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扩散教材2013版第四章  扩散 第一节、扩散简介 1.1工序位置    1.2 扩散目的:形成PN结即在P型衬底上扩散N型杂质磷形成PN结,达到合适的掺杂浓度和方块电阻。 1.3 PN结:如果在纯净的硅晶体中掺入少量的5价杂质磷,由于磷原子具有5个价电子,所以1个磷原子同相邻的4个硅原子结成共价键时,还多余1个价电子,这个价电子很容易挣脱磷原子核的吸引而变成自由电子。 所以一个掺入5价杂质的4价半导体,就成了电子导电类型的半导体,也称为n型半导体。同样如果在纯净的硅晶体中掺入3价杂质,如硼,这些3价杂质原子的最外层只有3个...

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第四章  扩散 第一节、扩散简介 1.1工序位置    1.2 扩散目的:形成PN结即在P型衬底上扩散N型杂质磷形成PN结,达到合适的掺杂浓度和方块电阻。 1.3 PN结:如果在纯净的硅晶体中掺入少量的5价杂质磷,由于磷原子具有5个价电子,所以1个磷原子同相邻的4个硅原子结成共价键时,还多余1个价电子,这个价电子很容易挣脱磷原子核的吸引而变成自由电子。 所以一个掺入5价杂质的4价半导体,就成了电子导电类型的半导体,也称为n型半导体。同样如果在纯净的硅晶体中掺入3价杂质,如硼,这些3价杂质原子的最外层只有3个价电子,当它与相邻的硅原子形成共价键时,还缺少1个价电子,因而在一个共价键上要出现一个空穴,因此掺入3价杂质的4价半导体,也称为p型半导体。 对于p型半导体,空穴是多数载流子,而电子为少数载流子。若将p型半导体和n型半导体两者紧密结合,联成一体时,由导电类型相反的两块半导体之间的过渡区域,称为 p-n 结。 1.4扩散原理:扩散就是在P型硅片中掺入磷原子形成N型半导体,从而形成PN结反应方程式:POCl3在高温下分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5) 有氧气的存在时,POCl3热分解 POCl3+O2=P2O5+Cl2    生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子  第二节、扩散设备工艺简介 2.1扩散设备: 2.1.1内部构成:德国Centrotherm公司的管式扩散炉。①CMI-Loading box ②带有TGA的抽排系统 ③tube heating and control ④Gas cabinet 。      2.1.2扩散基本操作: ①检查“Slider”是否在上料位置,若不在,手动状态下移到上料处:“Manual/Slider/to port”。 ②把插好硅片的舟放到“slider”上。尽量使舟在“slider”中间位置。 ③在“Setup”界面选择“Boat”项,选择一个舟号,进行工艺信息编辑。 ④选择确定后,进入“boat activation”界面,点选“Set boat active for handling”、 “Set boat to ‘Ready for processing’和‘Boat will be removed for unload’”复选框,再点击“Next”按钮。 ⑤进入“Handling information”界面,把舟上的编号输入到“Boat ID”一栏,同时选择Load position为“Slider”,再点击“Next”按钮。 ⑥进入“Process tube selection”界面,选择需运行工艺的管号,在正常情况下1-4管全部选中,再点击“Next”按钮。 ⑦进入“Boat information”界面, 在Actual boat location位置选择“Slider”,在Boat state位置选择“Wait for tube”,再点击“Next”按钮。 ⑧进入“Process information”界面,选择相应的运行工艺名,在“Lots in boat”中输入相关舟的信息,再点击“Finish”按钮 ⑨进入“Summary”界面,显示8步输入的信息,核对无误后,点击“OK”,信息输入完成。 ⑩在“Job”页面点击 “Run” 按钮,回到自动运行状态。机械手自动送舟到SiC桨上,开始运行工艺。 2.1.3常见设备报警处理: ⑴ 生产人员正确设置信息点击运行后,机械手运行到store1位置不动作,且没有报警信息: 1 进入system-handling界面,查看paddle、tube状态是否正确。 2 进入相应的system-tube界面,查看position、SLS、TGA状态是否正确。 ⑵ 退舟失败: 1 入相应的system-tube界面,依次点击service-recovery-handling,观察桨是否动作,并将桨的设定位置设为零位。 2 动作,一定要注意观察石英舟是否全部在桨上,完全退出后不要自动运行,手动将舟取下。 3 仍旧不动作,呼叫设备人员。 ⑶ 机械手不动作: 1 进入system-handling界面,查看机械手是否在零位,机械手不再零位,进入设备权限对机械手进行复位。 2 复位后仍不动作,呼叫设备人员。 ⑷ 酸排热排报警: 1 进入SYSTEM-CMS界面,查看酸排和热排值,调节酸排、热排阀门,使其恢复到正常范围 2 若酸排或热排报警时示数为零,呼叫设备人员,并由其联系外围。 ⑸ 方阻过大,且工艺运行过程中无报警: 1 查看磷源瓶是否打开及有无磷源。 2 若磷源正常,报修设备人员。 2.2扩散工艺: 2.2.1扩散工艺 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 2.2.2影响扩散工艺的因素 1 温区的温度: 温度每升高或降低,硅片的阻值降低或升高。 2 N2量: 对硅片的一致性的影响以及炉管内气体浓度的影响。 3 炉管内的压力: 对硅片的一致性以及炉管内气体的流速有影响。 4 O2量和POCI3量: 因为在这工艺的反应中最主要的就是O2和POCI3,所以它们的  流量会直接影响到硅片的阻值。 5 片源电阻率: 电阻率越高,方阻越高;反之,则方阻越低。 2.2.3 影响扩散的因素 1 炉管内杂质源的浓度 管内气体中杂质源浓度的大小决定着硅片N型区域磷浓度的大小。但是沉积在硅片 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面的杂质源达到一定程度时,将对N型区域的磷浓度改变影响不大。 2 扩散温度 扩散温度对扩散结深影响较大。 3 扩散时间 扩散时间对扩散结深影响较大。 N型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小。 第三节、扩散操作流程 基本流程:取片 → 插片 → 上舟 → 扩散 → 设置→ 填写流程单→下舟→测方阻→ 卸片→送料 3.1 扩散插片 1 取片:两人抬起空石英舟将其放在插片台中央;从货架上取1单硅片及对应的流程单,确认流程单上标明的硅片数量是否与花篮中的数量一致,并确认制绒酸洗工序完成时间是否超过1小时(若超过1小时,要求制绒酸洗工序重洗);左手食指与拇指抓住花篮左下角,右手食指与拇指抓住花篮右上角,如图一所示,将大花篮放置在石英舟与操作员中间,如图二所示。 图三 图二 图一 2 插片:用聚四氟乙烯镊子从花篮中夹取硅片(用镊子夹取硅片时,镊子最多夹到距离硅片上边缘1cm的位置),如图三所示;按照由右向左的顺序依次将硅片插入石英舟槽中,轻拿轻放,减少硅片与石英舟的碰撞,插完一单,空两个槽再插另一单,石英舟的两端各插5片假片,以起到挡板的作用。 3 填写流程单:按照要求在扩散对应位置如实填写来料时间、所进炉管号、操作者等各项内容。 3.2扩散上、下舟 3.2.1扩散一线上、下舟 1 准备与检查:上舟前,检查确认插片完成、石英舟插满,石英舟炉口炉尾方向正确;下舟前,检查确认硅片冷却完毕。 2 上舟步骤:舟叉在端石英舟时要略微上翘15o(见图1)。按照由右向左的顺序一手拿一个舟叉,一次拿两个石英舟,从插片台端起依次放置于2#扩散炉石英舟架上(见图2)。要求石英舟放置整齐,石英舟上的硅片倾斜方向一致且略向炉尾方向倾斜。 图2 图1 3 下周步骤:舟叉在端石英舟时要略微上翘15o;工艺运行完毕且待硅片冷却完毕回到store1后,用舟叉按照由右向左的顺序从1#扩散炉石英舟架上端起(见图3)依次放置于插片台的石英舟托盘上面(见图4);按照由左向右的顺序从2#扩散炉石英舟架上端起依次放置于插片台的石英舟托盘上面。要求石英舟放置整齐且石英舟上的硅片倾斜方向一致。 图4 图3 3.2.2扩散二线上、下舟 1 准备与检查:上舟前,检查确认插片完成、石英舟插满,石英舟炉口炉尾方向正确;下舟前,检查确认硅片冷却完毕。 2 上舟步骤:两人站立于插片桌的两侧,双手食指和中指勾稳石英舟两端支点,大拇指卡住石英舟,如图四、图五所示; 图五 图四 两人同时将石英舟抬离桌面,准备放在slider上开始运行工艺,如图六所示;将1#、2#插片桌上的石英舟分别抬到1#、2#扩散炉slider上方10cm处,炉口和炉尾同时放下,放置平稳后再将手松开,如图七所示。 图七 图六 3 下舟步骤:硅片冷却完毕回到slider后,炉口和炉尾同时抬起;两人缓慢移动,将石英舟抬到插片台放下,拿取石英舟动作同 [②] 3.3扩散卸片 1 放置花篮:将花篮放在需要卸的片子前面,确保花篮的箭头方向向右,将泡沫垫放到花篮内如图八; 图九 图八 2 卸片:用聚四氟乙烯镊子夹取一对已扩散好的片子,左手拿起左边的一片片子,底部反转180度(如图九),轻轻地放入花篮内第二槽内(扩散面与花篮上的箭头方向一致),紧接着将右手镊子中的另一片放入第一槽内(左右手也可同时放硅片),这样依次将每对片子卸入花篮中。重复以上动作直至将整批片子卸到花蓝里。拿起花篮,检查已卸完片子的扩散面与花篮箭头方向是否一致,并检查是否有崩边缺口;检查完毕,放在小推车上。 3 填写流程单:把流程单填好,将其夹到相对应的花篮之间。用小推车将硅片流入下工序 3.4扩撒测方阻 1 取片:将扩散完冷却好的片子,从炉口到炉尾(标记为红、橙、黄)依次抽取3片,如图十所示;将取出的片子一次放到方阻测量专用花篮的“LZ” “CZ” “GZ”位置,如图十一 所示。 图十一 图十 2 选择测量选项:选择测量WAFER SIZE项中的“150mm”档;选择“TYPE”选项的“N”档;选择“MEASUREMENT  METHOD”中的“5PT”项。 3 测量:取出花篮H端的一片平放到测量盘中间(扩散面朝上),且要使片子的前后左右边与在花篮时的上下左右边相对应,如图十二 所示;盖上遮光盖,按下“START”按钮,开始测量;测量的同时将结果记录到linuopower扩散SPC 参数 转速和进给参数表a氧化沟运行参数高温蒸汽处理医疗废物pid参数自整定算法口腔医院集中消毒供应 记录表中 如图十三。 图十三 图十二 第四节、扩散安全及注意事项 4.1 扩散现场: 4.1.1扩散现场物品定位:垃圾桶放在标示线以内,垃圾桶在未使用时桶盖保持闭合状态如图1;工作台上物品都按要求放在黄线以内如图2;制绒来料、空花篮在货架上摆放整齐如图3 。 图3 图2 图1 4.1.2扩散现场卫生标准:扩散工作台保持清洁、要求无碎片残留,不准乱写乱画 如图4 ;地面保持无杂物、无脏污如图5 。
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