(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104282746A(43)申请公布日2015.01.14(21)申请号CN201410325340.1(22)申请日2014.07.09(71)申请人首尔半导体株式会社地址韩国京畿道安山市(72)发明人竹谷亓伸;李宽铉;郑暎都(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人孙昌浩(51)Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图(54)发明名称(57)摘要本发明公开一种具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法。所述具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管包括:基板上的漏极;基板上的漂移层;p型氮化镓(GaN)电流势垒层,配置于漂移层的上部而限定p型氮化镓电流势垒层之间的电流孔径,且电流孔径提供载流子朝垂直方向移动的路径;沟道层,配置于p型氮化镓电流势垒层和漂移层之上,并具有上部的二维电子气层;半导体层,配置于沟道层上而用于使二维电子气层形成;金属接触层,贯通沟道层而与p型氮化镓电流势垒层接触;金属接触层和沟道层上的源极层;栅绝缘层和栅极层,依次层叠于作为沟道层的相反侧的半导体层的上
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面上。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2015-01-14公开公开2015-01-14公开公开2015-02-11实质审查的生效实质审查的生效2015-02-11实质审查的生效实质审查的生效2017-08-18发明专利申请公布后的视为撤回发明专利申请公布后的视为撤回权利要求说明书具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看说明书具有p型氮化镓电流势垒层的垂直型晶体管及其制造方法的说明书内容是....请下载后查看