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一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法

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一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN105696079A（43）申请公布日2016.06.22（21）申请号CN201610245235.6（22）申请日2016.04.19（71）申请人北京世纪金光半导体有限公司地址101111北京市通州区经济技术开发区通惠干渠路17号院（72）发明人刘欣宇;张云伟;靳丽婕;何丽娟;陈颖超（74）专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司代理人尹振启（51）Int.CIC30B29/36;C30B35/00;权利要求...

一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN105696079A（43）申请公布日2016.06.22（21）申请号CN201610245235.6（22）申请日2016.04.19（71）申请人北京世纪金光半导体有限公司地址101111北京市通州区经济技术开发区通惠干渠路17号院（72）发明人刘欣宇;张云伟;靳丽婕;何丽娟;陈颖超（74）专利代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司代理人尹振启（51）Int.CIC30B29/36;C30B35/00;权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称（57）摘要本发明公开了一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，配备一碳化硅单晶生长用单晶炉；该方法包括：步骤1）基于感应加热法设计加热线圈，该加热线圈由轴向排布的若干段线圈单元组合而成，每段线圈单元连接有独立控制装置；步骤2）通过控制每段线圈单元的加热参数，使发热筒各部分的发热量发生改变，从而精确控制单晶炉腔内温度场，始终保持晶体生长的前沿处于适合其生长的温区，最终得到碳化硅单晶。通过分段独立控制各位置温场，在坩埚运动过程中严格将高温区域控制在所需的生长点上，实现优质6英寸碳化硅单晶的生长，降低能耗浪费，而且无需对坩埚进行提拉和旋转，简化了单晶炉的机械结构，该温场控制方法不局限于碳化硅单晶生长。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2016-06-22公开公开2016-06-22公开公开2016-07-20实质审查的生效实质审查的生效2016-07-20实质审查的生效实质审查的生效2019-04-05发明专利申请公布后的驳回发明专利申请公布后的驳回权利要求说明书一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看说明书一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法的说明书内容是....请下载后查看

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