源：AC220V±AC22V□整机功率：2.4KW（双腔） 1.2KW（单腔)□外型：765×460×1800(双腔)  730×460×1300(单腔)□重量：420kg(双腔)  240kg(单腔)