2011《电子线路基础》复习提纲与练习题
每章重点内容与基本要求
第一章 晶体二极管:
1、了解半导体的基本知识
2、了解PN结的形成及特性
3、了解二极管的结构和伏安特性
4、掌握二极管的基本电路及分析方法
5、掌握稳压管电路及分析方法
第二章 晶体三极管:
了解晶体三极管的结构、工作原理、电流分配、特性曲线以及主要参数
第三章 场效应管:
1、了解MOS场效应管(各种MOS管的结构、工作原理、特性曲线等)
2、了解结型场效应管(结构、工作原理、特性曲线)
第四章 放大器基础:
1、掌握放大电路的静态工作点稳定方法及静态分析(直流工作点IBQ、ICQ、VCEQ)
2、掌握共射极放大电路及分析方法
3、掌握共基极和共集电极放大电路及分析方法
4、掌握差分放大电路(差动放大电路的静态分析、动态分析、主要指标的计算)
5、掌握MOSFET放大电路的组成及分析方法
6、了解JFET放大电路组成及分析方法
7、了解组合放大电路
8、了解集成电路中的电流源电路(镜像电流源、微电流源、比例电流源等)
9、了解集成运算放大电路的组成
10、了解放大电路的频率响应
第五章 放大器中的负反馈:
1、了解反馈放大器的基本概念及分类
2、掌握负反馈放大电路四种组态及类型判断
3、了解负反馈对放大器性能的影响
4、掌握深度负反馈的分析计算
第六章 集成运算放大器及其应用电路:
1、掌握理想运算放大器的特性(虚短、虚断)
2、掌握基本线性运算电路(比例电路、求和电路、求差电路、积分电路、微分电路等)
3、掌握电压比较器(单门限比较器、迟滞比较器、窗口比较器)的工作原理,能够画出波形、计算振荡频率等
基本练习题
填空题:
1、N型半导体是在本征半导体中掺入 价元素,其多数载流子是 ,少数载流子是 ;P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素,其多数载流子是 ,少数载流子是 。
2、稳压管的稳压区是其工作在 状态。
3、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 。
4、理想二极管的正向电阻为 ,反向电阻为 。
5、为使三极管能有效地有放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度 ;基区宽度 ;集电结结面积 。
6、三极管工作在放大区时,发射结要 偏置,集电结 偏置;工作在饱和区时,发射结要 偏置,集电结 偏置;工作在截止区时,发射结要 偏置,集电结 偏置。
7、工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是 ,流过集电结的电流主要是 。
8、某三极管,其α=0.98,当发射极电流为2mA,其基极电流为 ,该管的β值为 。
9、某三极管,其β=100,当集电极极电流为5mA,其基极电流为 ,该管的α值为 。
10、某三极管工作在放大区时,当IB从20µA增大到40µA,IC从1mA变成2mA。则该管的β约为 。
11、半导体三极管通过基极电流控制输出电流,所以它属于 控制器件,其输入电阻 ;场效应管通过栅极电压控制输出电流,所以它属于
控制器件,其输入电阻 。
12、在一个三级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-100、Av3=1,则可知这三级放大电路中A1是 组态;A2是 组态;A3是 组态。
13、PNP三极管基区中的多数载流子是 ;少数载流子是 。
14、晶体管的三个工作区是 、 、 ;场效应的三个工作区是 、 、 。
15、场效应管又称单极型管,是因为 ;半导体三极管又称双极型管,是因为 。
16、放大电路的四种组态分别是 、 、 、 。
17、放大器级间耦合方式有三种: 、 、 ;在集成电路中通常采用 。
18、当PNP型锗管处在放大状态时,在三个电极电位中,以 电位最高, 电位最低; 和 电位之差约等于 。
19、差分放大器的基本特点是放大 、抑制 。
20、如图1所示两级放大电路,图中级间采用 耦合方式,
接成 组态,
接成 组态,
和
的作用是 。
21、在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 。
22、从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
23、某放大器的下限角频率
,上限角频率
,则带宽为 Hz。
24、共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 电路。
25、差动放大电路中,共模抑制比KCMR是指 。
26、在集成运放中,一般采用差分放大电路来克服 现象。
27、 负反馈能使放大电路的输入电阻减小,输出电阻变大; 负反馈能使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小
28、为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻,在放大电路中应引入 。
29、为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻,应引入 反馈。
30、组合电路如图所示,判断各晶体管T1、T2、T3分别构成何种组态的电路。
选择题:
1、某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v,其两端施加的电压分别为+5v(正向偏置)和-5v(反向偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为( )。
A、+5v和-5v B、-5v和+4v C、+4v和-0.7v D、+0.7v和-4v
2、电路如图所示,设二极管的正向压降VD=0.6V,则流过二极管的电流ID为( )。 A、0.775mA B、1.31mA C、0.55mA D、1mA
3、电路如图所示,设二极管具有理想特性,已知vi=1.0Sinωt (V),V=2V,则输出vo 的波形如图( )所示。
4、由稳压管组成的稳压电路如图所示,已知Vi=18V,稳压管DZ1的稳压值为7V,稳压管DZ2的稳压值为6V,稳压管具有理想特性,则输出Vo为( )。
A、 13V B、 1V C、 6V D、 7V
5、电路如图(a)~(b)所示,已知vi=20Sinωt (V),稳压管DZ1稳定电压VZ1=10V,稳压管DZ2稳定电压VZ2=6V,稳压管的正向压降忽略不计。图(e)所示波形为电路图( )的输出波形。
6、根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v,VE = -7v,VC = -4v,可以判定此晶体管是 管,处于 。 ( )
A、 NPN管,饱和区 B、 PNP管, 放大区
C、 PNP管,截止区 D、 NPN管, 放大区
7、某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( )。
A、增强型N沟道MOS管 B 、耗尽型N沟道MOS管
C、增强型P沟道MOS管 D 、耗尽型P沟道MOS管
8、某MOS场效应管的转移特性如图所示,则该MOS管为( )。
A、增强型N沟道MOS管 B 、耗尽型N沟道MOS管
C、增强型P沟道MOS管 D 、耗尽型P沟道MOS管
9、电路如图所示,该电路的静态电流表达式ICQ=( )。
10、电路如图所示,已知晶体管的饱和压降VCES=0.3V,RC=RL=2kΩ,静态工作点ICQ=2mA,VCEQ=6V。该放大电路的最大不失真输出正弦电压的幅值为( )。
A、 6V
B、 5.7V C、 6.6V D、 2V
11、电路如图(a)所示,其等效电路如图(b)所示。该电路的电压放大倍数表达式为( )。
12、电路如图所示,已知晶体管的β=50,VBE=0.6V,rbe=1.5kΩ。该电路的输入电阻Ri为( )。
A、 1.36kΩ B、15kΩ C、 13.4kΩ D 、 1.5kΩ
13、电路如图所示,C1、C2可视为交流短路,该电路的输出电阻为( )。
14、差动放大电路如图所示,已知 |Avd|=100,Avc=0,vi1=10mV,vi2=5mV,则输出电压 |vo| 为( )。 A、500mV B、200mV C、250mV D、125mV
15、带有调零电路的差动放大电路如图所示,若输入电压vi1=vi2=0时,输出电压vo=vo1-vo2<0,欲使此时输出电压为0,则应该( )。
A、减小Re B、增加Re
C、向左移动RW的滑动端 D、向右移动RW的滑动端
16、电路如图所示,已知电路参数:RS=1kΩ,RC1=RC2=RL=10kΩ,晶体管的β=50,rbe=1.5kΩ。该电路的共模抑制比KCMR=( )。
A、2000 B、-2000 C、1000 D、-1000
17、当信号频率等于放大电路的
和
时,放大倍数的数值将下降到中频时的( )。 A、 0.5倍 B、0.7倍 C、 0.9倍 D、 1.2倍
18、如图所示为一深度负反馈放大电路,所有电容认为对交流短路。该电路的闭环电压放大倍数Avf=Vo/Vi=( )。A、 10 B、-11 C、 11 D、 -10
19、电路如图所示,要引入电压并联负反馈,正确的接法是( )。
A、C1接N,C2接P,F接B1 B、C1接N,C2接P,F接B2
C、C1接P,C2接N,F接B1 D、C1接P,C2接N,F接B2
20、由运算放大器组成的电路如图所示,则电流I2=( )。
A、 0.5mA B、 1mA C、 1.5mA D、 -0.5mA
21、电路如图所示,设A1、A均为理想运算放大器,则输出电压vo=( )。
A、 1V B、-1.5V C、 -1V D、1.5V
22、由理想运算放大器组成的电路如图所示,该电路的电压放大倍数Av=vo/vi=( )。 A、 1 B、21 C、 -21 D、20
23、运算放大器组成的放大电路如图所示,运放的饱和电压为±12V 。其电压传输特性如图(b)所示,则电路中的电阻R1应为( )。
A、 3kΩ B、 5kΩ C、 10kΩ D、 15kΩ
24、由运算放大器组成的比较器电路如图所示,设VREF>0,则该电路的电压传输特性为图中的图( )所示。
A B C D
25、比较器电路如图所示,已知Vi1=2V,Vi2=1V,则输出电压VO=( )。
A、 12V B、-12V C、 -6V D、6V
26、积分电路如图所示,运放是理想的。已知:vi1=1V,vi2=-2V。在t=0时开关断开,试问当vo达到9V时,所需的时间t = ( )秒。
A、 2 B、1.2 C、 3 D、1.5
综合分析计算题:
1、二极管电路如图所示,设二极管为理想二极管,试判断二极管导通或截止,并求出VAO=?
2、电路如图所示,二极管为理想的,试对应vi画出vo的波形。设vi=6Sinωt (V)。
3、二极管电路如图(a)所示,设二极管为理想的。
(1)、试求电路的传输特性(vo~vi特性),画出vo~vi波形;
(2)、假定输入电压如图(b)所示,试画出相应的vo波形。
4、稳压电路如图所示,设Vi=20V,R=100Ω,稳压管的VZ=10V,Izmin=5mA, Izmax=50mA,试求:
(1)负载RL 的变化范围是多少?(2)稳压电路最大输出功率是多少?
(3)稳压管的最大耗散功率PZM 和限流电阻R上的耗散功率PRM 各是多少?
5、 电路如图所示,晶体管的(=60,rbb’ =100Ω:(1)求解Q点、AV、Ri和Ro;(2)设US=10mV(有效值),求Ui、UO的值;(3)若C3开路,求Ui、UO的值。
6、由三极管组成的放大电路如图所示,设三极管的β=100,VBE=0.7V, 试求:
(1)静态工作点;(IBQ、ICQ、VCEQ);(2)画出微变等效电路;(3)求出电压放大倍数AV=Vo/Vi;(4)求出输入电阻Ri和输出电阻Ro。
7、由三极管组成的放大电路如图所示。设三极管的β=100,VBE=0.7V, 试求:
(1)静态工作点;(2)画出微变等效电路;(3)求出电压放大倍数AVS1=Vo1/VS 、AVS2=Vo2/VS;(4)求出输入电阻Ri和输出电阻Ro1和Ro2。
8、共源极放大电路如图所示,试分析该电路(静态和动态)。
9、差分电路如图所示,已知T1、T2的β=100,IO=1mA,试求:
(1)、静态工作点;(2)、双端输入、双端输出Avd、Rid、Ro;(3)、当电流源的ro=100kΩ时,单端输出时的Avd1、Avc1和KCMR1的值;(4)、当电流源Io不变,vid=0,vic=+5V 或-5V 时的VCE为多少?
10、差分电路如图所示,电流表满偏转电流为100µA,电流表支路电阻为2k,两管的β=50,VBE=0.7V,rbb’=200Ω,试求:
(1)、静态时的ICQ、IBQ、VCEQ;(2)、为使电流表满偏转,需加多大输入电压?
11、差分式放大电路如图所示。试求:(1)T1、T2的静态电流ICQ1、ICQ2;(2)差模电压放大倍数Avd、共模电压放大倍数Avc;(3)共模抑制比KCMR;(4)输入电阻Ri和输出电阻Ro。
12、请判断如图电路中:(1)是否存在反馈?(2)若有,请判断有几条反馈通路?(3)分别是什么反馈类型?对电路有什么影响?
13、电路如图所示,试回答下列问题:(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?
应如何接入?(在图中连接)
14、如图所示电路中,开关S可以任意闭合、断开,集成运放是理想的,设T1、T2工作在放大区(忽略其直流偏置),RC1=RC2=2KΩ,R1=2KΩ,R3=10KΩ,Rb1=Rb2=2KΩ,Re=5.1KΩ,Rf=10KΩ,β1=β2=100,rbe1=rbe2=1kΩ
试求:⑴ 当S断开时,电路的增益AV=VO/VI=?
⑵ 当S闭合时,电路在深度负反馈条件下的闭环增益AVF=?
15、图示电路,试在深度负反馈条件下估算Avfs。
16、图示电路,试在深度负反馈条件下估算Avfs。
17、试判断该电路的反馈类型并求出闭环电压增益。
18、理想运放组成的电路如图所示,已知输入电压vi1=0.6V,vi2=0.4V,vi3=-1V: (1)试求vo1、vo2和v03的值;
(2)设电容的初始电压值为零,求使
所需的时间
19、在图示电路中,运放和二极管D1均为理想的,稳压二极管D2和 D3的性能相同,
,
(1)试求A1和A2电路的电压传输特性,画出
和
波形;
(2)若
为图(b)所示的信号,试分别画出
和
的波形;
20、下图中的运放为理想运放。
(1)请问A1引入的是何种反馈(2)请推导出输出Uo和各输入信号间的关系式。
21、由运算放大器组成的电路如图所示,试求出输出电压vo。
22、写出如下运算电路的输出与输入之间的关系表达式。
� EMBED Equation.3 ���
(A) � EMBED Equation.3 ���
(B) � EMBED Equation.3 ���
(C) � EMBED Equation.3 ���
(D) � EMBED Equation.3 ���
� EMBED MSPhotoEd.3 ���
PAGE
11
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