TFTArray工艺

TFTArray工艺一、TFT的基本结构二、ARRAY工艺引见三、4Mask与5Mask工艺对比四、Array现场气液平安主要内容2一、TFT的基本结构偏光板TFT基板TFT背光源偏光板液晶单像素（旋转）TFT部位侧视像素TNGATEG-SiNxa-Sin+a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素电极GLASS接触孔实际结构3一、TFT的基本结构GATEG-SiNxa-Sin+a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素电极GLASS接触孔G工程I工程D工程C工程PI工程4PR曝光工程成膜工程刻蚀工程剥离G层Sputter(AL-Nb,Mo-Nd)G-MaskPR曝光G层湿刻剥离工艺详细 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 －G工程5工艺详细流程－D/I工程图解PR曝光工程成膜工程剥离工程D层Sputter(Cr)D-MaskPR曝光D层湿刻2剥离PCVD〔SiNx〕Island干刻D层湿刻1刻蚀工程成膜工程PCVD〔3层CVD〕成膜工程Channel干刻6工艺详细流程－C工程PR曝光工程成膜工程刻蚀工程剥离PCVD(SiNx)C-MaskPR曝光ContactHole干刻剥离7工艺详细流程－PI工程PR曝光工程成膜工程刻蚀工程Sputter〔ITO〕PI-MaskPR曝光ITO湿刻剥离剥离8二、ARRAY工艺引见工艺名称工艺目的1洗净清洁基板 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面，防止成膜不良2溅射（SPUTTER)成Gate膜、D/S膜和Pixel膜3P-CVD成a-Si膜和SiNx膜4PR/曝光形成与MASK图案相一致的光刻胶图案5湿刻（WE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜6干刻（DE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜7剥离去掉残余的光刻胶8退火修复晶体损伤，改善晶体性质9检查修复监控产品不良，修复不良91-1、洗净ＵＶ药液刷子高圧2流体Ａ／ＫＰＤＡ排水Ｐ排水Ｐ纯水ＤＡ洗净功能洗净对象作用Ｕ　Ｖ药　液刷洗高压喷射2流体氧化分解溶　解机械剥离机械剥离机械剥离　有机物(浸润性改善)有机物　微粒子　(大径)微粒子(中径)微粒子　(小径)ＵＶ/Ｏ３溶　解接触压水压加速度cavitation101-2、洗净方法及原理概述洗浄対象目的Ｔｏｏｌ1、Ｄｒｙ洗浄有機物汚染密着力向上UV／Ｏ３ＥｘｃｉｍｅｒＵＶ濡れ性向上2、Ｗｅｔ洗浄無機物Ｐａｒｔｉｃｌｅ微小Ｇｌａｓｓ傷有機物ＰａｒｔｉｃｌｅＰａｒｔｉｃｌｅ除去微小Ｇｌａｓｓ傷除去超音波高圧Ｓｐｒａｙ純水／Ａｉｒ２流体ＪｅｔＢｒｕｓｈＡｌｋａｌｉ洗剤11溅射(Sputter)是指运用电场减速的气体离子对靶材的轰击，使成膜资料从靶材转移到基板的物理成膜方法。Sputter在工艺流程中的位置2-1、Sputter洗净Sputter成膜InlinePRWetEtching剥离Sputter工艺在生产工艺流程中的位置122-2、SputterTFT中Sputter薄膜的种类和作用类型名称作用G配线Al传递扫描信号D配线Cr传递数据信号像素电极ITO存储数据信号D-CrPI-ITOG1-AlG2-Mo13全体图〔SMD-1200〕基板搬入〔加热〕/搬出〔冷却〕室〔L1、L2〕搬送室(Tr)成膜室〔X1、X3〕2-3、Sputter设备UpperSlot-Load(Heating)UnderSlot-Unload(Cooling)SputterX1Type(1Target)S3X1Ｔｙｐｅ1sheetS4X3Type1sheetMax3sheetcassette120sheetcassette220sheetcassette320sheetcassette420sheetVacRob2sheetAtmRob2sheetTargetTargetL1-11sheetL1-21sheetL2-11sheetL2-21sheettargettargetSputterX3Type(1~3Target)CassetteLoaderGlassSize1100×1300(mm)S1枚葉SputterULVACSMD-120014膜层材料作用G-绝缘膜SiNx绝缘a-Si非晶硅导电沟道n+a-SiN掺杂非晶硅欧姆接触PA-SiNxSiNx保护3-1、PCVDG-SiNxa-Sin+a-SiP-SiNxGLASSI工程G-SiNxa-Sin+a-SiP-SiNxGLASSI工程153-2、PCVD除害装置（scrubber）ＭＦＣＭＦＣＭＦＣ汽缸cabinet气体BOX气体吹出电极（阴极）ヒーター等离子体Ｍ．ＢＯＸＰ控制ＲＦ电源下部电极（阳极）压力计节流阀干泵气体供给流量控制ＲＦpower压力控制真空排气特气对应工艺腔体（电极部）164-1、PR/曝光由洗净、涂覆、曝光、显影四大局部组成。洗净：ExcimerUV→RB＋AAJet→直水Spray→A/k涂覆：除水单调→Slit涂覆→Spin涂覆→减压单调→端面清洗→前烘曝光显影：显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K→后烘174-2、InlinePR涂布前洗净EBR处置预烘基板端面的光刻胶除去N２洗浄液排气光刻胶中的溶剂除去→决议光刻胶感光速度加热盘非接触方式→改善静电、反面污染、热应力等方面非接触式栓刷子2流体184-3、曝光横倍率台形Ｍｉｒｒｏｒ凸面Ｍｉｒｒｏｒ凹面ＭｉｒｒｏｒＸ非線形基板Ｓｃａｎ光源ＣＣＤ円弧状ＳｌｉｔＭａｓｋＦｌｙＥｙｅ弓なり補正194-4、显影显影液回收清洗槽风刀枯燥显影液显影槽基板倾斜，显像液流下基板片面喷纯水回收显影液纯水20湿刻的目的湿刻是经过对象资料〔普通为金属导电膜〕与刻蚀液之间的化学反响，对对象资料中止刻蚀的进程。在TFT-LCD工艺中，主要是对Gate层〔Mo/Al〕、Drain层〔Cr〕及像素层〔ITO〕中止刻蚀。5-1、湿刻成膜工程ＰＲ工艺（涂敷,曝光,显影）Ｅｔｃｈｉｎｇ工程215-2、湿刻设备概要湿刻装置的构成　　部　　位作用Etching槽对基板进行刻蚀处理水洗槽通过纯水将刻蚀液冲洗干燥槽用A/K干燥基板Ｅｔｃｈｉｎｇ　Ｕｎｉｔ水洗Ｕｎｉｔ枯燥Ｕｎｉｔ226-1、干刻成膜工程〔ＣＶＤ〕ＰＲ工程〔涂布、曝光、显像〕刻蚀工程〔ＤＥ〕ＰＲ剥离刻蚀目的：构成TFT基板的各种pattern。DE刻蚀的主要对象为非金属膜。23反响气体在高频电场作用下发作等离子体〔Plasma〕放电。等离子体与基板发作作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。6-2、干刻原理ETCHINGGASPLASMA246-3、干刻装置大气压大气压⇔真空真空真空plasmaP/C(ProcessChamber)T/C(TransferChamber)L/L(LoadLock)大气Robot从Cassette和L/L之间的搬送大气压和真空两种形状之间的切换L/L和P/C之间的搬送。防止不纯物进入P/C，P/C内的特气外泄真空中停止Plasma的物理、化学反响，停止刻蚀251.剥离简介：刻蚀〔干刻、湿刻〕完成后除去光刻胶的进程。7-1、剥离成膜工程PR工程（涂覆，曝光，显影）刻蚀工程剥离工程：刻蚀后除去光刻胶263.各局部作用7-2、剥离水洗槽干燥槽剥离槽IPA槽部位作用剥离槽利用剥离液溶解并剥离光刻胶IPA槽利用IPA置换剥离液。（防止Al腐蚀）水洗槽用纯水洗净处理液干燥槽利用A/K干燥基板2.剥离装置表示图278、热退火热退火简介：经过适事先间的热处置，修复晶体损伤，改善晶体性质。淀积，刻蚀等基本加工完成。热退火处置损伤分解，缺陷复合，再结晶，掺杂物质再散布。薄膜晶体〔主要是ITO和N+〕性质失掉提高。28项目Layer缺陷修复D检查GateGate　短路激光切断Gate　断路不可修复图形不良根据缺陷判断是否修复IslandSi残留根据缺陷判断是否修复DrainDrain　短路激光切断Drain　断路激光　CVD图形不良根据缺陷判断是否修复最终检查Short画素短路激光切断G-G短路激光切断D-D短路激光切断others点缺陷等根据缺陷判断是否修复9、反省与修复2910、ARRAY工艺引见—4Mask工艺PR后像素照片GPRDPRCPRPIPR3011、ARRAY工艺引见—工艺不良〔PR〕显影后接触孔边缘外形不规那么光刻胶PinholeD断线31PR/曝光——使待刻蚀膜层上的光刻胶构成掩模图形的进程三、4Mask与5Mask工艺对比PhotoresistEtching剥離膜基板Photolithography工程Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ塗布露光現像32三、4Mask与5Mask工艺对比[ＧＬＡＳＳ]成膜　CVD・Sputter[膜]Lithography[Glass]（a)(b)(c)(d)曝光[Mask]Array工程显像Etching(e)剥离反复33三、4Mask与5Mask工艺对比4Mask–D/I工程I-工艺I-DED-工艺D-WEDI-工艺D1-WEI-DEPR-DED2-WE曝光曝光曝光5Mask–D工程和I工程CH-DECH-DE34三、4Mask与5Mask工艺对比—反省与修复Cell工程G工程I／D工程C工程PI工程D检查最終检查自动外观检查(全检)激光切断激光CVD特性检查ARRAY检查(全检)激光切断宏观外観TN：4Mask工艺SFT：5Mask工艺O/S检查自动外观检查激光切断（激光CVD）G工程I工程C工程PI工程D检查Ｇ检查Cell工程D工程自动外观检查激光切断激光CVD最終检查特性检查宏观外観35四、Array气液平安36四、Array气液平安37