[教学]9-0 第九章教授教化基础请求

[教学]9-0 第九章教授教化基础请求第九章静电场中的导体(dǎotǐ)和电介质尼愧臣千衙犀危戏迂蘑漱棒戚莽絮启飘拇界沃釉肠胃贬菱复胳难恃滤弦壶9-0,,,,,第九章教学基本(jīběn)要求9-0,,,,,第九章教学基本(jīběn)要求第一页，共3页。一理解静电场中导体处于静电平衡时的条件，并能从静电平衡条件来分析带电导体在静电场中的电荷分布.三理解电容的定义，并能计算几何形状简单的电容器的电容.四了解静电场是电场能量的携带者，了解电场能量密度的概念，能用能量密度计算电场能量.教学基本要求二了解电介质的极化及其微观机理，了解电位移矢量的概念，以及在...

第九章静电场中的导体(dǎotǐ)和电介质尼愧臣千衙犀危戏迂蘑漱棒戚莽絮启飘拇界沃釉肠胃贬菱复胳难恃滤弦壶9-0,,,,,第九章教学基本(jīběn)要求9-0,,,,,第九章教学基本(jīběn)要求第一页，共3页。一理解静电场中导体处于静电平衡时的条件，并能从静电平衡条件来分析带电导体在静电场中的电荷分布.三理解电容的定义，并能计算几何形状简单的电容器的电容.四了解静电场是电场能量的携带者，了解电场能量密度的概念，能用能量密度计算电场能量.教学基本要求二了解电介质的极化及其微观机理，了解电位移矢量的概念，以及在各向同性介质中，和电场强度的关系.了解电介质中的高斯定理，并会用它来计算对称电场的电场强度.絮栖抛原漾但扎到软涩嗣淑叁蓬痪蚊化厚似娥熄竟势蠕刊妖迎故鬼坝报蜒9-0,,,,,第九章教学(jiāoxué)基本要求9-0,,,,,第九章教学(jiāoxué)基本要求第二页，共3页。内容(nèiróng) 总结第九章。一理解静电场中导体处于静电平衡时的条件，并能从静电平衡条件来分析带电导体在静电场中的电荷分布.。三理解电容的定义，并能计算几何(jǐhé)形状简单的电容器的电容.。四了解静电场是电场能量的携带者，了解电场能量密度的概念，能用能量密度计算电场能量.。教学基本要求第三页，共3页。

                    本文档为【[教学]9-0 第九章教授教化基础请求】，请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑，
                    图片更改请在作品中右键图片并更换，文字修改请直接点击文字进行修改，也可以新增和删除文档中的内容。 
 该文档来自用户分享，如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服，我们会及时删除。

                    [版权声明] 本站所有资料为用户分享产生，若发现您的权利被侵害，请联系客服邮件isharekefu@iask.cn，我们尽快处理。

                    本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权，请谨慎使用。

                    网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传，仅限个人学习分享使用，禁止用于任何广告和商用目的。
                

下载需要：免费已有0 人下载

立即下载

你可能还喜欢

最新资料

资料动态

专题动态

安安

暂无简介~

格式：ppt

大小：504KB

软件：PowerPoint

页数：3

分类：修理服务/居民服务

上传时间：2021-12-01

浏览量：0

热点搜索

重庆大学城市科技学院学生实习报告用纸水土保持区域评估范文共6篇沈阳市房地产开发项目部分收费明细表农贸市场物业管理方案 (2) 《形式美及其法则》课件1 最新小学数学+++听课记录优秀名师资料如何自行破解试用期30天的软件？[基础] dty网络丝、重网丝、轻网丝区别古诗灵峰之山,其上曰金鸡之峰翻译赏析论新传播革命_新传播革命_研究之二深圳市水务局关于印发《深圳市涉河建设项目管理若干意见(试行) [化学]金矿金品位测定的实用方法 ScreenOS_参考指南_完全手册第13_卷_通用分组无线业务 Large‐band‐gap SiC, III‐V nitride, and II‐VI ZnSe‐based semiconductor device technologies 重庆大学城市科技学院学生实习报告用纸水土保持区域评估范文共6篇沈阳市房地产开发项目部分收费明细表农贸市场物业管理方案 (2) 《形式美及其法则》课件1 最新小学数学+++听课记录优秀名师资料如何自行破解试用期30天的软件？[基础] dty网络丝、重网丝、轻网丝区别古诗灵峰之山,其上曰金鸡之峰翻译赏析论新传播革命_新传播革命_研究之二深圳市水务局关于印发《深圳市涉河建设项目管理若干意见(试行) [化学]金矿金品位测定的实用方法 ScreenOS_参考指南_完全手册第13_卷_通用分组无线业务 Large‐band‐gap SiC, III‐V nitride, and II‐VI ZnSe‐based semiconductor device technologies