uc3843设计全过程

bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 剖析电源设计全过程 ----普及篇 网友 Xj753951从网上提供 1 目的 剖析电源设计全过程 2 設計步驟: 2.1 繪線路圖、PCB Layout. 2.2 變壓器計算. 2.3 零件選用. 2.4 設計驗證. 3 設計 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 介紹(以 DA-14B33為例): 3.1 線路圖、PCB Layout請參考資識庫中說明. 3.2 變壓器計算: 變壓器是整個電源供應器的重要核心，所以變壓器的計算及驗証是很重要的， 以下即就 DA-14B33變壓器做介紹. 3.2.1 決定變壓器的材質及尺寸: 依據變壓器計算公式 Gaussx NpxAe LpxIpB 100(max) = Ø B(max) = 鐵心飽合的磁通密度(Gauss) Ø Lp = 一次側電感值(uH) Ø Ip = 一次側峰值電流(A) Ø Np = 一次側(主線圈)圈數 Ø Ae = 鐵心截面積(cm2) Ø B(max) 依鐵心的材質及本身的溫度來決定，以 TDK Ferrite Core PC40為例，100℃時的 B(max)為 3900 Gauss，設計時應考慮 零件誤差，所以一般取 3000~3500 Gauss之間，若所設計的 power為 Adapter(有外殼)則應取 3000 Gauss左右，以避免鐵 心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae越高，所以 可以做較大瓦數的 Power。 3.2.2 決定一次側濾波電容: 濾波電容的決定，可以決定電容器上的 Vin(min)，濾波電容越大， Vin(win)越高，可以做較大瓦數的 Power，但相對價格亦較高。 3.2.3 決定變壓器線徑及線數: 當變壓器決定後，變壓器的 Bobbin即可決定，依據 Bobbin的 槽寬，可決定變壓器的線徑及線數，亦可計算出線徑的電流密 度，電流密度一般以 6A/mm2為參考，電流密度對變壓器的設 計而言，只能當做參考值，最終應以溫昇記錄為準。 3.2.4 決定 Duty cycle (工作週期): 由以下公式可決定 Duty cycle ，Duty cycle的設計一般以 50%為 基準，Duty cycle若超過 50%易導致振盪的發生。 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 xDVin DxVVo Np Ns D (min) )1()( -+ = Ø NS = 二次側圈數 Ø NP = 一次側圈數 Ø Vo = 輸出電壓 Ø VD= 二極體順向電壓 Ø Vin(min) = 濾波電容上的谷點電壓 Ø D = 工作週期(Duty cycle) 3.2.5 決定 Ip值: IIavIp D+= 2 1 hxDxVin PoutIav (min) = f Px Lp VinI (min)=D Ø Ip = 一次側峰值電流 Ø Iav = 一次側平均電流 Ø Pout = 輸出瓦數 Ø =h 效率 Ø =f PWM震盪頻率 3.2.6 決定輔助電源的圈數: 依據變壓器的圈比關係，可決定輔助電源的圈數及電壓。 3.2.7 決定MOSFET及二次側二極體的 Stress(應力): 依據變壓器的圈比關係，可以初步計算出變壓器的應力(Stress) 是否符合選用零件的規格，計算時以輸入電壓 264V(電容器上 為 380V)為基準。 3.2.8 其它: 若輸出電壓為 5V以下，且必須使用 TL431而非 TL432時，須 考慮多一組繞組提供 Photo coupler及 TL431使用。 3.2.9 將所得資料代入 Gaussx NpxAe LpxIpB 100(max) = 公式中，如此可得出 B(max)，若 B(max)值太高或太低則參數必須重新調整。 3.2.10 DA-14B33變壓器計算: ² 輸出瓦數 13.2W(3.3V/4A)，Core = EI-28，可繞面積(槽 寬)=10mm，Margin Tape = 2.8mm(每邊)，剩餘可繞面積 =4.4mm. ² 假設 fT = 45 KHz ，Vin(min)=90V，h =0.7，P.F.=0.5(cosθ)， Lp=1600 Uh ² 計算式: PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 l 變壓器材質及尺寸: ² 由以上假設可知材質為 PC-40，尺寸=EI-28， Ae=0.86cm2，可繞面積(槽寬)=10mm，因Margin Tape使用 2.8mm，所以剩餘可繞面積為 4.4mm. ² 假設濾波電容使用 47uF/400V，Vin(min)暫定 90V。 l 決定變壓器的線徑及線數: A xxxxVin PoutIin 42.0 5.07.090 2.13 cos(min) === qh ² 假設 NP使用 0.32ψ的線 電流密度 = A x x 286.1 1024.014.3 42.0 2 32.014.3 42.0 2 == ÷ ø ö ç è æ 可繞圈數 = ( ) 圈線徑 剩餘可繞面績 57.12 03.032.0 4.4 = + = ² 假設 Secondary使用 0.35ψ的線 電流密度 = A x x 07.44 0289.014.3 4 2 35.014.3 4 2 == ÷ ø ö ç è æ ² 假設使用 4P，則 電流密度= A02.11 4 07.44 = 可繞圈數= ( ) 圈57.1103.035.0 4.4 = + l 決定 Duty cycle: ² 假設 Np=44T，Ns=2T，VD=0.5(使用 schottky Diode) ( )( ) DVin DVVo Np Ns D (min) 1-+ = ( )( ) %2.48 90 15.03.3 44 2 =Þ -+ = D D D l 決定 Ip值: PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 IIavIp D+= 2 1 A xxxDxVin PoutIav 435.0 482.07.090 2.13 (min) === h A K x uf Dx Lp VinI 603.0 45 482.0 1600 90(min) ===D AIp 737.0 2 603.0435.0 =+= l 決定輔助電源的圈數: 假設輔助電源=12V 12 8.3 1 = AN Ns 12 8.32 1 = AN NA1=6.3圈 假設使用 0.23ψ的線 可繞圈數= 圈13.19 )02.023.0( 4.4 = + 若 NA1=6Tx2P，則輔助電源=11.4V l 決定MOSFET及二次側二極體的 Stress(應力): MOSFET(Q1) =最高輸入電壓 (380V)+ ( )DVVoNs Np + = ( )5.03.3 2 44380 ++ =463.6V Diode(D5)=輸出電壓(Vo)+ Np Ns x最高輸入電壓 (380V) = 380 44 23.3 x+ =20.57V Diode(D4)= )380()( 2 VxNp NsN A 最高輸入電壓輸出電壓 + = 380 44 46.6 x+ =41.4V PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 l 其它: 因為輸出為 3.3V，而 TL431的 Vref值為 2.5V， 若再加上 photo coupler上的壓降約 1.2V，將使 得輸出電壓無法推動 Photo coupler及 TL431，所 以必須另外增加一組線圈提供迴授路徑所需的 電壓。 假設 NA2 = 4T使用 0.35ψ線，則 可繞圈數= ( ) T58.1103.035.0 4.4 = + ，所以可將 NA2定為 4Tx2P 22 8.3 AA VN Ns = VV V AA 6.78.3 4 2 2 2 =Þ= l Gaussx x xGaussx NpxAe LpxIpB 3.3116100 86.044 737.01600)(100(max) === l 變壓器的接線圖: 3.3 零件選用: 零件位置(標註)請參考線路圖: (DA-14B33 Schematic) 3.3.1 FS1: 由變壓器計算得到 Iin值，以此 Iin值(0.42A)可知使用公司共用料 2A/250V，設計時亦須考慮 Pin(max)時的 Iin是否會超過保險絲的額 定值。 3.3.2 TR1(熱敏電阻): 0.32Φx1Px22T 0.32Φx1Px22T 0.35Φx2Px4T 0.35Φx4Px2T 0.23Φx2Px6T PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 電源啟動的瞬間，由於 C1(一次側濾波電容)短路，導致 Iin電流很大， 雖然時間很短暫，但亦可能對 Power產生傷害，所以必須在濾波電 容之前加裝一個熱敏電阻，以限制開機瞬間 Iin在 Spec之內 (115V/30A，230V/60A)，但因熱敏電阻亦會消耗功率，所以不可放 太大的阻值(否則會影響效率)，一般使用 SCK053(3A/5Ω)，若 C1 電容使用較大的值，則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在 大瓦數的 Power上)。 3.3.3 VDR1(突波吸收器): 當雷極發生時，可能會損壞零件，進而影響 Power的正常動作，所 以必須在靠 AC輸入端 (Fuse之後)，加上突波吸收器來保護 Power(一般常用 07D471K)，但若有價格上的考量，可先忽略不裝。 3.3.4 CY1，CY2(Y-Cap): Y-Cap一般可分為 Y1及 Y2電容，若 AC Input有 FG(3 Pin)一般使 用 Y2- Cap ， AC Input若為 2Pin(只有 L，N)一般使用 Y1-Cap， Y1與 Y2的差異，除了價格外(Y1較昂貴)，絕緣等級及耐壓亦不同 (Y1稱為雙重絕緣，絕緣耐壓約為 Y2的兩倍，且在電容的本體上 會有“回”符號或註明 Y1)，此電路因為有 FG所以使用 Y2-Cap， Y-Cap會影響 EMI特性，一般而言越大越好，但須考慮漏電及價格 問題，漏電(Leakage Current )必須符合安規須求(3Pin公司標準為 750uA max)。 3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1: X-Cap為防制 EMI零件，EMI可分為 Conduction及 Radiation兩部 分，Conduction規範一般可分為: FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 兩種 ， FCC測試頻率在 450K~30MHz， CISPR 22測試頻率在 150K~30MHz， Conduction可在廠內以頻譜 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 儀驗證，Radiation 則必須到實驗室驗證，X-Cap 一般對低頻 段(150K ~ 數M之間)的 EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI 防制效果愈好(但價格愈高)，若 X-Cap在 0.22uf以上(包含 0.22uf)， 安規規定必須要有洩放電阻(RX1，一般為 1.2MΩ 1/4W)。 3.3.6 LF1(Common Choke): EMI防制零件，主要影響 Conduction 的中、低頻段，設計時必須 同時考慮 EMI特性及溫昇，以同樣尺寸的 Common Choke而言， 線圈數愈多(相對的線徑愈細)，EMI防制效果愈好，但溫昇可能較 高。 3.3.7 BD1(整流二極體): 將 AC電源以全波整流的方式轉換為 DC，由變壓器所計算出的 Iin 值，可知只要使用 1A/600V的整流二極體，因為是全波整流所以耐 壓只要 600V即可。 3.3.8 C1(濾波電容): 由 C1的大小(電容值)可決定變壓器計算中的 Vin(min)值，電容量愈 大，Vin(min)愈高但價格亦愈高，此部分可在電路中實際驗證 Vin(min)是否正確，若 AC Input 範圍在 90V~132V (Vc1 電壓最高 約 190V)，可使用耐壓 200V的電容;若 AC Input 範圍在 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 90V~264V(或 180V~264V)，因 Vc1電壓最高約 380V，所以必須使 用耐壓 400V的電容。 3.3.9 D2(輔助電源二極體): 整流二極體，一般常用 FR105(1A/600V)或 BYT42M(1A/1000V)， 兩者主要差異: 1. 耐壓不同(在此處使用差異無所謂) 2. VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V) 3.3.10 R10(輔助電源電阻): 主要用於調整 PWM IC的 VCC電壓，以目前使用的 3843而言，設 計時 VCC必須大於 8.4V(Min. Load時)，但為考慮輸出短路的情況， VCC 電壓不可設計的太高，以免當輸出短路時不保護(或輸入瓦數 過大)。 3.3.11 C7(濾波電容): 輔助電源的濾波電容，提供 PWM IC較穩定的直流電壓，一般使用 100uf/25V電容。 3.3.12 Z1(Zener 二極體): 當回授失效時的保護電路，回授失效時輸出電壓衝高，輔助電源電 壓相對提高，此時若沒有保護電路，可能會造成零件損壞，若在 3843 VCC與 3843 Pin3腳之間加一個 Zener Diode，當回授失效時 Zener Diode 會崩潰，使得 Pin3 腳提前到達 1V，以此可限制輸出電壓， 達到保護零件的目的.Z1值的大小取決於輔助電源的高低，Z1的決 定亦須考慮是否超過 Q1的 VGS耐壓值，原則上使用公司的現有料 (一般使用 1/2W即可). 3.3.13 R2(啟動電阻): 提供 3843第一次啟動的路徑，第一次啟動時透過 R2對 C7充電， 以提供 3843 VCC所需的電壓，R2阻值較大時，turn on的時間較長， 但短路時 Pin瓦數較小，R2阻值較小時，turn on的時間較短，短 路時 Pin瓦數較大，一般使用 220KΩ/2W M.O。. 3.3.14 R4 (Line Compensation): 高、低壓補償用，使 3843 Pin3腳在 90V/47Hz及 264V/63Hz接近 一致(一般使用 750KΩ~1.5MΩ 1/4W之間)。 3.3.15 R3，C6，D1 (Snubber): 此三個零件組成 Snubber，調整 Snubber的目的:1.當 Q1 off瞬間會 有 Spike產生，調整 Snubber可以確保 Spike不會超過 Q1的耐壓值， 2. 調 整 Snubber 可 改 善 EMI. 一 般 而 言 ， D1 使 用 1N4007(1A/1000V)EMI特性會較好.R3使用 2W M.O.電阻，C6的耐 壓值以兩端實際壓差為準(一般使用耐壓 500V的陶質電容)。 3.3.16 Q1(N-MOS): 目前常使用的為 3A/600V及 6A/600V兩種，6A/600V的 RDS(ON)較 3A/600V 小，所以溫昇會較低，若 IDS 電流未超過 3A，應該先以 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 3A/600V為考量，並以溫昇記錄來驗證，因為 6A/600V的價格高於 3A/600V許多，Q1的使用亦需考慮 VDS是否超過額定值。 3.3.17 R8: R8的作用在保護 Q1，避免 Q1呈現浮接狀態。 3.3.18 R7(Rs電阻): 3843 Pin3腳電壓最高為 1V，R7的大小須與 R4配合，以達到高低 壓平衡的目的，一般使用 2W M.O.電阻，設計時先決定 R7後再加 上 R4補償，一般將 3843 Pin3腳電壓設計在 0.85V~0.95V之間(視 瓦數而定，若瓦數較小則不能太接近 1V，以免因零件誤差而頂到 1V)。 3.3.19 R5，C3(RC filter): 濾除 3843 Pin3腳的雜訊，R5一般使用 1KΩ 1/8W，C3一般使用 102P/50V的陶質電容，C3若使用電容值較小者，重載可能不開機(因 為 3843 Pin3瞬間頂到 1V);若使用電容值較大者，也許會有輕載不 開機及短路 Pin過大的問題。 3.3.20 R9(Q1 Gate電阻 ): R9電阻的大小，會影響到 EMI及溫昇特性，一般而言阻值大，Q1 turn on / turn off的速度較慢，EMI特性較好，但 Q1的溫昇較高、 效率較低(主要是因為 turn off速度較慢);若阻值較小， Q1 turn on / turn off的速度較快，Q1溫昇較低、效率較高，但 EMI較差，一般 使用 51Ω-150Ω 1/8W。 3.3.21 R6，C4(控制振盪頻率): 決定 3843的工作頻率，可由 Data Sheet得到 R、C組成的工作頻率， C4一般為 10nf的電容(誤差為 5%)，R6使用精密電阻，以DA-14B33 為例，C4使用 103P/50V PE電容，R6為 3.74KΩ 1/8W精密電阻， 振盪頻率約為 45 KHz。 3.3.22 C5: 功能類似 RC filter，主要功用在於使高壓輕載較不易振盪，一般使 用 101P/50V陶質電容。 3.3.23 U1(PWM IC): 3843是 PWM IC的一種，由 Photo Coupler (U2)回授信號控制 Duty Cycle的大小，Pin3腳具有限流的作用(最高電壓 1V)，目前所用的 3843中，有 KA3843(SAMSUNG)及 UC3843BN(S.T.)兩種，兩者腳 位相同，但產生的振盪頻率略有差異，UC3843BN較 KA3843快了 約 2KHz，fT的增加會衍生出一些問題(例如:EMI問題、短路問題)， 因 KA3843較難買，所以新機種設計時，儘量使用 UC3843BN。 3.3.24 R1、R11、R12、C2(一次側迴路增益控制): 3843內部有一個 Error AMP(誤差放大器)，R1、R11、R12、C2及 Error AMP組成一個負回授電路，用來調整迴路增益的穩定度，迴 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 路增益，調整不恰當可能會造成振盪或輸出電壓不正確，一般 C2 使用立式積層電容(溫度持性較好)。 3.3.25 U2(Photo coupler) 光耦合器(Photo coupler)主要將二次側的信號轉換到一次側(以電流 的方式)，當二次側的 TL431導通後，U2即會將二次側的電流依比 例轉換到一次側，此時 3843 由 Pin6 (output)輸出 off 的信號(Low) 來關閉Q1，使用Photo coupler的原因，是為了符合安規需求(primacy to secondary的距離至少需 5.6mm)。 3.3.26 R13(二次側迴路增益控制): 控制流過 Photo coupler的電流，R13阻值較小時，流過 Photo coupler 的電流較大，U2轉換電流較大，迴路增益較快(需要確認是否會造 成振盪)，R13阻值較大時，流過 Photo coupler的電流較小，U2轉 換電流較小，迴路增益較慢，雖然較不易造成振盪，但需注意輸出 電壓是否正常。 3.3.27 U3(TL431)、R15、R16、R18 調整輸出電壓的大小， ( ) ( )16//15 1816//13 RR RRRxVrefVo += ，輸出電 壓不可超過 38V(因為 TL431 VKA最大為 36V，若再加 Photo coupler 的 VF值，則 Vo應在 38V 以下較安全)，TL431 的 Vref 為 2.5V， R15 及 R16 並聯的目的使輸出電壓能微調，且 R15與 R16 並聯後 的值不可太大(儘量在 2KΩ以下)，以免造成輸出不準。 3.3.28 R14，C9(二次側迴路增益控制): 控制二次側的迴路增益，一般而言將電容放大會使增益變慢；電容 放小會使增益變快，電阻的特性則剛好與電容相反，電阻放大增益 變快；電阻放小增益變慢，至於何謂增益調整的最佳值，則可以 Dynamic load來量測，即可取得一個最佳值。 3.3.29 D4(整流二極體): 因為輸出電壓為 3.3V，而輸出電壓調整器(Output Voltage Regulator) 使用 TL431(Vref=2.5V)而非 TL432(Vref=1.25V)，所以必須多增加 一組繞組提供 Photo coupler及 TL431所需的電源，因為 U2及 U3 所需的電流不大(約 10mA 左右)，二極體耐壓值 100V 即可，所以 只需使用 1N4148(0.15A/100V)。 3.3.30 C8(濾波電容): 因為 U2及 U3所需的電流不大，所以只要使用 1u/50V即可。 3.3.31 D5(整流二極體): 輸出整流二極體，D5的使用需考慮: a. 電流值 b. 二極體的耐壓值 以 DA-14B33為例，輸出電流 4A，使用 10A的二極體(Schottky)應 該可以，但經點溫昇驗証後發現 D5溫度偏高，所以必須換為 15A 的二極體，因為 10A的 VF較 15A的 VF 值大。耐壓部分 40V經驗 証後符合，因此最後使用 15A/40V Schottky。 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 3.3.32 C10，R17(二次側 snubber) : D5在截止的瞬間會有 spike產生，若 spike超過二極體(D5)的耐壓 值，二極體會有被擊穿的危險，調整 snubber 可適當的減少 spike 的電壓值，除保護二極體外亦可改善 EMI，R17一般使用 1/2W的 電阻，C10 一般使用耐壓 500V 的陶質電容，snubber 調整的過程 (264V/63Hz)需注意 R17,C10是否會過熱，應避免此種情況發生。 3.3.33 C11，C13(濾波電容): 二次側第一級濾波電容，應使用內阻較小的電容(LXZ，YXA…)， 電容選擇是否洽當可依以下三點來判定: a. 輸出 Ripple電壓是符合規格 b. 電容溫度是否超過額定值 c. 電容值兩端電壓是否超過額定值 3.3.34 R19(假負載): 適當的使用假負載可使線路更穩定，但假負載的阻值不可太小，否 則會影響效率，使用時亦須注意是否超過電阻的額定值(一般設計只 使用額定瓦數的一半)。 3.3.35 L3，C12(LC濾波電路): LC濾波電路為第二級濾波，在不影響線路穩定的情況下，一般會 將 L3 放大(電感量較大)，如此 C12可使用較小的電容值。 4 設計驗証:(可分為三部分) a. 設計階段驗証 b. 樣品製作驗証 c. QE驗証 ² 設計階段驗証 設計實驗階段應該養成記錄的習慣，記錄可以驗証實驗結果是否與電氣規格 相符，以下即就 DA-14B33設計階段驗証做說明(驗証項目視規格而定)。 4.1.1 電氣規格驗証: 4.1.1.1 3843 PIN3腳電壓(full load 4A) : 90V/47Hz = 0.83V 115V/60Hz = 0.83V 132V/60Hz = 0.83V 180V/60Hz = 0.86V 230V/60Hz = 0.88V 264V/63Hz = 0.91V 4.1.1.2 Duty Cycle , fT: %5.47 35.21 15.10 8.46 47/90 = = = = CycleDuty usT uston KHzf HzV T PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 %2.15 35.21 25.3 8.46 60/264 = = = = CycleDuty ust uston KHzf HzV T 4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load) 4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) : Q1 MOSFET: D5: D4: 4.1.1.5 輔助電源(開機，滿載)、短路 Pin max.: .)(max2.1 )4(26.11 )0.18A(8.4V 47/90 W AVHzV = = = 短路 滿載 開機 .)(max8.8 )4(26.11 )0.13A(8.4V 63/264 W AVHzV = = = 短路 滿載 開機 4.1.1.6 Static (full load) PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff 90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7 115V/60Hz 18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1 132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1 180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7 230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9 264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9 4.1.1.7 Full Range負載(0.3A-4A) (驗証是否有振盪現象) 4.1.1.8 回授失效(輸出輕載) 90V/47Hz ê Vout = 8.3V 264V/63Hz ê Vout = 6.03V 4.1.1.9 O.C.P.(過電流保護) 90V/47Hz = 7.2A 264V/63Hz = 8.4A 4.1.1.10 Pin(max.) 90V/47Hz = 24.9W 264V/63Hz = 27.1W 4.1.1.11 Dynamic test H=4A，t1=25ms，slew Rate = 0.8A/ms (Rise) L=0.3A，t2=25ms，slew Rate = 0.8A/ms (Full) 90V/47Hz 264V/63Hz 90V/47Hz = OK 115V/60Hz = OK 132V/60Hz = OK 180V/60Hz = OK 230V/60Hz = OK 264V/63Hz = OK PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 4.1.1.12 HI-POT test: HI-POT test一般可分為兩種等級: Ø 輸入為 3 Pin(有 FG者)，HI-POT test為 1500Vac/1 minute。Y-CAP使用 Y2-CAP Ø 輸入為 2 Pin(無 FG者)，HI-POT test為 3000Vac/1 minute。Y-CAP使用 Y1-CAP DA-14B33屬於輸入 3 PIN HI-POT test 為 1500Vac/1 minute。 4.1.1.13 Grounding test: 輸入為 3 Pin(有 FG者)，一般均要測接地阻(Grounding test)， 安規規定 FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過 100m Ω(25A/3 Second)。 4.1.1.14 溫昇記錄 設計實驗定案後(暫定)，需針對整體溫昇及 EMI做評估，若 溫昇或 EMI無法符合規格，則需重新實驗。溫昇記錄請參考 附件，D5原來使用 BYV118(10A/40V Schottky)，因溫昇較高 改為 PBYR1540CTX(15A/40V)。 4.1.1.15 EMI測試: EMI測試分為二類: Ø Conduction(傳導干擾) Ø Radiation(幅射干擾) 前者視規範不同而有差異(FCC : 450K - 30MHz，CISPR 22 :150K - 30MHz)，前者可利用廠內的頻譜分析儀驗証；後者 (範圍由 30M - 300MHz，則因廠內無設備必須到實驗室驗証， Conduction，Radiation測試資料請參考附件) 。 4.1.1.16 機構尺寸: 設計階段即應對機構尺寸驗証，驗証的項目包括 : PCB尺 寸、零件限高、零件禁置區、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….， 若設計階段無法驗証，則必須在樣品階段驗証。 4.1.2 樣品驗証: 樣品製作完成後，除溫昇記錄、EMI測試外(是否需重新驗証，視情 況而定)，每一台樣品都應經過驗証(包括電氣及機構尺寸)，此階段 的電氣驗証可以以 ATE(Chroma)測試來完成，ATE測試必須與電氣 規格相符。 4.1.3 QE驗証: QE針對 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 部所提供的樣品做驗証，工程部應提供以下交件及樣品 供 QE驗証。 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 待续！ bbs.hqeepower.com 环球电源论坛 一些优秀的硕/博士 论文 政研论文下载论文大学下载论文大学下载关于长拳的论文浙大论文封面下载 上面有一些浅显易懂的调试 心得 信息技术培训心得 下载关于七一讲话心得体会关于国企改革心得体会关于使用希沃白板的心得体会国培计划培训心得体会 ，设计心得，工作心得文章。 环球电源之星活动 PDF created with pdfFactory trial version www.pdffactory.com