CD4011中文资料四2输入与非门CMOS芯片逻辑
表
关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf
达式:Y=A.B真值表A=Y.BXYQ动作00?禁止011设定100重置11不变无(1)当X=0、Y=0时,将使两个NAND门之输出均为1,违反触发器之功用,故禁止使用。如真值表第一列。(2)当X=0、Y=1时,由于X=1导致NAND-A的输出为”1”,使得NAND-B的两个输入均为”1”,因此NAND-B的输出为”0”,如真值表第二列。(3)当X=1、Y=0时,由于Y=0导致NAND-B的输出为”1”,使得NAND-1的两个输入均为””1,因此NAND-A的输出为”0”,如真值表第三列。(4)当X=1、Y=1时,因为一个””1不影响NAND门的输出,所以两个NAND门的输出均不改变状态,如真值表第四列。CD4011引脚图及引脚功能:图1CD4011引脚图管脚功能:1A数据输入端2A数据输入端3A数据输入端4A数据输入端1B数据输入端2B数据输入端3B数据输入端4B数据输入端VDD电源正VSS地1Y数据输出端2Y数据输出端3Y数据输出端4Y数据输出端CD4011内部结构框图:图2CD4011内部逻辑结构图图3CD4011内部保护网络图4CD4011逻辑图CD4011电气特性:VDD电压范围:-0.5Vto18V功耗:双列普通封装700mW小型封装500mW工作温度范围:CD4011BM-55℃-+125℃CD4011BC-40℃-+85℃Conditions典最单Symbol符号Parameter参数测试条件型大位VDD-5V120250PropagationDelayTime,High-to-LowLevel传播延迟tPHLVDD-10V50100ns时间,从高到低VDD-15V3570VDD-5V110250PropagationDelayTime,Low-to-HighLevel传播延迟tPLHVDD-10V50100ns时间,从低到高VDD-15V3570VDD-5V90200tTHL,tTLHTransitionTime过渡期VDD-10V50100nsVDD-15V4080CINAverageInputCapacitance平均输入电容AnyInput57.5pFCPDPowerDissipationCapacity功耗电容AnyGate14pFCD4011参数表单SymbolParameter-55℃+25℃+125℃Conditions测试条件位符号参数最小最大最小典型最大最小最大QuiescentVDD=5V,VIN=VDDorVSS0.250.0040.25DeviceVDD=10V,VIN=VDDor7.5IDD0.500.0050.50μACurrent静VSSVDD=15V,VIN=VDD15301.00.0061.0态电流orVSSLowLevelOutputVDD=5V0.050.050.05lVOLVoltage输VDD=10V0.050.050.05VIOl<1μA出低电平电VDD=15V0.050.050.05压HighLevelOutputVDD=5V4.954.9554.95VOHVoltage输VDD=10VlIOl<1μA9.959.95109.95V出高电平电VDD=15V14.9514.951514.95压LowLevelInputVDD=5V,VO=4.5V1.521.51.5VILVoltage输VDD=10V,VO=9.0V3.043.03.0V入低电平电VDD=15V,VO=13.5V4.064.04.0压HighLevelInputVDD=5V,VO=0.5V3.53.533.5VIHVoltage输VDD=10V,VO=1.0V7.07.067.0V入高电平电VDD=15V,VO=1.5V11.011.0911.0压LowLevel0.640.510.880.36OutputVDD=5V,VO=0.4V1.61.32.250.9IOLCurrent输VDD=10V,VO=0.5VmA出低电平电VDD=15V,VO=1.5V4.23.48.82.4流HighLevel-0.64-0.51-0.88-0.36OutputVDD=5V,VO=4.6V-1.6-1.3-2.25-0.9IOHCurrent输VDD=10V,VO=9.5VmA出高电平电VDD=15V,VO=13.5V-4.2-3.4-8.8-2.4流IINInput-0.10-10-5-0.10-1.0Current输VDD=15V,VIN=0VμA入电流VDD=15V,VIN=15V0.1010-50.101.0