74HC595芯片中文资料

74HC595芯片中文资料74HC595芯片中文资料 8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态，三态。特点 8位串行输入 8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除 100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换 Remote control holding register. 描述 595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。 595是具有8...

74HC595芯片中文资料 8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态，三态。特点 8位串行输入 8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器可以直接清除 100MHz的移位频率输出能力并行输出，总线驱动串行输出；标准中等规模集成电路应用串行到并行的数据转换 Remote control holding register. 描述 595是告诉的硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。 595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。移位寄存器和存储器是分别的时钟。数据在SHcp的上升沿输入，在STcp的上升沿进入的存储寄存器中去。如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。参考数据符号参数条件 TYP 单位 HC HCt tPHL/tPLH 传输延时 SHcp到Q7’ STcp到Qn MR到Q7’ CL=15pF Vcc=5V 16 17 14 21 20 19 Ns Ns Ns fmax STcp到SHcp 最大时钟速度 100 57 MHz CL 输入电容 Notes 1 3.5 3.5 pF CPD Power dissipation capacitance per package. Notes2 115 130 pF CPD决定动态的能耗， PD＝CPD×VCC×f1+∑(CL×VCC2×f0) F1＝输入频率，CL＝输出电容 f0＝输出频率（MHz） Vcc=电源电压引脚说明符号引脚描述 Q0…Q7 15， 1， 7 并行数据输出 GND 8 地 Q7’ 9 串行数据输出 MR 10 主复位（低电平） SHCP 11 移位寄存器时钟输入 STCP 12 存储寄存器时钟输入 OE 13 输出有效（低电平） DS 14 串行数据输入 VCC 16 电源功能表输入输出功能 SHCP STCP OE MR DS Q7’ Qn × × L ↓ × L NC MR为低电平时紧紧影响移位寄存器 × ↑ L L × L L 空移位寄存器到输出寄存器 × × H L × L Z 清空移位寄存器，并行输出为高阻状态 ↑ × L H H Q6’ NC 逻辑高电平移入移位寄存器状态0，包含所有的移位寄存器状态移入，例如，以前的状态6（内部Q6”）出现在串行输出位。 × ↑ L H × NC Qn’ 移位寄存器的内容到达保持寄存器并从并口输出 ↑ ↑ L H × Q6’ Qn’ 移位寄存器内容移入，先前的移位寄存器的内容到达保持寄存器并输出。 H＝高电平状态 L＝低电平状态 ↑＝上升沿 ↓＝下降沿 Z＝高阻 NC＝无变化 ×＝无效当MR为高电平，OE为低电平时，数据在SHCP上升沿进入移位寄存器，在STCP上升沿输出到并行端口。

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