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PIN光电二极管PIN光电二极管 1. 工作原理 在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体,就可以增大耗尽区的宽度,达到减小扩散运动的影响,提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低,近乎本征(Intrinsic)半导体,故称I层,因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚,几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位,这就大大加快了响应速度。 通过插入...

PIN光电二极管
PIN光电二极管 1. 工作原理 在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体,就可以增大耗尽区的宽度,达到减小扩散运动的影响,提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低,近乎本征(Intrinsic)半导体,故称I层,因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚,几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位,这就大大加快了响应速度。 通过插入I层,增大耗尽区宽度达到了减小扩散分量的目的,但是过大的耗尽区宽度将延长光生载流子在耗尽区内的漂移时间,反而导致响应变慢,因此耗尽区宽度要合理选择。通过控制耗尽区的宽度可以改变PIN观点二极管的响应速度。 2. PIN光电二极管的主要特性 (1) 截止波长和吸收系数 只有入射光子的能量 ·   PIN型光电 二极管 HYPERLINK "http://www.dzsc.com/product/file284.html" \t "_blank" 也称PIN结二极管、PIN二极管,在两种半导体之间的PN结,或者半导体与金属之间的结的邻近区域,在P区与N区之间生成I型层,吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。 具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。 目录 · PIN型光电二极管的结构 · PIN结的导电特性 · PIN型光电二极管的主要参数 · PIN型光电二极管的典型应用 PIN型光电二极管的结构 ·   pin结二极管的基本结构有两种,即平面的结构和台面的结构,如图1所示。对于Si-pin133结二极管,其中i型层的载流子浓度很低(约为10cm数量级) 电阻 HYPERLINK "http://www.dzsc.com/product/searchfile/294.html" \t "_blank" 率很高、(约为k-cm数量级),厚度W一般较厚(在10~200m之间);i型层两边的p型和n型半导体的掺杂浓度通常很高(即为重掺杂)。   平面结构和台面结构的i型层都可以采用外延技术来制作,高掺杂的p+层可以采用热扩散或者离子注入技术来获得。平面结构二极管可以方便地采用常规的平面工艺来制作。而台面结构二极管还需要进行台面制作(通过腐蚀或者挖槽来实现)。台面结构的优点是:①去掉了平面结的弯曲部分,改善了 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面击穿电压;②减小了边缘电容和电感,有利于提高工作频率。 PIN结的导电特性 ·   pin 结就是在 pin 结的空间电荷区分别在 i 型层两边的界面处, 而整个的 i 型层中没有空 间电荷,但是存在由两边的空间电荷所产生出来的电场——内建电场,所以 pin 结的势垒区 就是整个的 i 型层。   ①基本概念:   众所周知,一般 p-n 结的导电(较大的正向电流以及很小的反向电流)主要是由于少数 载流子在势垒区以外的两边扩散区中进行扩散所造成的;扩散区是不存在电场的电中性区。 在此实际上也就暗示着载流子渡越势垒区的速度很快, 即忽略了存在强电场的势垒区的阻挡 作用;当然,这种处理也只有在势垒区较薄(小于载流子的平均自由程)时才是允许的。而 对于势垒区厚度较大(≈载流子平均自由程)的 p-n 结,则就需要考虑载流子在渡越势垒区 的过程中所造成的影响,这种影响主要就是将增加一定的产生-复合电流。   但是,对于 pin 结,虽然它的空间电荷区是在 i 型层两头的很薄的区域,然而其势垒区 (存在内建电场的区域)却是整个的 i 型层,则其势垒区厚度必将远远大于载流子的平均自 由程,因此这时载流子渡越势垒区过程中的产生-复合作用就再也不能忽略了。实际上,pin 1 结的单向导电性也正是由于载流子渡越 i 型层的特殊过程(复合与产生的过程)所造成的; 相反,i 型层两边的扩散区却对于 pin 结导电性能的影响较小。总之,pin 结的导电性能与 i 型层中载流子的复合作用有很大的关系。   ②pin 结中载流子的输运——导电机理:   当 pin 结处于正偏时,势垒高度降低,则电子和空穴分别从两边大量注入到本征的 i 型 层,当然这必定是“大注入”;这时就不能区分多数载流子和少数载流子了,即可以认为 i 型层中的电子浓度等于空穴浓度(n=p),并且均匀分布。在 i 型层中,由于 这种注入,即使得 np>ni2,于是注入的这些电子和空穴将在 i 型层中发生复合,并从而形成 较大的通过 pin 结的电流。可见,pin 结的正向电流从性质上来说,它是非平衡载流子在 i 型层中的复合电流,载流子的复合越快,电流就越大。   当 pin 结反偏时,势垒中的电场增强,势垒高度增大,则 i 型层中的载流子将进一步减 少,即使得 np
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分类:工学
上传时间:2012-03-15
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