交流分析和瞬态分析

交流分析和瞬态分析交流分析交流分析又称AC分析，就是求电路的频域响应。当输入信号的频率变化时，它能够计算出电路的幅频响应和相频响应。作交流分析时，信号源应用交流源VAC或IAC。 1．交流分析举例 A. 用Capture软件画好电路图如下，电路默认参数设置为：V2=3V， V1=820mV, I1=2uAV3=1Vac,0Vdc, C1=1p. W/L of NMOS =10u/1u.W/L of PMOS =10u/1u NMOS使用MbreakN3,PMOS使用MbreakP3. B. 设置分析类型和参数。在如图所示的参数设...

交流分析交流分析又称AC分析，就是求电路的频域响应。当输入信号的频率变化时，它能够计算出电路的幅频响应和相频响应。作交流分析时，信号源应用交流源VAC或IAC。 1．交流分析举例 A. 用Capture软件画好电路图如下，电路默认参数设置为：V2=3V， V1=820mV, I1=2uAV3=1Vac,0Vdc, C1=1p. W/L of NMOS =10u/1u.W/L of PMOS =10u/1u NMOS使用MbreakN3,PMOS使用MbreakP3. B. 设置分析类型和参数。在如图所示的参数设置框中设置参数如下：图2.3.22 AC分析参数设置在Analysis type栏中选“AC Sweep/Noise”。在Option栏中选“General Settings”。在AC Sweep Type栏中选“Logarithmi：Decade”。意思是以10倍频方式扫描。在Start栏中填入“1k”。在End栏中填入“10MEG”。在Points/Decade栏中填入“10”。意思是频率从1kHz变化到10MHz，每10倍频间隔计算10个点。 Noise Analysis栏是作噪声分析用的，这里可以不选。设置完后按“确定”键。 C. 运行Pspice。 D. 查看单端输出时电压增益的波特图。 ① 在Probe窗口中，执行Trace/Add Trace命令，在“Trace Expression”文本框中键入DB（V（out）），即显示出电压增益的幅频特性曲线。 ② 点选Trace/Add Y Axis ，增加一个纵轴。 ③ 在“Trace Expression”文本框中键P（V（out）），即显示出电压增益的相频特性曲线参数扫描分析参数扫描分析就是当电路中某个参数在一定的范围变化时，对指定的每个参数值进行一次基本分析。每一种基本分析如DC分析、AC分析、TRAN分析都可与参数扫描分析配合使用。它在电路优化方面有着重要作用。设置分析类型和参数：在如图所示的分析类型和参数设置框中设置好瞬态分析的参数后，在Options栏中再点选“Voltage source”，出现如图所示的参数分析对话框。运行Pspice。查看分析结果。分析结束后出现如图所示的多批运行结果选择框，供你选择。选All并按OK键，出现Probe窗口。在Probe窗口中，执行Trace/Add Trace命令，在“Trace Expression”文本框中键入DB（V（out）），即显示出电压增益的幅频特性曲线。观察：只有当V1=0.82V附近时，放大器的开环增益才最大。在V1=0.82附件做dc sweep,观察输出特性。结论：输出在Vdd/2附近时，放大器的开环增益才最大。瞬态分析瞬态分析又称TRAN分析，就是求电路的时域响应。它可在给定输入激励信号情况下，计算电路输出端的瞬态响应，也可在没有激励信号但有贮能元件（如C和L）的情况下，求振荡波形。 A. 用Capture软件画好电路图如下，电路默认参数设置为：V2=3V， V1=1V, I1=2uAV4(voff=0,vampl=10m,freq=1k), C1=1p.R1=R2=1meg W/L of NMOS =10u/1u.W/L of PMOS =10u/1u NMOS使用MbreakN3,PMOS使用MbreakP3. V4是正弦信号vsin. 准备工作：①对V1做DC sweep 使输出V(out)偏置于Vdd/2附近。 ②重新设置V1的值。 B. 设置分析类型和参数：完成模拟类型分组后，点击Create按钮，出现如图2.3.11所示的分析类型和参数设置框。在Analysis type栏中选“Time Domain（Transient）”。在Option栏中选“General Settings”。在Run to栏中填入“2ms”。意思是瞬态分析的终止时间为2ms。在Start saving data栏中填入“0”。意思是瞬态分析的起始时间为0。在Maximum Step栏中填入“10us”。意思是瞬态分析的时间步长为10μs。设置完后按“确定”键。（5）运行Pspice。执行Pspice/Run命令。查看结果：如图附件： NMOS 模型： .MODEL Mbreakn NMOS LEVEL = 3 + TOX = 200E-10 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.5 + PHI = 0.7 VTO = 0.8 DELTA = 3.0 + UO = 650 ETA = 3.0E-6 THETA = 0.1 + KP = 120E-6 VMAX = 1E5 KAPPA = 0.3 + RSH = 0 NFS = 1E12 TPG = 1 + XJ = 500E-9 LD = 100E-9 + CGDO = 200E-12 CGSO = 200E-12 CGBO = 1E-10 + CJ = 400E-6 PB = 1 MJ = 0.5 + CJSW = 300E-12 MJSW = 0.5 PMOS 模型： .MODEL Mbreakp PMOS LEVEL = 3 + TOX = 200E-10 NSUB = 1E17 GAMMA = 0.6 + PHI = 0.7 VTO = -0.9 DELTA = 0.1 + UO = 250 ETA = 0 THETA = 0.1 + KP = 40E-6 VMAX = 5E4 KAPPA = 1 + RSH = 0 NFS = 1E12 TPG = -1 + XJ = 500E-9 LD = 100E-9 + CGDO = 200E-12 CGSO = 200E-12 CGBO = 1E-10 + CJ = 400E-6 PB = 1 MJ = 0.5 + CJSW = 300E-12 MJSW = 0.5

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