固体物理学_半导体电子论之半导体中电子的费密统计分布07_03半导体中电子的费密统计分布1半导体载流子半导体中的电子服从费密——狄拉克统计——金属中电子填充空带的部分形成导带相应电子的费密能级位于一个导带中——掺杂不太多的半导体热平衡下施主电子激发到导带中,价带中有少量空穴——半导体中电子的费密能级位于带隙之中且有电子在导带各能级分布的几率费密能级位于带隙之中——导带中的电子接近经典玻耳兹曼分布——导带中每个能级上电子的平均占据数很小满带中空穴占据的几率——能级不被电子占据的几率应用——空穴占据状态的E越低(电子的能量)，空穴的能量越高，空穴平均占据数越小(电子占据...
07_03半导体中电子的费密统计分布1半导体载流子半导体中的电子服从费密——狄拉克统计——金属中电子填充空带的部分形成导带相应电子的费密能级位于一个导带中——掺杂不太多的半导体热平衡下施主电子激发到导带中,价带中有少量空穴——半导体中电子的费密能级位于带隙之中且有电子在导带各能级分布的几率费密能级位于带隙之中——导带中的电子接近经典玻耳兹曼分布——导带中每个能级上电子的平均占据数很小满带中空穴占据的几率——能级不被电子占据的几率应用——空穴占据状态的E越低(电子的能量)，空穴的能量越高，空穴平均占据数越小(电子占据数越大)——半导体中的导带能级和满带能级远离费密能量——导带接近于空的，满带接近于充满2费密能级和载流子浓度导带底附近的能量满带顶附近的能量自由电子能态密度——导带中电子的浓度令——有效能级密度导带电子浓度——单位体积中导电电子数就是如同导带底处的个能级所应含有的电子数空穴浓度——温度不变，导带中电子越多，空穴越少，反之亦然3杂质激发如果N型半导体主要含有一种施主，施主的能级__ED施主的浓度__ND——足够低的温度下载流子主要是从施主能级激发到导带的电子导带中电子数是空的施主能级数——两式消去EF因为——导带底与施主能级差施主的电离能导带中电子的数目温度很低——很少的施主被电离温度足够高——施主几乎全被电离，导带中的电子数接近于施主数P型半导体受主的能级位置__EA受主浓度__NA——低温度下,载流子是从受主能级激发到满带的空穴满带中空穴的浓度——受主的电离能在足够低的温度下——只有很少的受主被电离4本征激发——足够高的温度下，满带到导带的电子激发——每产生一个电子同时产生一个空穴——带隙宽度因为——本征激发随温度变化更为陡峭——测量分析载流子随温度的变化，可以确定带隙宽度
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