（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN105590923A（43）申请公布日2016.05.18（21）申请号CN201410582526.5（22）申请日2014.10.27（71）申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号（72）发明人张京晶（74）专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华（51）Int.CIH01L23/64;H01L21/02;权利要求说明书 说明书 幅图（54）发明名称（57）摘要一种MIM电容及其形成方法。其中，所述MIM电容的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有前端器件层；在所述前端器件层上形成第一介质层；在所述第一介质层内形成凹槽；在所述凹槽的内壁和所述第一介质层上表面形成第一电极层；在所述第一电极层上形成第二介质层；在所述第二介质层上形成第二电极层；在形成所述第二电极层后，进行平坦化工艺。所述形成方法能够提高所形成MIM电容的可靠性。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2016-05-18公开公开2016-05-18公开公开2016-06-15实质审查的生效实质审查的生效2016-06-15实质审查的生效实质审查的生效2018-09-07授权授权权利要求说明书MIM电容及其形成方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看说明书MIM电容及其形成方法的说明书内容是....请下载后查看
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