匹1=1辐射导致的有轻重掺杂发射机的PNP或BJT的增益降低抽象的:辐照引起的增益降低被比较,在两种类型的横向PNP双极器件是相同的,除了发射极掺杂之外。发射极重掺杂器件(1X102ocm-3)的衰减比轻掺杂低(1X10i8cm-3)。所有类型的器件都易受到在E-B结和本征基区上的氧化层中的界面陷阱的影响。此外,发射极轻掺杂器件,由于来自耗尽区注入到发射极的experiencespreading增加了此类器件对辐照总量的敏感度。在所有类型的器件中,增益降低时由于基极电流升高和集电极电流下降的共同作用。与先前研究的器件相比,此种工艺的器件对辐照引起的集电极电流下将更加显著。在低辐照浓度下,我们观察发现,重掺杂器件的增益下降现象更加剧烈。然而,这种增一下将加剧的原因似乎是由于time-dependent的影响,而不是辐照浓度率的影响。轻掺杂器件没有
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现出随辐照浓度率变化而变化的明显趋势,而且在post-irradiationannealing过程中,这类器件的增益得到了提升。1.介绍辐照电离会引起单个器件的电流增益(0=IC/IB)下降,从而导致双极IC的失效。大多数双极器件中,Si-SiO2界面内的复合增加,导致了过剩的积极电流,从而引起了增益下降。在同样的辐照浓度率下,通常,横向PNP晶体管比纵向PNP器件增益下降更加明显。而且,在集成电路中,往往是横向PNP品体管类型的器件对总浓度最敏感。很多双极集成电路中被辐照器件对辐照浓度的反映表现出,低辐照浓度率引起的增益下降往往比高辐照浓度率引起的增益下降更大。增益基于浓度率的变化呈现出明显的不确定性。