爱问 爱问共享资料 爱问分类
加入VIP
  • 专属下载特权
  • 现金文档折扣购买
  • VIP免费专区
  • 千万文档免费下载
关闭

关闭

关闭

封号提示

内容

首页

hfo2

爱问共享资料综合频道提供hfo2资料,hfo2免费下载,包括HfO2薄膜的电阻开关效应,低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI,HfO2和Al2O3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究资料等,同时你也可以上传hfo2相关资料,分享给广大网友!
名称/格式 所需积分 下载次数 资料大小 上传时间
  • 5分
    0
    3.1MB
    2011-09-01

    分别是MIM材料结构和自然科学基金申请书HfO2薄膜的电阻开关效应苏玉荣2010/4/10目 录• 几种存储器原理与性能比较• 电致电阻材料与研究现状• 电阻存储器原理与基本机制• 氧化铪的研究现状存储材料{磁存储材料半导体材料光盘存储材料[立即查看]

  • 低原生缺陷密度的HfN/HfO2高K栅结构中界面反应导致的PBTI和NBTI全部作者:萨宁 杨红 康晋锋第1作者单位:北京大学微电子所摘要:本文利用高温工艺制备了HfN/HfO2高K栅介质的-FETs和p-FETs,内含原生缺陷密度较低,分[立即查看]

  • HfO2和A2O3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究HfO2和A2O3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究 第29卷第2期 2008年6月 河北科技大学学报 JoraofHebeiUiversityofScieceadTechoo[立即查看]

  • 【word】 溅射法在不同O2/Ar比例下制备HfO2薄膜溅射法在不同O2,Ar比例下制备HfO2薄膜 第29卷第5期 2011年10月 ? 运城学院 JoraofYchegUiversity Vo1.29No.5 Oct.2011 溅射法[立即查看]

  • 1分
    0
    365.2KB
    2013-08-19

    第一性原理计算peHhye 6t apat tc. TosithoPACS: 68.35.Md; 68.47.Gh; 73.20.At; 81.10.AjKeywords: High j; HfO ; Srfaces; First-pric[立即查看]

  • 2分
    0
    1.8MB
    2013-11-24

    rramI-operado ad o-destrctive aaysis of the resistive switchig i theTi/HfO2/TiN-based system by hard x-ray photoeectro s[立即查看]

  • HfO2薄膜的电阻开关效应苏玉荣2010/4/10目 录• 几种存储器原理与性能比较• 电致电阻材料与研究现状• 电阻存储器原理与基本机制• 氧化铪的研究现状存储材料{磁存储材料半导体材料光盘存储材料{挥发性:静态存储器 (SRAM)、动态[立即查看]

  • 0分
    66
    3.1MB
    2010-04-10

    HfO2薄膜的电阻开关效应苏玉荣2010/4/10目 录• 几种存储器原理与性能比较• 电致电阻材料与研究现状• 电阻存储器原理与基本机制• 氧化铪的研究现状存储材料{磁存储材料半导体材料光盘存储材料{挥发性:静态存储器 (SRAM)、动态[立即查看]

  • HfO2薄膜的电阻开关效应-苏玉荣.pdf[立即查看]

  • 0分
    1
    112.0KB
    2017-12-19

    HfO2薄膜的离子束刻蚀特性研究Hf O薄膜的离子束刻蚀特性研究 2 1 ,2 1 1 1 1王旭迪,徐向东,刘 颖, 洪义麟,付绍军 (1 . 中国科学技术大学 国家同步辐射实验室,安徽 合肥 23002 6 ; ) 2 . 合肥工业大学[立即查看]

VIP

在线
客服

免费
邮箱

爱问共享资料服务号

扫描关注领取更多福利