(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106448728A(43)申请公布日2017.02.22(21)申请号CN201610826486.3(22)申请日2016.06.30(71)申请人HGST荷兰公司地址荷兰阿姆斯特丹(72)发明人L·M·弗兰卡-内托;K·A·鲁宾(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所代理人邱军(51)Int.CIG11C13/00;G11C11/56;H01L45/00;权利要求说明书 说明书 幅图(54)发明名称(57)摘要本公开的实施例通常涉及非易失性存储器,并且特别涉及具有可调整的单元位形状的非易失性存储器。在一个实施例中,提供了一种可调整的存储器单元。该存储器单元通常包括栅电极,至少一个记录层和沟道层。该沟道层通常能够支持耗尽区并被设置于该栅电极和该至少一个记录层之间。在该实施例中,一经激活该栅极,该沟道层可以被耗尽并且最初流过该沟道的电流可以被操纵流过该至少一个记录层。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2017-02-22公开公开2017-02-22公开公开2017-03-22实质审查的生效实质审查的生效2017-03-22实质审查的生效实质审查的生效2019-01-01授权授权权利要求说明书具有可调整的单元位形状的非易失性存储器及记录方法的权利要求说明书
内容
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