模拟电路基础试题及其解

模拟电路基础试题及其解 电子科技大学二零零 五 至二零零 六 学年第 一 学期期 末 考试 模拟电路基础 课程考试题 A 卷 , 120 分钟, 考试形式: 开卷 考试日期 2006 年 1月 12 日 课程成绩构成:平时 10 分～ 期中 30 分～ 实验 0 分～ 期末 60 分 一 二 三 四 五 合计 一,20分,、问答题 1(,8分,试叙述耦合电容、旁路电容、负载电容和晶体管内部电容效应对放大器频率响应的影响。 2(,3分,射极跟随器为何称为电压跟随器,它具有什么特点, 3(,3分,在集成电路中～为什么常用恒流源作为负载, 4(,6分,什么是频率失真、非线性失真、交越失真, 二,10分,、已知某反相比例放大器如图1所示～若图中集成运算放大器是理想的～已知电阻R和R～试求: 1f vo1(电压增益 A,vfvi RR2(输入电阻和输出电阻 ifof R3(直流平衡电阻 p 若图中集成运算放大器的电压增益为A～带宽为f。试求: oBW ,f4(带宽 BW 图1 V=12V,R=162kΩ,R=463kΩ,R=0.75kΩ,三,10分,、电路如图2所示～已知电路参数为: 12sDD 2VVKmAVrk,,,,1.5,4/,12.5R=4kΩRR,晶体管参数为:～试求输入电阻和输出电阻。 siTdsio 图2 四,10分,、某差动放大电路如图3所示～滑动电阻器的滑动片处于中间位置。已知三极管的Rw V,,,,0.7,50,100Vr,VVVVVV,,,,,6,12,12, 稳压管的 ,BEbbZCCEE R=5kΩ,R=100kΩ,R=30kΩ,R=200Ω,R=1kΩ。 bcLw 1( 试问构成什么电路, RTRV、、D、、ccez3 vo2( 求差模电压放大倍数A, vdvv,ii12 图3 五,10分,、反馈放大电路如图4所示。 1( 判断电路中的级间反馈类型和极性～说明反馈的作用, 2( 在深度负反馈条件下～写出电路的闭环电压增益 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 达式A, vf3( 若要稳定电路的输出电流～在尽量保留原电路形式下～应去掉哪几个元件,在深度负反馈条件下～写出修改后电 路的闭环电压增益表达式A。 vsf 图4 电子科技大学二零零三至二零零四学年第一学期 模拟电路基础 课程考试题(120分钟) 考试日期 2003年 12 月 20 日 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师 一、 单项选择题(在每小题的四项被选答案中，选择出一个正确的答案， 并将其号码填在提干的括号内。每小题2分，共30分) 1. 杂质半导体的杂质导电特性是指杂质半导体中 ( )。 (1) 多子远大于少子 (2) 多子远大于少子与其环境温度的改变无关 (3) 有限温度条件下，多子远大于少子 (4) 本征激发产生的自由电子空穴对可与杂质电离产生的载流子相比较 2(多子浓度与温度无关，其原因是( )。 (1)本征激发产生的多子远大于杂质电离产生的多子 (2)环境温度的改变不会改变本征激发产生的多子和杂质电离产生的多子的比例 (3)本征激发产生的多子远小于杂质电离产生的多子 (4)在适量参杂和限定环境温度变化范围条件下，本征激发产生的多子远小于杂质电离产生的多子 3(PN结两端反向偏压时，难以进行( )。 (1)少子扩散 (2)少子漂移 (3)多子扩散 (4)多子漂移 4. 锗材料二极管的PN结导通电压典型值为( )。 (1)0.5V (2)0.1V (3)0.3V (4)0.7V 5(用于电路稳压的稳压二极管工作在( )状态。 (1)反向截止 (2)正向导通 (3)死区 (4)反向击穿 6(某只工作在放大状态的三极管，测得其三个管脚对地的电位分别是6V、5.3V、1V 。由此判定出该管是( )。 (1)NPN锗管 (2)PNP锗管 (3)NPN硅管 (4)PNP硅管 7(三极管的击穿电流是( )。 ICEO (1)基极开路时的集电极电流 (2)发射极开路时的集电极电流 (3)基极短路时的集电极电流 (4)发射极短路时的集电极电流 8(某放大电路负载开路时输出电压为6V，连接2,负载电阻后测得输出电压为4V,由此判定放大电 路的输出电阻为( )。 (1)1.5, (2)1, (3)0.5, (4)0.25, 9. 某信号有待进行放大处理，现实情况是信号源内阻很低、负载电阻很低、信号的频带宽，所以在 信号源与负载电阻之间接入( )电路。 (1)CC (2)CB (3)CE-CC (4)CB-CE-CC 10. BJT管组成的放大电路产生的非线性是指( )。 (1)半导体器件的非线性所致，其输出波形中含有新的频率成分 (2)截止失真、饱和失真、过流失真 (3)截止失真、饱和失真、过流失真、交越失真 (4)截止失真、饱和失真、交越失真 11(CC电路如图1所示，属于( )负反馈。 )电压串联 (1 (2)电流串联 (3)电压并联 )电流并联 (4 12(功率放大电路中，选择功放管时应该特别注意以下参数( )。 ,(1),, (2),, (3) (4) BVPP,,f,IIIf,I,ICMCEOCMCBOCMTCMTCBOCM 13. 功率放大器的效率是( )。 (1)平均输出功率与平均输入功率之比 (2)平均输出功率与晶体管平均消耗的功率比 (3)最大不失真平均输出功率与电源提供的平均功率总功率之比 (4)晶体管上平均消耗的功率与电源提供的平均功率总功率之比 14(差分放大器单端输出时( )。 1(1)差摸增益单管CE电路增益 (2) A,AA,Ad1vd1v2 Ad(3) (4)K, A,0CMRRc1Ac 15(电路如图2所示，该电路是( )。 (1)基本镜像恒流源电路 (2)比例恒流源电路 (3)微变恒流源电路 (4)带共集管的高精度恒流源 二、分析题(共40分) 1( CC电路如图3所示。已知V= +15V ,,, R,10K,R,R,100K,R,10K,CC B3B1B2E ,,60BJT 的，,,耦合电容量足够大，可视为交流短路。求该电路的输入电阻、R,1K,r,3.3K,Rbesi输出电阻 。 (15分) RO 2(电路如图4所示，BJT为硅管，耦合电容和旁路电容足够大。试:(1)画出直流负载线;(2)定出 静态工作点;(3)画出交流负载线。 (15分) 由理想运算放大器组成的电路如图5所示。试写出输出电压与输入电压间的函数 3( 关系式。(10分) 三、综合题(45分) 1(多级级联电路如图7所示。其中，耦合电容和旁路电容容量足够大。已知， ，r,r,r,300,'''bb1bb2bb3 A，。试:(1)画出小信号交流等效电路;(2)求中频段电压增益。(15分) V,0.7V,,,,,,50v123BE 2.差动放大电路如图8所示。已知BJT管的， ,,,,,,60123 v,0VV,,0.7V,,。当输入信号 时，测得交直流输出 V,V,0.7Vr,r,r,200,'''iBE3BE1BE2bb1bb2bb3 v,0V。试: O (1) 估算T 、T 管的集电极电流、和的大小; IIR12C1C2E vv,10mV(2) 当 时，估算输出的值; Oi (15分) r,1.3K,r,2K,,,,,603. 反馈电路如图9所示。已知 ,，，耦合和旁路电容足be1be212 够大。试: 1)判断交流反馈类型; ( 2)画出A放大器的等效电路; ( A (3)求; vf (15分) 、