LED结构及原理讲述

也是翻过来top-down，InP为基板，1.35eV,也会吸可见光，但图中为红外LED。如何看出红外：InGaAsP：1.33-1.5eV，发光层是narrowbandgap材料，上下2个InP都是largebandgap材料， 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 的双异质结，无需再衬底挖洞，让光出来。第一页，共71页。没有翻过来，没有用到异质结构，简单的pn型，GaP:N是发光层，GaP:简介带隙，效率不高，2.26eV，接近绿光。第二页，共71页。边射型LED,红光结构，双异质结，发光层为narrowbandgap材料，夹在2个largebandgap材料之间，边射型发光不会太强，大部分光被基板吸掉。（1980年以前）第三页，共71页。高亮度可见光LED四元化合物半导体制作方法：n-GaAs做基板，Si较少用，会有晶格不匹配问题；n-AlInP中掺铝，带隙扩大，发光层是MQW结构，p-AlGaP（MgII族），II族元素掺入ⅢⅤ族元素中，形成p型半导体；两边为为大bandgap材料，第四页，共71页。蓝绿光LED通常用2种基板：蓝宝石（有杂质时呈现蓝色，无杂质时是透明的），其bandgap很大，因此可见光不会被它吸收掉。制作方法：在外延生长之前，需使用一项非常重要的技术，缓冲层技术（bufferlayer），通常要在约500度低温生长，而非1000度以上高温。这一层质量并不好，但作用很重要。再长一层n型GaN，随后是MQW结构做发光层，再长一层p型GaN,再接上电极（contact），N型电极不能接在下面，必须有两个frontcontact，原因？第五页，共71页。制造过程结构特点（电极）好处是什么第六页，共71页。不用牺牲一部分发光区域，SiC基板导电。有什么问题第七页，共71页。早期红黄光LEDGaP/AlGaInP/GaAsabsorbingsubstrate：GaAs第八页，共71页。5-10um的薄膜20-50um光到下面后，会被金属反弹回来VPE（Vaporousphaseepitaxy)气相外延生长第九页，共71页。NoneabsorbingredyellowLED结构，假设是GaP基板不加窗口层，直接把p-typecontactelectrode接在上面产生问题：接触电极很薄，电流来不及散开，直接向下流第十页，共71页。电流不散开，集中在金属电极的下面，电流密度会非常高，致使光电转换效率下降（ 经验 班主任工作经验交流宣传工作经验交流材料优秀班主任经验交流小学课改经验典型材料房地产总经理管理经验 ：物理曲线数值增大到一定程度，就会趋缓，达到饱和）。原因:可能是热效应，也可能是其它饱和效应，，使光电转换效率开始衰竭。因此，不希望在某个特定区域，电流密度太高。如果电流无法散开，过于集中在金属电极区域，会使绝大部分的发光也集中在金属电极区域下方，当光打到金属接触区域时，会被挡住，使光线无法散开。如何使光能够散开？第十一页，共71页。withwindowlayer加一层很厚的窗口层，其厚度是发光层厚度的十倍、甚至百倍。因为这一层很厚，电流有足够的机会散开。散开之后的作用：1、使各点的电流密度降低，光电转换效率就可以提高；2、使发光区域变大，被上面金属挡住的区域所占比例就会减小，LED发光效率就会有较大提升。第十二页，共71页。HighBrightnessBlueLEDs蓝宝石基板、低温生长缓冲层（累晶质量不太好）、高品质n-GaN、大bandgap材料、中间夹MQW结构（InGaN是narrowbandgap区域，GaN是largebandgap区域，长5-10个周期）、再长largebandgapp型层。n-electrode要吃掉一部分累晶层区域，直到n型区域，将n型金属接触做在上面。第十三页，共71页。第十四页，共71页。此结构遇到一个问题：电流散不开，怎么办？电流都集中在p-contact下面，发出的光都在p-contact下面，是否可以加窗口层？第十五页，共71页。无法加很厚的窗口层。原因：蓝宝石基板和GaN晶格不匹配，在1000度长完晶后，降温过程中，外延层开始弯曲，因此，上面的累晶层不能长太厚，事实上，其总厚度大约在5um以下，蓝宝石的厚度在大约300-400um之间；如果累晶层厚度超过10或20um，冷却后，弯到一定程度，累晶层就会裂开，因此，无法长很厚的GaN窗口层，要解决此问题，必须想其他办法。p-contact下面长一层特殊材料：会导电，又能透过可见光。2种可能选择：A、仍然用金属，只是把金属变得很薄，但金属变薄后，出现新问题，其导电能力会迅速下降，电流散开的能力会随之降低。B、ITO（透明导电材料）第十六页，共71页。HighBrightnessLEDsonCIEChromaticityDiagram（RGBLED都包括）高亮度LED在色坐标图中的标准位置第十七页，共71页。R,G,B三色LED的光谱分布图：红光LED的半高宽，即波长分布最窄；绿光LED半高宽较宽；蓝光LED的半高宽介于二者之间。因为不是很理想的单一波长的光，因此不会刚好落在色坐标图边缘上。红光的半高宽小，离边缘近；绿光偏向中间，525、505、498nm，；另外，设计色坐标时，绿光被刻意拉大也是一个原因；蓝光也比较靠近边缘。626,615,605,590……..为λp：最高强度所对应的波长。第十八页，共71页。第十九页，共71页。第二十页，共71页。第二十一页，共71页。第二十二页，共71页。LED芯片介绍1、LED芯片分类介绍2、不同结构LED芯片的性能简介3、垂直结构LED芯片的制成第二十三页，共71页。Led芯片的结构　　LED芯片有两种基本结构，水平结构（Lateral）和垂直结构（Vertical）。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升LED的发光面积。制造垂直结构LED芯片技术主要有三种方法：一、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对LED表面进行处理以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层，优点是散热好、易加工。第二十四页，共71页。目前主流Led结构剖析第二十五页，共71页。两种芯片发光形式第二十六页，共71页。水平型结构Led出光路线第二十七页，共71页。垂直型芯片性能介绍由于当前芯片主要是垂直型的和水平型的两种。垂直型产品以CREE芯片为代表特点主要是：光效高：最高可达161lm\w，节能；电压低：蓝光在2.9~3.3V；热阻小：芯片本身的热阻小于1‘C/W;亮度高：由于采用垂直结构，电流垂直流动，电流密度均匀，耐冲击型强；同一尺寸芯片，发光面宽，亮度高。光型好：85%以上光从正面发出，易封装，好配光；唯一的缺点就是：不方便集成封装。若要集成封装，芯片需做特殊处理。我公司全部采用垂直结构的芯片。第二十八页，共71页。水平型芯片性能介绍水平型产品以普瑞芯片为代表，芯片的主要特点是：光效一般：最高在100lm\w左右；电压高：蓝光在3.4~4V；热阻高：使用蓝宝石衬底导热性差。芯片本身的热阻在4~6‘C/W;亮度一般：由于采用水平结构，电流横向动，电流密度不均，容易局部烧坏；为弥补这一缺陷，在芯片的上表面做ITO.ITO将以减少出光为代价。同一尺寸芯片，发光面窄，亮度低。光利用率低：65%左右的光从正面发出，35%的光从侧面发出，靠反射来达到出光，利用率低。唯一的优点就是：便于集成封装。不过，它也是缺点，由于没解决好散热，所以集成封装只有加速它的衰减，不可取。第二十九页，共71页。垂直芯片的制成第三十页，共71页。垂直芯片剖析第三十一页，共71页。垂直LED制造的方法制造垂直结构LED芯片有两种基本方法：一、剥离生长衬底；二、不剥离生长衬底。其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构：一、不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层迭导电DBR反射层，生长GaP基LED外延层在导电DBR反射层上。　二、剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括，砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。第三十二页，共71页。第三十三页，共71页。第三十四页，共71页。四元DBR材料第三十五页，共71页。MQWLED器件结构示意图第三十六页，共71页。第三十七页，共71页。第三十八页，共71页。第三十九页，共71页。第四十页，共71页。第四十一页，共71页。第四十二页，共71页。第四十三页，共71页。第四十四页，共71页。第四十五页，共71页。第四十六页，共71页。第四十七页，共71页。第四十八页，共71页。第四十九页，共71页。第五十页，共71页。第五十一页，共71页。第五十二页，共71页。第五十三页，共71页。第五十四页，共71页。第五十五页，共71页。第五十六页，共71页。左：p-typelargebandgap材料右：n-typelargebandgap材料有源层：narrowbadgap材料，通常掺杂浓度很低电子和空穴分别从左右两端进入有源层，其扩散长度会比有源层厚度（如0.2—2um）大很多，表示载流子会很均匀地分布在narrowbandgap材料中；由于电中性的要求，因此额外的电子和空穴数应该相等（△n=△p）：通常有源层掺杂浓度很低，相对而言，注入的载流子数目非常多，因此以上等式成立，第五十七页，共71页。第五十八页，共71页。量子阱（QW）是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。第五十九页，共71页。多量子阱结构优势：1、在MQW结构中，电子和空穴的波函数重叠较多，因此其辐射复合的效率较高；2、在DH结构中，narrowbandgap材料形成的发光区不会长得太窄，否则会使发光区域变小，影响发光效率；也不能长得太宽，否则会超过载流子扩散长度，通常0.5-5um；如果中间的narrowbandgap材料和两边的largebandgap材料晶格不匹配，长晶后，材料会产生很多缺陷，使发光效率下降；用MQW结构，中间narrowbandgap层可以做的很薄，晶格不匹配的影响很小，不会产生缺陷；如InGaN刚好发出蓝、绿光，两边largebandgap材料用GaN，但它们之间的latticeconstant不匹配，可以使InGaN长得很薄，两边材料长得很厚，材料不会产生松弛、开裂，但发光强度不够，因此采用MQW结构，长很多层。材料间晶格不匹配时，要考虑用MQW结构。3、利用MQW结构，可以使发出光子的能量有效增加。当形成QW结构时，能量会被量子化，能够有效提高载流子结合放出的能量。特别地，需要调节bandgap时，经常使用Al，以实现所需色彩，但加Al后材料会趋近或变成间接带隙，发光性能下降。可以做成MQW结构，利用调变MQW的宽窄，可以调节禁带大小。第六十页，共71页。4、MQW使有源层变薄，避免了内部的自我吸收。有源层产生的光子，在发出去之前，在有源层有可能被再吸收掉（发光区是narrowbandgap材料，而局域层是largebandgap），不会被吸上去。有源层变薄后，可以减少光的吸收。5、MQW发光光谱和I-V特性不易受温度影响，即元件特性对温度不太敏感。第六十一页，共71页。第六十二页，共71页。第六十三页，共71页。第六十四页，共71页。把外面变成圆形，能有效避免全反射，但这种结构不好加工第六十五页，共71页。挖一个椎，减少全反射，但无法进入椎区域的光在多次全反射后，能量会损失利用湿法刻蚀或机械加工方法在侧面切出斜边，打破四面对称结构，使光发射出来。下边为p型反射金属HP公司第六十六页，共71页。尺寸变为原来10倍第六十七页，共71页。类似想法用于绿光MB发光层的光所走路径较长，在下面金属反射后，有损失XB发光层离底部金属反射层近，路径短，向上走时，从侧面斜角也可以出去光子走的路径短，损失较低第六十八页，共71页。第六十九页，共71页。第七十页，共71页。第七十一页，共71页。