光电信息技术实验数据现象处理
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姓名：吴孟杰 学号：0120914430215 班级：光信科 0902 班
光电二极管实验数据现象处理
一．光电二极管的光电特性
表
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3-1：光电二极管的光电特性
光强(Lx) 0 115 205 265 345 470 510 600 700
电压(mV) 0.2 1.7 2.4 2.8 3.2 3.8 4 4.4 4.8
光强(Lx) 750 800 850 900 950 1000 1060 1250 1400
电压(mV) 4.9 5.1 5.1 5.2 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8
根据该表画得曲线图如图所示：
二．偏压（4V）时光电二极管的光电特性
表 3-2：光电二极管的光电特性
光强(Lx) 0 1 2 3 4 7 10 13 15
电压(mV) 0.2 0.84 1.75 2 2.41 4 5.42 7.24 7.93
光强(Lx) 19 22 25 28 33 45 48 50 54
电压(mV) 10.21 11.7 11.9 13.41 13.41 13.41 13.4 13.4 13.4
根据该表画得曲线图如图所示：
三．无偏压光电二极管的伏安特性
表 3-3：无偏压光电二极管的伏安特性
1Lx
偏压(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10
电压(V) 4.14 11.83 11.84 11.85 11.85 12.34
2Lx
偏压(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10
电压(V) 9.7 11.83 11.84 11.86 11.86 12.33
3Lx
偏压(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10
电压(V) 10.74 11.83 11.84 11.85 11.87 12.34
0
1
2
3
4
5
6
0 100 200 300 400 500 600 700 800
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根据该表画得曲线图如图所示：
当光照度为 1Lx 时，伏安特性曲线图如下：
当光照度为 2Lx 时，伏安特性曲线图如下：
当光照度为 3Lx 时，伏安特性曲线图如下：
四．偏压光电二极管的伏安特性
表 3-4：偏压光电二极管的伏安特性
5Lx
偏压(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10
电压(V) 0 1.15 1.27 1.34 1.38 1.44
11Lx
偏压(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10
电压(V) 0 2.25 2.35 2.4 2.45 2.6
35Lx
偏压(V) 0 -2 -4 -6 -8 -10
电压(V) 0 6.63 7 7.27 7.53 7.89
光电信息技术实验数据现象处理
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根据该表画得曲线图如图所示：
当光照度为 5Lx 时，伏安特性曲线图如下：
当光照度为 11Lx 时，伏安特性曲线图如下：
当光照度为 35Lx 时，伏安特性曲线图如下：
光电信息技术实验数据现象处理
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五．光电二极管的光谱响应特性
表 2-4：硅光电池的光谱响应特性
波长λ（nm） 800 760 720 680 640
电压 V（mV） 6.72 10.7 2.26 -1.32 -2.21
波长λ（nm） 600 560 520 480 440
电压 V（mV） -2.57 -2.7 -2.77 -2.79 -2.8
根据该 2-4表画得曲线图如图所示：
浙公网安备 33021202002483