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氧化镁烧结体及其制造方法

氧化镁烧结体及其制造方法19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102822113A(43)申请公布日2012.12.12(21)申请号CN201180018437.2(22)申请日2011.04.11(71)申请人达泰豪化学工业株式会社;松下电器产业株式会社地址日本兵库县(72)发明人龟井忠辅;辻田卓司;桥本润;岛村隆之;后藤真志(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳(51)Int.CIC04B35/01;C04B35/622;C23C14/24;H01J9/02;H01J11/4...

19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102822113A(43)申请公布日2012.12.12(21)申请号CN201180018437.2(22)申请日2011.04.11(71)申请人达泰豪化学工业株式会社;松下电器产业株式会社地址日本兵库县(72)发明人龟井忠辅;辻田卓司;桥本润;岛村隆之;后藤真志(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳(51)Int.CIC04B35/01;C04B35/622;C23C14/24;H01J9/02;H01J11/40;权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称氧化镁烧结体及其制造方法(57)摘要本发明提供能够抑制在成膜时发生飞溅且不易在成膜装置的供给口发生堵塞的氧化镁烧结体、使用该烧结体得到的PDP的保护膜用蒸镀材

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