� � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � � ⋯⋯集成电路应用· · · · · · · · · · · , · · · · · · · · · · · · · ·⋯⋯ ” ’� !示∀ # ∃落% & ∋ %( 吐)
全球领先的可编程逻辑解决
方案
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供应商赛灵思
公司 日前宣布推出下一代 ∗#∋ +,、−,“ 解决方案—. 以 业 界 成 本 最 低 、 唯 一 可 以 免 转 换
/∀一0%& ∀∋伍 , ∀ 1 就能替代 �23) 产品进行批量生产的解决方案 。 现在 , 扩展的 ∗ #∋ + # ∃4 产品系列支持
5 0五&5 � � ! ∀# ! ∃ 一%&∋ 和 ∋(∀#) ∗ ++, 呱 −平台 . / 0 , % 万逻辑
单元起价为每单元 12 34 5 美元 , 是同等结构化 0�−/
产品价格 的一半 。 与结构化 0�− / 相 比 , 新 的
� 6 一% 和 7 (∀( ) ∗科8 !9 :;!9 < . / 0 系列可 以提供前所未有的性价比 , 并可以提供最全面的硅芯片和知
识产权 = −; >平台供用户选择 。
专利的 8 !9 :;! #< 测试技术的进步也提供 了独
特的设计灵活性优势 , 其平台特性和价格均优于现
有的结构化 0 �− / 。 这使越来越多的公司和应用领域
可以充分利用 .;? 0 的所有优势 , 从原型到生产都
尽可能实现成本最低 。通过多种设计方案 , 赛灵思的
8! 9: ;! #< 方案得到了广泛的采用 。 = 丁力 >
尔� 8 ≅Α,Β > , 将存储系统的内存寻址能力扩展到
了 , ? Χ 以上 , 突破了当前许多大型存储应用的性
能限制 ,例如数据库程序等 。
此外 , 全新处理器还可将功耗减少近 5Δ Ε , 以
缓解相关发热问题 。 这款采用英特尔� 8 Φ 52Δ 芯片
组的全新处理器提供了一款高性能平台 , 适用于空
间有限的热敏感 Γ 0 � 和 �0 Γ 环境 。 其它全新平台
技术主要包括采用 Η Η Ι ϑ ,ΔΔ 的更快的内存技术 、
更高吞吐率的 ΚΔΔ ≅Λ Μ 系统总线 、以及更高带宽的
互连技术 /− 一8 Ν ∀ ) 9 9 Ο
英特尔公司 日前推出面 向存储行业的 、 带有
Α, 位英特尔内存扩展技术 = 8 ≅Α, Β > 的英特尔�
至强 翔 处理器架构平台 , 进一步扩展 了其整全线
产品的 Α, 位能力 。
同时 , 英特尔还推出了与 8 Π Θ& )∗ 公司联手开
发的重要光学设计 , 以及一款支持存储应用的全新
编译器 。
英特尔推出了采用 ΚΔΔ ≅Λ Μ 系统总线 , 具备 Α,
位能力的低压英特尔� 至强 侧 处理器 2 3 Κ ? Λ Μ , 该处
理器主要面向存储应用 , 例如存储网络控制器等 。该
全新处理器采用 Α, 位英特尔�内存扩展技术 = 英特
日前 , 德州仪器 =Β& > 宣布推出一系列可 为多达
5 个串行白光二极管 =Ρ 8Η> 供电的同步升压转换
器 ,进一步增强了 Β− 为小型电池供电手持终端的高
级显示功能提供支持的能力 。 该款 13 5 毫米 ∗ 1 3 5 毫
米的超小型芯片 =−/> 使便携设备设计商能够实施基
于电感的最小型解决方案 , 以便向智能电话 、;Η 0 、
数码相机及其它手持电子设备中的白光 Ρ8 Η 进行
高效供电并控制其亮度 。
新型 Β;� Α1 ΔΑ ∗ 系列专业 Η ΣΤ Η Σ 转换器不仅可
支持 23 Φ 7 至 Α 7 的输人电压 , 而且能够为多达 % 、 ,
以及 5 个串行 Ρ8 Η 供电。 这些转换器采用微型芯片
级封装 ,并可最大限度减少所需的外部组件数 ,从而
使电源电路解决方案比许多基于非电感的充电泵解
决方案更小 。 Β ;�Α 1Δ Α Υ 、1、;�Α 1Δ Α 1 以及 Β ;�Α 1Δ Α2 器
件集成 了电流为 ,Δ Δ Π 0 的 ≅Υ �.8 Β 及 同步整流
器 ,从而消除了采用外部串行 肖特基二极管的麻烦 。
此外 , 1 ≅Λ Μ 固定开关频率使转换器能够使用更小 、
低数值 =&Ο ς 一∋ !& Θ )> 的外部组件 , 如 1Δ Θ Λ 的电感器
与 22 Δ ∃ . 的输出电容器 。
2Δ Δ ,年 12 月 。 。 3 。 。 。 3 。 。 。 3 3 3 3 3 3 ⋯⋯ , 3 3 3 ⋯⋯ 令 欢迎投稿 8 一 Π ! (&Ω ! () Ξ ! 9 (! ∃ (∃ ΨΟ 刀Ο Π 3 ) ∃
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