IGBT并联技术
Dr. Schütze SM PD
Paralleling of IGBTs
Effective factors for current sharing:
static dynamic
commutation inductance - DLs
driver - DLwire , Dton, Dtoff
device characteristics DVcesat, DTj DTj, Dtdon, Dtdoff
Recommendations:
sy...
Dr. Schütze SM PD
Paralleling of IGBTs
Effective factors for current sharing:
static dynamic
commutation inductance - DLs
driver - DLwire , Dton, Dtoff
device characteristics DVcesat, DTj DTj, Dtdon, Dtdoff
Recommendations:
symmetrical design of IGBT current paths (identical stray inductances)
symmetrical design of gate driver (same driver stage, seperate gate resistors,
splitted Rg with appr. 1/3 of it in the emitter leads)
use devices of one production lot (smallest parameter deviations guaranteed)
symmetrical cooling conditions (identical heat-sink temperature and flow rate
below the paralleled devices)
Dr. Schütze SM PD
Paralleling of IGBTs
2/3 Rg
Cge
GE-clamping
CG-clamping
to common
gate drive
1/3 Rg
additional Rg
in emitter lead
only used for
3,3kV devices
Gate driver:
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