模拟电路基本知识

模拟电路基本知识 模拟电子技术基本知识 第一章 半导体器件 填空 1、在杂质半导体中～多数载流子的浓度取决于,杂质浓度,。 2、本征半导体中自由电子浓度,等于,空穴浓度。 3、N型半导体、P型半导体均,呈中性,。 4、当PN结正向偏臵时～扩散运动,大于,漂移运动。反向偏臵时～扩散运动,小于,漂移运动。 5、在本征半导体中掺入少量,三 ,价元素可以构成P型半导体。掺入,五,价元素～构成N型半导体。 6、当PN结正向偏臵时～空间电荷区,变窄 ,～呈现的电阻性能,变小,。 7、当PN结反向偏臵时～空间电荷区,变宽 ,～呈现的电阻性能,变大,。 8、P型半导体中～电子浓度,小于,空穴浓度。N型半导体中～电子浓度,大于,空穴浓度。 9、当,发射结反向偏臵、集电结反向偏臵 ,时～晶体管工作在截止区。 10、当,发射结正向偏臵、集电结反向偏臵, 时～晶体管工作在放大区。 12、当,发射结正向偏臵、集电结正向偏臵,时～晶体管工作在饱和区。 U13、晶体管发射结正偏～集电结反偏～若此时仅增大～则,I基本不变,。 CCE 14、场效应管是,电压控制电流,器件。 U,U,U15、处于放大状态的NPN型晶体管～各电极的电位关系是,,。 CBE U,U,U16、处于放大状态的PNP型晶体管～各电极的电位关系是,,。 EBC 。 3kΩ VD 6V U O10V 。 17、理想二极管构成的电路如图所示～则,VD导通～U=-10V , O 18、二极管的死区电压,即开启电压,的大小与环境温度及材料有关～硅二极管的死区电压约为,0.5V ,。 19、锗材料二极管正向导通时～在管子上的正向电压U为,0.2V,。 D 所示～则该管是,耗尽型NMOS,场20、某场效应管的转移特性如图 效应管。 21、测得工作在放大区的晶体管～各极对地电位分别为2.7V～3V～6.8V～则对应的三个电极分别是,发射极～基极～集电极 , 22、测得工作在放大区的晶体管～各极对地电位分别为9V～8.3V～2V～则对应的三个电极分别是,发射极～基极～集电极, 23、在一个放大电路中～测得某三极管各极对地的电位为U=3V～U=,3V～U=123,2.7V～则可知该管为,NPN锗管,。 24、某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为:,10V～,6V～,6.2V～ 则该三极管为,PNP锗管,。 25、PN结加正向电压时～内电场将,减弱 ,～耗尽区,变窄 ,。 26、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA、3.66mA和3.6mA。则该管的β值为,60,。 27、对于结型场效应管～栅源极之间的PN结,必须反偏,。 ,0V～晶体28、某硅半导体三极管各电极对地的电压值为V,6V～V,0.7V～VCBE管工作在,放大区,。 29、某硅半导体三极管各电极对地的电压值为V,6V～V,2V～V,1.3V～晶体CBE管工作在,放大区,。 30、当温度升高时～半导体三极管的参数将发生的变化是,β增加～Iceo增加～U减小 ,。 BE 31、BJT管是,电流控制电流 ,器件。 32、某晶体管发射极电流为1mA～基极电流为20μA～则集电极电流为,0.98 ,mA。 33、N沟道JFET正常工作时～栅极与源极间所加电压的极性为, 负,。 34、N沟道JFET符号为, ,。 35、下列哪个N沟道增强型MOSFET符号为, , 36、MOSFET是利用栅源电压的大小来控制, 漏极,电流的大小。 37、根据晶体管的工作状态不同～可以将输入输出伏-安特性曲线分为(放大区、饱和区、截止区)三个区。 uU/TIe(1),38、二极管的电流方程是, ,。 s I39、某工作在放大状态的三极管～当基极电流由60μA降低到40μA时～集B I电极电流由2.3mA降低到1.5mA～则此三极管的动态电流放大系数β为,40 ,。 C II40、工作在放大区的某三极管～如果当从12μA增大到22μA时～从1mACB 变为2mA～那么它的β约为,100 ,。 Ig41、当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时～它的低频跨导将,增Dm大 ,。 42、晶体管能够放大的内部条件是,发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度～并且基区很薄～集电结面积比发射结大 ,。 43、PN结中的内电场方向是,N区指向P区,。 44、在图示电路中A点电位为3V～B点电位为0V～F点的电位为,3V ,。 45、在图示电路中A点电位为3V～B点电位为0V～F点的电位为,0V ,。 46、在图示电路中A点电位为3V～B点电位为3V～F点的电位为,3V ,。 47、当PN结正向偏臵时～内电场,减弱 ,。当PN结反向偏臵时～内电场,增 ,。 强 UV,348、图示电路～ ～电阻R,1kΩ～二极管的正向压降为i U0.7V～则为,0.7V ,。 o UV,349、图示电路～ ～电阻R,1kΩ～二极管的正向压降为i U0.7V～则为,1.5V ,。 o UV,350、图示电路～ ～电阻R,1kΩ～二极管的正向压降为i U0.7V～则为,4.3V ,。 o 51、图示电路～当A=3V～B=3V时～二极管D1,导通 ,～D2,导通 ,。 U52、硅三极管工作在放大状态～发射结电压约为,0.7V ,。 BE 53、场效应管的三个工作区域包括,可变电阻区、恒流区、夹断区 ,。 54、温度升高时～BJT的β,增大,～极间反向电流,增大, 55、温度升高时～BJT的输出特性曲线,上移 , 判断 1、PN结在无光照、无外加电压时～结电流为零。,Y , 2、稳压管稳压电路正常工作时～稳压管工作在正向导通状态。,N , 3、半导体导电机理与导体导电机理一样～都是仅仅由于自由电子的定向移动形成。, N , 4、PN结正偏时正向电阻很小～呈现低阻态～反偏时反向电阻很大～呈现高阻态。,Y , 5、半导体共价键中的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子的现象称为本征激发。,Y , 6、在本征半导体中～自由电子与空穴总是成对出现的。,Y , 7、本征半导体中～任何时候自由电子数和空穴数总是相等的。,Y , 8、在本征半导体中掺入少量5价元素杂质～可以构成P型半导体。, N , 9、在本征半导体中掺入少量5价元素杂质～可以构成N型半导体。,Y , PN结外加正向电压时导通～外加反向电压时截止。, Y , 10、 11、PN结正偏时～内电场与外电场方向相反。,Y , 12、PN结正偏时～内电场与外电场方向相同。,N , N沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。,N , 13、 14、P沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。,N , 15、所谓耗尽型场效应管是指当栅源间不加电压时～就存在导电沟道。,Y , 16、当栅源间不加电压时～没有导电沟道的场效应管属于增强型场效应管。,Y , 17、对于JFET管～在可变电阻区改变栅源电压的大小可以有效地控制沟道电阻的大小。,Y , 18、当JFET工作特性进入恒流区时～漏极电流基本保持不变。,Y , 19、JFET是电压控制电流器件～漏极电流受栅源间电压的控制。,Y , 20、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素～可将其改型为P型半导体。,Y , 21、因为N型半导体的多子是自由电子～所以它带负电,P型半导体的多子是空穴～所以它带正电。,N , 22、处于放大状态的晶体管～集电极电流是多子漂移运动形成的。,N , 23、在电场力作用下～载流子的运动称为扩散运动。,N , 24、物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动～这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。, Y, 25、当PN结的反向电压超过一定数值后～反向电流急剧增加～称之为反向击穿。击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。, Y, 26、在一定条件～PN结具有电容效应～根据产生原因的不同分为势垒电容和扩散电容。,Y , 27、最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。, Y, 28、二极管最高反向工作电压就是击穿电压。,N , 29、晶体管比效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强。,N , 30、半导体之所以被重视～是因为其导电能力在不同的条件下有显著的差异。, Y , 31、二极管可以长期使用～通过它的电流不受限制。, N , 32、二极管正偏导通时可以用开路取代～反偏截止时可以用短路取代。,N , 33、当晶体管工作在饱和区时～晶体管失去线性放大作用。,Y , 34、工作在放大区的晶体管具有线性放大作用。,Y , 35、在晶体管中发射结是指基区与集电区之间的PN结。, N , 36、在开关电路中～晶体管工作在截止区或饱和区～相当于一个开关的断开或接通。,Y , 37、不论何种类型的晶体管～其内部均有发射区、基区和集电区3个区。,Y , 38、在晶体管中基区和发射区之间的PN结称为集电结。, N , 39、温度对本征半导体的导电性能几乎没有影响。, N , 40、稳压二极管的稳定电流是稳压管工作在稳压状态时的参考电流～只要不超过额定功率～电流愈大～稳压效果愈好。, Y , 41、稳压二极管的动态电阻愈大～稳压管的稳压特性愈好。,N , 42、稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流～从而保证稳压管正常工作～故称这个电阻为限流电阻。, Y , 43、硅管比锗管受温度影响要大的多。, N , 44、场效应管靠半导体中的多数载流子导电～称双极型晶体管。, N , 45、P区与N区交界面形成耗尽层～漏极与栅极间的非耗尽层区域称为导电沟道。, ,N 46、利用场效应管做放大管时～应使其工作在恒流区。,Y , 第二章 基本放大电路、 填空 1、对于基本共射放大电路的特点～其错误的结论是,输出电压与输入电压相位相同 ,。 R2、在基本共射极放大电路中～集电极电阻的作用是,将输出电流的变化量C 转化为输出电压的变化量, 3、在放大电路中～若负载电阻R越大～则其电压放大倍数, 越大,。 L 4、共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系为,同相,。 UCCRCRB+C+2+C+1uoui--U5、电路如下图所示～已知U,12V～R,3kΩ～β,40,忽略～CCCBE U,9VR若要使静态时～则 应取, 480kΩ,。 CEB C6、如下图所示放大电路中～电容断开后电路的电压放大倍E 数将,减小 ,。 7、用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如图所示～判断其属于何种类型的失真,截止失真 ,。 8、由NPN管组成的单极共射放大电路～当输入正弦波电压时～输出U如下图O 所示～可确定输出波形产生的失真为,饱和失真,。 9、下列哪一个决定了放大电路放大能力的大小。,电压增益 , 10、下列哪一个决定了放大电路从信号源吸取信号辐值的大小。,输入电阻 , 11、下列哪一个决定了放大电路带负载能力的大小。,输出电阻 , 12、某放大电路输入端信号的峰,峰值电压为5mV～输出端测到的信号峰—峰值电压为1V～则电压增益为,200 ,。 13、射极输出器的电压放大倍数( 小于1但接近于1 )。 14、交流信号放大电路产生饱和失真的原因是,静态工作点选择过高,。 共射电路信号的传输方向是,发射极输入～集电极输出,。 15、 16、作放大电路的交流通路时～电路中的电容相当于,短路,～直流电源相当于,短路,。 16、作放大电路的直流通路时～电路中的电容相当于,开路,～信号源相当于,短路,。 17、共集电极放大电路的电压放大倍数,小于1,～而电流放大倍数,很大,。 18、既能放大电流又能放大电压的放大组态是,共射放大电路 ,。 19、常用于电压放大电路的输入级和输出级～在功率放大电路中也常采用射极输出的形式的电路是,共集放大电路,。 20、常用于宽频带放大电路的是,共基放大电路 ,。 21、常做为低频电压放大电路的单元电路的是,共射放大电路,。 22、共射—共基放大电路不属于单管放大电路三种接法电路,Y,。此题改过 23、如下图所示的放大电路中～如果放大电路的所有参数均不变～但去掉旁路电容C～则电路的电压放大倍数和输入电阻将怎样变化, 电压放e 大倍数减小、输入电阻增大,。 24、利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的,交流参数 ,。 A,125、射极输出器的特点是, Au<1,且～输入电阻大～输出电阻小,。 u 26、为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好地配合～可以在信号源与负载之间接入,共集放大电路 ,。 27、共发射极放大电路的核心元件是,三极管 ,。 28、下列哪一项在共发射极放大电路中具有调整基极电流的作用。,基极偏臵电阻 , 29、下列哪一项在共发射极放大电路中具有隔直流通交流的作用。,耦合电容 , 30、对放大电路进行动态 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 的主要任务是,确定电压放大倍数Au和输入、输 出电阻ri～ro,。 判断 1、若静态工作点设臵太低～易产生截至失真。, Y , 2、若静态工作点设臵太高～易产生截至失真。, N , 3、放大器件的非线性特性所引起的失真属于非线性失真。, Y , 4、NPN型晶体管构成的放大电路中～集电极电位一定最高。,Y , 5、晶体管能够放大的内部条件是发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度～并且基 , 区很薄～集电结面积较大。,Y 6、放大电路中引入直流负反馈只能稳定静态工作点～不能改善各项动态性能指标。, Y , 7、由于放大的对象是变化量～所以当输入信号为直流信号时～任何放大电路的输出都毫无变化。,N , 8、静态工作点的合理与否直接影响到电路能否正常放大。, Y , 9、射极偏臵放大电路具有自动稳定工作点的功能。,Y , 10、放大电路输出电阻越大～电路带负载能力越强。, N , 11、放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的～与静态工作点的选择无关。( N ) , 12、只有电路既放大电流又放大电压～才称其有放大作用。, N 13、可以说任何放大电路都有功率放大作用。, Y , 14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。,Y , N , 15、作放大电路的直流通路时～信号源可视为短路～其内阻为零。, 16、因晶体管截止而产生的失真称为截止失真～只有减小基极电源VBB～才能消除截止失真。, N , 17、因晶体管饱和而产生的失真称为饱和失真～为消除饱和失真～可以增大基极电阻Rb或集电极电阻Rc。, N , 18、共基放大电路只能放大电流不能放大电压。, N , 19、共集放大电路只能放大电压不能放大电流。,N , 20、共集放大电路输入电阻小～电压放大倍数和输出电阻与共射电路相当～频率特性是三种接法电路中最好的。, N , 21、共基放大电路是三种接法电路中输入电阻最大、输出电阻最小的电路～具有电压跟随的特点。, N , I22、稳定Q 点～常用引入交流负反馈或温度补偿的方法使在温度变化时产生BQ I与相反的变化。, N , CQ 23、当环境温度升高时～晶体管的电流放大系数β将增大～Q点将沿直流负载线上移～向饱和区变化。,Y , 24、当环境温度降低时～晶体管的电流放大系数β将减小～Q点将沿直流负载线上移～向饱和区变化。,N , 25、放大电路没有输入信号时的工作状态称为动态。,N , 26、当放大电路有信号输入时～电路中各处的电压、电流都处于变动的工作状态～成为动态。, Y , 27、共发射极放大电路的输出信号与输入信号反相。, Y , 28、共发射极放大电路又可以被称为射极输出器。, N , 29、共集电极放大电路又被称为射极跟随器。,Y , 30、射极输出器的性能特点使其既可以作多级放大电路输入级～又可以作输出级。,Y , 31、共发射极放大电路的静态是指放大电路没有信号输入时的工作状态。,Y , 32、对放大电路进行静态分析是为了确定放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻等。, N , 33、放大电路静态工作点选取过低过高都容易产生非线性失真。,Y , 34、用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时～输入信号必须是小信号～否则容易产生非线性失真。, Y , 35、微变等效电路法的分析思想是把非线性电路等效为一个线性电路～用线性电路的分析方法来分析。,Y , 36、基本共发射极放大电路的输入电阻越小～信号源的衰减越大。, Y , 37、在输出信号不失真的情况下～负载上能够获得的最大功率称为最大输出功率。,Y , 38、当输入电压再增大就会使输出波形产生非线性失真的输出电压称为最大不失真输出电压。, Y , 第三章 填空 1、放大器产生零点漂移的主要原因是,电路参数随环境温度的变化而变化 ,。 。, 2、将多级放大电路级联起来后～总电压增益将(提高) 3、差动放大电路是为了,克服温漂,而设臵的。, 4、差分放大电路的共模抑制比K越大～ 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 明电路, 抑制零漂能力越强,。 CMR 5、差分放大电路的作用是, 放大差模信号～抑制共模信号,。 6、两个参数对称的三极管组成差动电路～在双端输入和双端输出时～与单管电路相比其放大倍数,相同,。,负载开路时 7、直接耦合多级放大电路,既能放大直流信号～也能放大交流信号 ,。 8、直接耦合多级放大电路与阻容耦合,或变压器耦合,多级放大电路相比～低频响应,好 ,。 9、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是,不易制作大容量电容 ,。 11、用恒流源取代长尾式差分放大电路的发射极电阻～将使单端输出电路的, 抑制共模信号能力增强,。 12、互补输出极采用共集形式是为了使,带负载能力强 ,。 13、下面关于直接耦合放大电路不正确的是,各级静态工作点相互独立～在求解或实际调试Q点时可按单级处理。 ,。 14、集成放大电路中经常采用, 直接耦合方式 ,。 15、下面关于阻容耦合放大电路正确的是,各级静态工作点相互独立～在求解或实际调试Q点时可按单级处理。 ,。 16、变压器耦合方式的最大特点是,可以实现阻抗变换 ,。 17、抑制温漂的方法不包括, 采用多级放大电路,。 18、双端输出的差分放大电路主要是, 利用电路的对称性,来抑制零点漂移。 19、在典型的差分放大电路中～适当地增大射极公共电阻Re将会提高电路的,共模抑制比 ,。 20、典型差分放大电路由双端输出变为单端输出～共模电压放大倍数,变大 ,。 21、差分放大电路的共模抑制比的定义是, 差模放大倍数与共模放大倍数,绝对值, ,之比。 22、两级直接耦合放大电路的A1,-100～A2,1～则总电压增益为,-100 ,。 A,,40A,,5023、两级放大电路～～～若输入电压U,5mV～则输出电压u1u21 10V , Uo为, 24、阻容耦合多级放大电路～,各级静态工作点独立,～所以这类电路,温漂小,。 25、阻容耦合多级放大电路,各级静态工作点独立～不能放大直流信号,。 第三章 判断 1、共模电压增益越大～放大电路的性能越好。,N , 2、共模抑制比越大～说明电路抑制共模信号的能力越强。, Y , 3、共模抑制比定义为对共模信号的电压增益与对差模信号的电压增益之比的绝对值。, N , 4、多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益之和。, N , Y , 5、理想差分式放大电路对共模信号没有放大能力。, 6、零点漂移就是当放大电路的输入端开路时～输出端有缓慢变化的电压产生。, N , 7、直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号～但是不能放大交流信号。( N ) AA8、差分放大电路的差模放大倍数愈大愈好～而共模放大倍数愈小愈好。cd ,Y , 9、阻容耦合放大电路各级的Q点相互独立～它只能放大交流信号。, Y , 10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响～它只能放大直流信号。,N , 11、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。, N , 12、多级放大电路四中常见的耦合方式包括直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。( y ) 13、光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和传递的～因其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。, Y , 14、将放大电路的前级输出端通过电容接到后级输入端～称为阻容耦合方式。, Y , 15、温漂是由温度变化引起的半导体器件参数变化而产生的零点漂移现象。, Y , 16、差分放大电路在差模信号作用下～射极电阻Re是直流负反馈电阻～起到了稳定Q点的作用。,N ,,不妥 17、双端输入单端输出电路与双端输出电路相比～其差模放大倍数的数值增大。, N , 18、单端输入电路与双端输入电路的区别在于:在差模信号输入的同时～伴随着共模信号输入。,Y , 19、双端输入单端输出电路～其共模放大倍数为零～共模抑制比为无穷大。, N , 20、在差分放大电路中～增大发射极电阻Re的阻值～能够有效地抑制每一边电路的温漂～提高共模抑制比。, Y , 21、当输入电压为正弦波时～输出电压在ui过零附近将产生失真～这种失真称为交越失真。, Y , 22、对于电压放大电路的输出级一般有两个基本要求:一是输出电阻高～二是最大不失真输出电压尽可能小。, N , 23、在双端输入的差动放大电路中～射极电阻Re对共模信号无影响～对差模信号具有抑制作用。, N , 24、在双端输入的差动放大电路中～射极电阻Re越大～共模电压增益越小～共模抑制比越大～用电流源代替Re后～电路的共模电压增益更小～理想时～共模抑制比趋于无穷大。, Y , 25、差分放大电路有两个信号输入端和两个信号输出端～因此有四种不同的连接方式。,Y , 26、差分放大电路双端输出时～差模电压增益等于半边差模等效电路的电压增益,负载开路时,～共模电压增益近似为零～共模抑制比趋于无穷大。,Y ,, 27、差模电压增益Aud等于差模信号输出电压与输入电压之比～Aud越大～表示对差模信号的放大能力越大。, Y , 28、共模电压增益Auc等于共模信号输出电压与输入电压之比～Auc越大～表示对共模信号的抑制能力越大。, N , 29、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差～共模信号是两个输入端信号的平均值。, Y , u,10mvu,6mv30、若差动放大电路的输入电压～,则相应的差模输入电压i1i2 为4mV,y,。 31、若差分放大电路的输入电压ui1=10mv, ui2=6mv,则相应的共模输入电压为8mv, Y ,。 第四章 填空 1、在集成运放电路中～各级放大电路之间采用了,直接 ,耦合方式。 2、理想集成运放的输入电阻为,无穷大 ,。 3、下列关于集成电路运算放大器的描述哪个是正确的,是一种高电压增益、高输入电阻、低输出电阻的多级直接耦合放大电路 ,。 4、下列哪一个为集成电路运算放大器的各级提供合适的工作电流。,偏臵电路 , 5、理想集成运放的开环电压放大倍数为,无穷大 ,。 6、由集成运放构成的电压跟随器～工作在线性区～输入电压为u～则输出电压等于,u ,。 7、集成运放制造工艺使得同类半导体管的, 参数一致性好,。 8、通用型集成运放适用于放大,低频信号 ,。 9、集成运放的中间级多采用, 共射放大电路 ,。 10、集成运放的输出级多采用,互补对称电路 ,。 11、通用型集成运放的输入级通常采用, 差分放大电路, 12、集成运放对输出级电路的要求下列不对的是,输出电阻大 ,。 A、输出电压线性范围宽 B、输出电阻大 C、带负载能力强 D、非线性失真小 13、集成运放中作为主放大器的是,中间级 ,。 14、下图所示电路是, 镜像电流源电路,。 15、集成运放对前臵级电路的要求不包括,具有较高放大能力 ,。 A、输入电阻高 B、差模放大倍数大 C、抑制共模信号能力强 D、具有较高放大能力 16、集成运放电压传输特性线性区的斜率为,电压放大倍数 ,。 第四章 判断 1、集成运放的输入级常采用差分式放大电路是为了抑制零点漂移提高共模抑制比。, Y , , 2、集成运放的失调电压愈小～表明电路参数对称性愈好。, Y 3、集成运放的失调电压是两输入端电位之差。, N , 4、集成运放输入失调电流反映输出级差放管输入电流的不对称程度。,N , Y , 5、集成运放的输入失调电流是两输入端电流之差。, 6、在输入信号作用时～偏臵电路改变了各放大管的动态电流。, N , 7、集成运放的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端～这里的“同相”和“反相”是指运放两个输入端电压之间的相位关系。,N , 8、由于集成运放放大的对象是差模信号～并且通过外电路引入反馈～故称其电压放大倍数为差模开环放大倍数。, ,N, 9、镜像电流源电路比比例电流源电路具有更高的温度稳定性。, N , 10、集成运放内部电路第一级是差动放大电路～因此它具有两个输入端。, Y , 11、因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路～所以它只能放大直流信号～不能放大交流信号。,N , 12、只要是工作在线性状态的集成运放～其反相输入端均可按虚地处理。, N ,,应为虚短 13、当理想运放工作在线性区时～可以认为其两个输入端“虚断”而且“虚地”。,N ,,应为虚断 虚短 第六章 填空 1、关于负反馈～以下说法错误的是, ,。A A、使放大倍数增大 B、使放大倍数稳定 C、电路非线性失真减小 D、通频带展宽 ,，,,(2n，1),AF2、负反馈放大电路产生自激振荡的相位条件是, ,。 3、负反馈放大电路自激振荡的平衡条件是, ,。 AF,,1 4、下列关于深度电压负反馈描述正确的是, ,。D A、使放大电路的输入电阻减小 B、使放大电路的输入电阻增大 C、使放大电路的输出电阻趋于无穷大 D、使放大电路的输出电阻趋于零 5、下列关于深度并联负反馈描述正确的是, ,。A A、使放大电路的输入电阻减小 B、使放大电路的输入电阻增大 C、使放大电路的输出电阻趋于无穷大 D、使放大电路的输出电阻趋于零 6、串联负反馈能使电路的,输入电阻增大 ,。 7、为了使放大器具有稳定输出电压的作用～应在放大电路中引入,电压负反馈 ,。 8、并联负反馈能使放大电路的,输入电阻减小,。 9、为了使放大器具有稳定电流的作用～应在放大电路中引入,电流负反馈 ,。 10、为使电路输入电阻高～稳定输出电压～应引入,电压串联负反馈 ,。 11、如果反馈信号与外加输入信号在放大电路的输入回路中以电压的形式求和～则为,串联反馈 ,。 12、如果反馈信号与外加输入信号在放大电路的输入回路中以电流的形式求和～则为,并联反馈 ,。 13、要求提高放大电路的带负载能力～同时减小对信号源索取的电流～应引入 ( 电压串联负反馈) 14、并联反馈的反馈量以,电流,形式馈入输入回路～和输入,电流,相比较而产生净输入量。 15、判断如图所示电路引入的反馈类型为,电压串联负反馈 ,。 U CC R C R B + + C + 1 + C R 2 E u u o i - - 16、判断如图所示电路引入的反馈类型为,电压串联负反馈 ,。 17、判断如图所示电路引入的反馈类型为, 电压并联负反馈 ,。 18、负反馈放大电路在下列哪种情况下～容易引起自激振荡。, ,A A、反馈环路增益太大 B、反馈系数太大 C、放大电路在中频区引入了负反馈 D、放大电路的中频增益太小 18、若一个负反馈放大电路满足自激振荡的相位条件～那么它, ,。B A、一定会产生自激振荡 B、可能会产生高频自激振荡 C、一定不会产生自激振荡 D、一定会产生高频自激振荡 20、判断如图所示电路引入的反馈类型为, 电压串联负反馈 ,。 21、判断如图所示电路引入的反馈类型为, ,。直流负反馈、 22、对于放大电路～所谓开环是指,无反馈通路,。 23、对于放大电路～所谓闭环是指,存在反馈通路,。 24、在输入量不变的情况下～若引入反馈后,净输入量减小 ,～则说明引入的反馈是负反馈。 25、直流负反馈是指,在直流通路中的负反馈,。 26、交流负反馈是指,在交流通路中的负反馈,。 27、稳定静态工作点应引入,直流负反馈,,稳定放大倍数应引入,交流负反馈,。 28、抑制温漂应引入,直流负反馈,,展宽频带应引入,交流负反馈 ,。 电压转换电路～应在放大电路中引入,电压并联负反馈,。 29、欲得到电流— 30、欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号～应在放大电路中引入,电流串联负反馈,。 31、欲从信号源获得更大的电流～并稳定输出电流～应在放大电路中引入,电流并联负反馈,。 32、当反馈量取自输出电压时称为,电压反馈, 33、当反馈量取自输出电流时称为,电流反馈 , 34、下列说法不正确的是, ,D, A、交流负反馈使放大电路的输出量与输入量之间具有稳定的比例关系～任何因素引起的输出量的变化均将得到抑制。 B、负反馈的基本作用是将引回的反馈量与输入量相减～从而调整电路的净输入量和输出量。 C、反馈量的实质是对输出量的取样～其数值与输出量成正比。 D、反馈系数与放大电路的输入输出电阻以及负载大小都有关。 35、放大电路中有反馈的含义是, 电路中存在反向传输的信号通路,。 36、直流负反馈在电路中的主要作用是, 稳定静态工作点,。 37、交流负反馈在电路中的主要作用是,改善电路动态性能 ,。 38、负反馈放大电路是以降低电路的,增益 ,来提高电路的其他性能指标。 39、负反馈所能抑制的干扰和噪声是指,反馈环内的干扰和噪声 ,。 ,, |AF|,140、正弦波振荡电路的起振条件是, ,。 应在第8章 41、判断下图所示电路引入了哪种组态的反馈。,电压串联负反馈 , 42、判断下图所示电路引入了什么反馈。,交直流负反馈 , 45、判断下图所示电路引入了什么反馈。, 直流负反馈, 46、如图所示电路～判断其引入了哪种组态的反馈。, 电压串联负反馈, 第六章 判断 , 1、如果引入反馈后～增益减小了～这种反馈一般称为正反馈。,N 2、输出信号的一部分或全部反馈回来～结果使净输入信号增强～则为负反馈。,N , 3、负反馈有四种方式:根据输入端的结构～可分为串联反馈和并联反馈,根据输出端的结构可分为电压反馈和电流反馈。,Y , 4、负反馈有四种方式:根据输入端的结构可分为电压反馈和电流反馈,根据输出端的结构～可分为串联反馈和并联反馈。,N , 5、串联负反馈中～信号源内阻越大～反馈效果越好。,N , 6、并联负反馈中～信号源内阻越大～反馈效果越好。, Y , 7、引入负反馈后～放大电路的放大倍数提高了～稳定性反而降低了。,N , 8、如果反馈过深～有时放大电路就不能稳定工作～而产生自激。,Y , 9、只要是工作在线性状态的集成运放～其反相输入端均可按虚地处理。,N, 10、电压负反馈稳定输出电压～电流负反馈稳定输出电流。,Y , 11、只要在放大电路中引入反馈～就一定能使其性能得到改善。,N , 12、放大电路级数越多～引入的负反馈越强～电路的放大倍数也就越稳定。,N ,易自激 13、反馈量仅仅决定于输出量～由输入量直接作用所产生的电流,电压,不是反馈量。,Y , 14、既然电流负反馈稳定输出电流～那么必然稳定输出电压。, N , 15、若放大电路的放大倍数为负～则引入的反馈一定是负反馈。,N , 16、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。,Y , 17、若放大电路引入负反馈～则负载电阻变化时～输出电压基本不变。, ,N 18、只有三级或三级以上的反馈电路中才有可能产生自激～且反馈深度越大～越易产生自激。,Y ,, 19、电路的自激振荡会随着输入信号的改变而消除。,N , 20、反馈放大电路的极性在线路接成后就固定不变。,N ,随输入信号频率变 21、反馈信号维持着输出信号～而输出信号又维持着反馈信号～它们互相依存～ 则称电路产生了自激震荡。,Y , 22、电路产生了自激震荡～可以进行正常放大～称电路处于稳定状态。,N , X23、电路产生自激振荡～在起振过程中有一个从小到大的过程～故起振条件o AF,1。,N , 为 24、为了改善电路动态性能～应引入直流负反馈。,N , 25、闭环放大倍数的稳定性是以损失放大倍数为代价的～闭环放大倍数减小到基本放大电路放大倍数的,1+AF,分之一～才使其稳定性提高到基本放大电路倍数的,1+AF,倍。,Y , 26、深度负反馈的实质是在近似分析中忽略输入量。,N ,jing 27、反馈系数不仅与反馈网络有关～还与放大电路的输入、输出特性及负载电阻有关。,N , 28、引入并联负反馈后～输入电阻是基本放大电路输入电阻的,1+AF,倍。,N , , 29、引入串联负反馈后～输入电阻是基本放大电路输入电阻的,1+AF,倍。,Y 30、引入电压负反馈后～输出电阻是基本放大电路输出电阻的,1+AF,分之一倍。,Y , 31、引入电流负反馈后～输出电阻是基本放大电路输出电阻的,1+AF,分之一倍。,N , 32、当电路引入深度负反馈时～放大倍数几乎仅仅决定于反馈网络～而与基本放大电路无关。, ,Y AA33、若～则大于～称电路产生了自激振荡。, ,N 11，,AFf 'AFXX,/34、环路放大倍数。, ,N fi 35、电路引入电压串联负反馈后～可以将电路的输出看成为电压控制的电压源～且输出电阻无穷大。,N , 36、电路引入电流串联负反馈后～可将电路的输出看成为电流控制的电流源～且输出电阻趋于无穷大。,N , 37、电路引入电压并联负反馈后～可将电路的输出看成为电压控制的电压源～且输出电阻趋于零。,N , 38、电路引入电流并联负反馈后～可将电路的输出看成为电流控制的电流源～且输出电阻趋于无穷大。,Y , 39、只要放大电路中存在将输出回路与输入回路相连接的通路～则表明电路中引入了反馈。,N ,,还要看信号源 40、只要相位条件满足就可以产生自激振荡。, N , 41、负反馈方块图中的反馈系数F～考虑了信号源内阻和负载电阻的影响。,N ,,未考虑 42、在深度负反馈条件下～Af=1/F～因此不需选择稳定的电路参数。,N , 多选 1、 负反馈对放大电路性能的影响包括, ,。ABCD易 A、稳定放大倍数 B、改变输入输出电阻 C、展宽频带 D、减小非线性失真 2、若输入信号是恒压源～可在电路中引入, ,。AC中 A、 电压串联负反馈 B、 电压并联负反馈 C、 电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 3、若输入信号是恒流源～可在电路中引入, ,。BD中 A、 电压串联负反馈 B、 电压并联负反馈 C、 电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 4、负载欲得到稳定的电压～可在电路中引入, ,。AB易 A、 电压串联负反馈 B、 电压并联负反馈 C、 电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 5、负载欲得到稳定的电流～可在电路中引入, ,。CD易 A、 电压串联负反馈 B、 电压并联负反馈 C、 电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 第七章 填空 Rf1、图示运算电路～u0和ui之间的关系是, ,。 uu,,0iR2 -uiRR,u2、如图示电路～若～电路的输出等于, ,。 1fo R fR 1 ? u i， u o， R 2 3、电路如图所示～其电压放大倍数等于 ( 1 )。 ?-uO，ui， 4、某滤波器的通带增益为A～当f?0时～增益趋向于零,当f??时～增益趋0 向于A～那么该滤波器具有,高通,特性。 0 5、某滤波器的通带增益为A～当f?0时～增益趋向于A,当f??时～增益趋00 向于零～那么该滤波器具有,低通,特性。 C 0 ui0R1 uo0R26、下图所示电路是实现,基本积分运算电路 ,。 7、实现uo=-(ui1+ui2)的运算～应采用,反相求和,运算电路。 8、实现uo=-3ui的运算～应采用, 反相比例,运算电路。 9、同相输入比例运算电路,输出电压大于输入电压 ,。 10、欲将正弦波电压移相+90?～应选用,积分运算电路 ,。 11、欲将正弦波叠加一个直流量～应选用,加法运算电路 ,。 12、欲实现Au=-100的放大电路～应选用,反相比例运算电路 ,。 13、欲将方波电压转化成三角波电压～应选用,积分运算电路 ,。 14、欲将方波电压转化成尖顶波电压～应选用, 微分运算电路,。 15、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器～应选用,带阻滤波电路 ,。 16、已知输入信号的频率为10KHz~12KHz～为了防止干扰信号的混入～应选用,带通滤波电路 ,。 17、为了获得输入电压中的低频信号～应选用,低通滤波电路 ,。 18、为了使滤波电路的输出电阻足够小～保证负载电阻变化时滤波特性不变～应选用,有源滤波电路 ,。 19、,同相比例,运算电路可实现Au>1的放大器。 20、,反相比例,运算电路可实现Au<1的放大器。 21、,微分,运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 22、,同相求和,运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3～a、b和c均大于零。 23、,反相求和,运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3～a、b和c均小于零。 24、由运放组成的线性电路是指, 输入输出函数呈线性关系?,。 25、由运放组成的积分和微分运算电路～,线性电路 ,。 26、为了使运放工作于线性状态～应, 引入深度负反馈,。 u,u27、如图所示～设A为理想运放～那么～电路中存在如下关系, ,。 -i 30、如图所示电路是一个,一阶低通 ,有源滤波电路。 32、在带通有源滤波电路中～品质因数Q较大时～电路,选择性较强 ,。 33、理想集成运放的输出电阻为,0,。 uu,,034、理想集成运放工作在线性区时～有“虚短”现象～即, ,。 PN ii,,035、理想集成运放工作在线性区时～有“虚断”现象～即, , PN36、理想集成运放的共模抑制比为,无穷大,。 37、图示运算电路～u0和ui1、ui2之间的关系是, u0,,ui1,ui2 ,。 、ui2之间的关系是, u0,ui2,ui1 ,。 38、图示运算电路～u0和ui1 39、运算放大器电路如图所示～则电路的输出电压为,-Ui ,。 2R 0R0UoUi02R R 42、下图所示电路是, 积分运算电路,。 44、有用信号频率低于20Hz～可选用,低通滤波器 ,。 45、有用信号频率低于500Hz～可选用,低通滤波器 , 46、希望抑制50Hz的交流电源干扰～可选用, 带阻滤波器,。 47、图示运算电路～u0和ui1、ui2之间的关系是, A ,。难 A、u0,-10ui1+11ui2 B、u0,-10ui1，20ui2 C、 u0,,10ui1,20ui2 D、u0,-10ui2-11ui1 48、在下图所示电路中～运算放大器的饱和电压为?12V～稳压管的稳定电压为6V～设正向压降为零～当输入电压u=,1V时～输出电压u等于 ( )。B io A. ,12 V B. 6V C. 12V D. ,6V uRi1?-Ru3O，，DZR2 第七章 判断 1、指数和对数运算电路中～集成运算放大器处于非线性运用状态。, ,N 2、指数和对数运算电路中～输出与输入之间是非线性关系～但运放仍工作在线性区。, ,Y易 3、工作在线性区和非线性区的运算放大器都可以使用虚短和虚断的概念。, ,N 4、在运算电路中～比例、加和减运算电路的输出与输入关系是线性关系～运放也工作在线性区。, ,Y 5、“虚短”和“虚断”的结论对微分、积分电路的分析仍适用。, ,Y难 6、反相比例运算电路中引入一个负反馈～而同相比例运算电路中引入的是正反馈。, ,N 7、理想集成运放工作在线性区～具有虚短路和虚断路的特点。, ,Y中 8、运算电路中一般引入负反馈。, ,Y易 9、在运算电路中～集成运放的反相输入端均为虚地。, ,N中 10、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。, ,Y 11、各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。, ,N 12、同相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地～而反相比例运算电路中 ,N中 集成运放两个输入端的电位等于输入电压。, 13、反相比例运算电路的输入电阻大～而同相比例运算电路的输入电阻小。, ,N中 14、同相比例运算电路具有高输入电阻、低输出电阻的优点。, ,Y中 15、同相比例运算电路的比例系数大于1～而反相比例运算电路的比例系数小于零。, ,Y中 16、在理想滤波器中～通带内信号衰减为零,阻带内信号衰减为无穷大。, ,Y易 17、根据通带和阻带所处的频率区域不同～通常将滤波器分成低阻、高阻、带阻和带通等形式的滤波器。, ,N易 18、集成运放工作在线性区的特征是电路引入了反馈。, ,N中 19、对于集成运放～通过无源的反馈网络将集成运放的输出端与反相输入端连接起来～就表明电路引入了负反馈。, ,N难, 20、由理想集成运放构成的比例运算电路～其闭环增益与运放本身的参数无关。, ,Y难 21、射极跟随器比电压跟随器具有更好的跟随特性。, ,N中 22、所有输入信号均作用于集成运放的同一个输入端～则实现加减运算。, ,N易 23、若将基本微分电路中～接在集成运放负反馈支路的电容换成二极管～便可得到基本的对数运算电路。, ,N难 24、若将基本微分电路中～接在输入回路的电容换成三极管～便可得到基本指数运算电路。, ,Y难 25、若滤波电路仅由电阻、电感、电容组成～则称为无源滤波电路。, ,Y易 26、若滤波电路不仅由电阻、电感、电容～还由双极型管、单极型管、集成运放组成～则称为有源滤波电路。, ,Y易 27、带通滤波器的Q值越大～他的通带宽度就越窄,设其中心频率不变,。, ,Y中 28、低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限截止频率。, ,N难 第八章 填空 1、正弦波振荡电路振荡频率f的大小取决于,选频电路的参数 ,。、 0 2、电感三点式正弦波振荡电路的,输出波形较差 ,。 ,,,，,2n3、正弦波振荡电路振荡的相位平衡条件是, ,。 AF 条件是, AF,1 ,。 4、正弦波振荡电路振荡的辐值平衡 5、LC振荡电路的静态工作点一般选在, 放大 ,区。 6、电压比较器的输出电压的大小与输入电压的差值有关 ,。 7、正弦波振荡电路的振荡频率由, 相位平衡,条件决定。 8、产生低频正弦波～一般可用,RC ,振荡电路。 9、在RC振荡电路中引入负反馈的目的是,稳幅 ,, 10、正弦波振荡电路中正反馈的作用是,保证满足相位平衡条件 , 11、为了得到频率稳定度高的正弦波信号～应采用, 石英晶体,振荡电路。 12、在电压比较器中的集成运放一般在,非线性 ,条件下工作。 13、制作频率为20Hz~20kHz的音频信号发生电路～应选用, RC桥式正弦波振荡电路, 14、制作频率为2MHz~20MHz的接收机的本机振荡器～应选用 ( LC正弦波振荡 电路) 15、根据, 选频网络,的元器件类型不同～将正弦波振荡器分为RC型、LC型和石英晶体振荡器。 16、振荡电路选频特性的优劣主要与电路的,品质因数Q ,有关。 17、振荡电路的频率稳定度主要与振荡电路的,品质因数Q ,有关。 18、LC型正弦波振荡电路没有专门的稳幅电路～它是利用放大电路的非线性来自动稳幅的～但输出波形一般失真并不大～这是因为,谐振回路选频特性好 ,。 19、在方波三角波振荡电路～改变,积分电路结构～使充电和放电时间常数不等 ,～可将三角波变为锯齿波。 20、,电压比较器 ,运放工作在非线性状态。过零比较器属于,单限比较器 ,。 21、工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放主要区别是～前者运放通常工作在,开环,状态或,正反馈,状态 。 22、若希望在Vi<3V时～Vo为高电平～而在Vi>3V时～Vo为低电平。可采用,单限比较器 第八章 判断 2、RC串并联正弦波振荡电路～振荡角频率ω0,1/RC, ,Y 1f3、RC串并联正弦波振荡电路～振荡频率是,。, ,Y 02,RC 4、放大电路只要引入正反馈就能产生自激振荡。, ,N 5、在正弦波振荡器中～选频网络可以由R、C元件构成～也可以由L、C元件构成。, ,Y 6、在BJT变压器反馈式LC振荡电路中～选用β较大的管子或者增加变压器原 副边之间的耦合程度～都可以易于起振。, ,Y难 7、电压比较器的输出电压和输入电压成正比。( )N 8、一个振荡电路要建立振荡～必须满足起振幅度条件和相位条件||1AF, 。, ,Y ,，,,2n,AF 9、电容三点式电路输出高次谐波成分大～因此振荡输出波形较好。, ,,Y 10、正弦波振荡电路属于正反馈电路。, ,Y :,0,11、因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的～单管共集放大电路的F :,0,,,,，,2n～满足正弦波振荡的相位条件,n为整数,～故合理连接它AAF 们可以构成正弦波振荡电路。, ,N中 13、电路只要满足～就一定会产生正弦波振荡。, ,N易 ||1AF, 15、在LC正弦波振荡电路中～不用通用型集成运放作放大电路的原因是其上限截止频率太低。, ,Y中 17、当集成运放工作在非线性区时～输出电压不是高电平～就是低电平。, ,Y易 18、一般情况下～在电压比较器中～集成运放不是工作在开环状态～就是仅仅引入了正反馈。, ,Y易 19、如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同～那么当它们的输入电压相同时～它们的输出电压波形也相同。, ,N中 20、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中～单限比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。, ,Y中 21、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强～而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。, ,N中 23、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。, ,N难 24、非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。, ,N中 25、在比较器电路中～运放工作在开环或是正反馈条件下～运放的输出电压只有正和负两种饱和值。在这种情况下～运放输入端虚短的结论不再适用～但虚断的结论仍然存在。, ,Y难 26、电压比较器是一种差动输入的开环运算放大器。, ,, Y 27、在正弦波振荡电路中～一要反馈信号能够取代输入信号～电路中必须引入负反馈,二要有外加选频网络～用以确定振荡频率。, ,N难 28、电压比较器能够将模拟信号转换成具有数字信号特点的两值信号～即输出不是高电平就是低电平。, ,Y易 29、集成运放工作在非线性区～既用于信号转换～又作为非正弦波发生电路的重要组成部分。, ,Y难 30、单限比较器只有一个阈值电压～窗口比较器和滞回比较器有两个阈值电压。, ,Y中 31、窗口比较器和滞回比较器都具有两个阈值电压～所以当输入电压向单一方向变化时～输出电压跃变两次。, ,N难 32、模拟电路中的非正弦波发生电路由滞回比较器和RC延时电路组成。, , Y中 33、电压比较器可将周期性变化的波形变为矩形波。, ,Y易 34、积分运算电路可将三角波变为方波～微分运算电路可将方波变为三角波。, ,N难 第九章 填空 1、甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比～主要优点是,交越失真小 , 2、理想情况下～甲类功率放大器的最大效率为,50, ,。 3、理想情况下～乙类功率放大器的最大效率为,78、5, ,。 04、甲类放大电路中～放大管的导通角为,360 ,。 05、甲乙类放大电路中～放大管的导通角θ为,180<θ<360 ,。 6、乙类放大电路中～放大管的导通角为,180 ,。 7、采用乙类双电源互补对称放大电路～如果要求功放的输出功率为10W～则只要每只BJT的最大允许管耗大于,2W ,就可以。 8、功率放大电路中～输出电压u,100cos(100t+65º)V～输出电流i = 10cos(ω /4)A～则输出功率为,500W ,。 t+π 9、,乙类功放电路,易产生交越失真。 10、,功率放大电路,中～管子工作在大信号状态。 12、功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时～输出基本不失真的情况下～负载上可能获得的最大,交流功率 ,。 13、功率放大电路的转换效率是指,最大输出功率与电源提供功率的平均功率之比 , 14、与甲类功率放大器相比较～乙类互补推挽功放的主要优点是,能量效率高 ,。 15、实际上～乙类互补推挽功放电路中的交越失真就是,截止失真 , 16、在甲类功率放大电路中～当输出电压幅值, 最大,时～管子的功耗最小。 第九章 判断 1、与甲类功率放大器相比较～乙类互补推挽功放的主要优点是能量效率高。, ,Y 2、乙类放大电路的效率要低于甲类放大电路。, ,N 3、电压放大电路属于甲类放大电路。, ,Y 4、乙类放大电路在一个工作周期内只有半个周期有电流。, ,Y易 5、在功率放大电路中～输出功率最大时～功放管的功率损耗也最大。, ,N难 6、静态电流是造成功率放大电路管耗的主要因素。, ,Y 7、功率放大器工作在甲类工作状态时～会产生交越失真。, ,N难 8、功率放大电路是工作在大信号工作状态。, ,Y 9、功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路都使输出电压大于输入电压。, ,N中 10、功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路都使输出电流大于输入电流。, ,N中 11、功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路都使输出功率大于信号源提供的输入功率。, ,Y中 12、功率放大电路比电压放大电路电源电压高。, ,N中 13、功率放大电路比电压放大电路电压放大倍数数值大。, ,N中 14、功率放大电路比电压放大电路效率高。, ,Y中 15、功率放大电路比电流放大电路电流放大倍数的。, ,N中 16、功率放大电路比电流放大电路效率高。, ,Y中 17、在电源电压相同的情况下～功率放大电路比电流放大电路输出功率大。, ,Y难 18、桥式整流电路由四个二极管组成～所以流过每个整流管的电流为流过负载电流的1/4 。, ,n 19、功率放大电路的主要技术指标为最大输出功率和转换效率。, ,Y中 20、分析功放电路时～可以采用适用于小信号的交流等效电路法。, ,N易 21、因为功放电路的输出电压和输出电流幅值均很大～所以功放管特性的非线性不可忽略～应采用图解法。, ,Y难 22、由于功放的输入信号较大～输出波形易产生非线性失真～电路中应采用适当方法改善输出波形～如引入直流负反馈。, ,N难 23、功率放大电路是在电源电压确定的情况下～以输出尽可能大的不失真的信号功率和具有尽可能高的转换效率为组成原则～功放常常工作在尽限应用状态。, ,Y难 第十章 选择 1、整流的目的是,将交流变直流 ,。 2、整流电路如图所示～已知输出电压平均值U是18V～则变压器副边电压有效O 值U是, 20 V ,。 2 DD12++uu2ORL-DD43- U3、设电源变压器次级电压有效值为～则单相全波整流电路中～二极管承受o1 的最高反向电压为, ,。 2Uo1 4、单相桥式整流电路中～已知输出电压平均值是18V～则变压器副边电压有效值是, 20 V,。 5、单相桥式整流电路中～已知输出电压平均值是9V～则变压器副边电压有效值是,10 V ,。 6、在单相桥式整流电路中～变压器次级电压有效值为10V～则每只整流二极管承受的最大反向电压约为, 14V ,。 7、单相桥式整流电路中～已知输出电流平均值等于50mA～则流过二极管的电流平均值是25mA 8、整流主要利用,二极管 ,来实现。 9、单相桥式整流电路由(4 )个二极管组成。 10、若要求某一单相桥式整流电路的输出直流电压Uo为9V～直流电流Io为24mA～ 则二极管承受的最高反向电压为, 14.14V ,。 11、二极管不具备下列所述的( 放大) 功能。 12、整流电路是把(交流)电变成( 直流)电。 I13、单相桥式整流电路中有4个二极管～故流过每个管子的电流I与负载电流oD I/2的关系为, ,。 o 14、整流电路输出端加上电容滤波后～使负载电压, 交流分量减小～平均值增大,。 15、在单相桥式整流电路中～若有一只整流管接反～则,整流管将因电流过大而烧坏 ,。 16、直流稳压电源中滤波电路的目的是, 将交直流混合量中的交流成分滤掉,。 17、单相半波整流电路中～若输出电流平均值为50mA～则流过二极管的电流平均值是,50mA ,。 第十章 判断 1、在整流电路中～是利用二极管的单向导电性将交流电转变为脉动的直流电。 Y , , 2、单向桥式整流电路中的每一个二极管在变压器副边电压的整个周期均导通。, ,N ,N 3、整流电路是用于滤去整流输出电压中的纹波～一般由电抗元件组成。, 4、在电容滤波电路中～C越大～负载电压中的纹波成分越小～负载平均电压越高。, ,Y 5、在电容滤波电路中～负载阻值越大～负载电压中的纹波成分越小～负载平均电压越高。, ,Y难 6、桥式整流电路由四个二极管组成～所以流过每个整流管的电流为流过负载电流的1/4 。, ,n 7、全波整流电路比半波整流电路效率低～脉动大。, ,N 8、在桥式整流电路中～流过每个二极管的平均电流相同～都只有负载电流的一半。, ,Y 9、全波整流和桥式整流电路的输入电压相同时～它们的输出波形也相同～每个二极管承受的反向电压也相同。, ,N 10、全波整流和桥式整流电路的输入电压相同时～它们的输出波形也相同～但每个二极管承受的反向电压不相同。, ,Y 11、直流稳压电源由整流电路、滤波电路和稳压电路组成。, ,Y易 12、直流稳压电路中的滤波电路可减小脉动使直流电压平滑。, ,Y中 13、直流稳压电路中的稳压电路的作用是在电网电压波动或负载电流变化时保持输出电压基本不变。, ,Y中 14、整流电路有半波和全波两种～最常用的是单相桥式整流电路。, ,Y易 17、若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源～则应采用, ,。D A、电容滤波稳压管稳压电路 B、电感滤波稳压管稳压电路 C、电容滤波串联型稳压电路 D、电感滤波串联型稳压电路 18、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是, ,。C A、基准电压 B、取样电压 C、基准电压与取样电压之差 D、基准电压与取 样电压之和