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异质外延

本专题为异质外延相关文档资料,可适用于二级分类(三级分类)领域,主题内容包含GaAsSi(100)和GaAsSi(100)4o异质外延的比较研究,晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响,GaAs异质外延生长等
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    2011-12-25

    GaAs外延生长GaAs/Si(100)和GaAs/Si(100)4o异质外延的比较研究 冯建友1,任晓敏1,黄永清1,黄辉1,王琦2,熊德平1,吕吉贺1,周静1,王飞华11)(北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京 10087[立即查看]

  • 异质外延晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响*王晓平1)2) � 谢 � 峰1) � 石勤伟2) � 赵特秀1)1) (中国科学技术大学物理系, 合肥 � 230026)2) (中国科学院结构分析重点实验室, 合肥 � 230026[立即查看]

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    2010-11-18

    GaAs异质外延生长.pdf[立即查看]

  • 纳米材料文献Heteroepitaxia Growth of Sige-WaedCarbo Naotbes from Boro NitrideDai-Mig Tag1,3*, Li-Li Zhag1*, Chag Li1, Li-Chag [立即查看]

  • 二氧化钒的文献!� * 教育部优秀青年教师和新世纪人才计划资助项目; 西北工业大学科技创新基金和研究生种子基金项目( Z200516, Z200517)� 王志育:男, 硕士研究生,研究方向为信息功能材料 � Te: 029�8849446[立即查看]

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    2017-09-30

    LED外延片 外延工艺LED外延片 外延工艺 由LED工作原理可知,外延材料是LED的核心部分,事实上,LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条: ?禁带宽度适合。?可获得电导率[立即查看]

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    2017-10-23

    LED外延芯片和外延工艺LED工作原理可知,外延材料是LED的核心部分,事实上,LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条: ? ?禁带宽度适合。 ? ?可获得电导率高的P型和N型[立即查看]

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    2017-10-17

    LED外延片LED外延片名片 , 目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法,这种方法的引用是基于LED外延生长基本原理,LED外延生长的基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC,Si)上,气态物质I,G[立即查看]

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    2017-05-27

    诚信的“外延”现代社会中总有一部分“名门正派”在四处宣扬诚信是如何如何的重要,什么诚信是立人之本呀,中学生应该具有良好的诚信道德呀,诚信是“开发企业的金钥匙”等等。我看呀,这些都未免有些虚张声势了吧。如今的人民生活好了,在享受物资文明的同时[立即查看]

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    2013-08-12

    半导体——外延\r\n如果大家喜欢的话,给我留言!我会上传更多半导体的知识!微电子工艺微电子工艺第3章 外延(Epitaxy)田 丽第3章 外延第3章 外延3.1 概述3.2 气相外延3.3 分子束外延3.4 其它外延3.5 外延层缺陷[立即查看]

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    2011-12-31

    真空以及镀膜 2.4三束技术与薄膜外延生长2.4.1分子束外延2.4.2原子束外延2.4.3离子束外延 2.4三束技术与薄膜外延生长——最常用的外延方法。即在衬底表面造成生长物原子的过饱和,驱使气相中的生长物原子并入固相,在[立即查看]

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    2011-10-28

    集成电路制造技术集成电路制造技术第七章 外延 集成电路制造技术第七章 外延 西安电子科技大学微电子学院戴显英2010年3月第七章 外延(Epitaxy)第七章 外延(Epitaxy)(外延)定义:在单晶衬底上,按衬底晶向生长一层新的[立即查看]

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    2011-12-02

    好资料外延 与 外延片测试外延 与 外延片测试我们在做什么应用外延芯片封装蓝宝从事领域基片装饰照明我们在做什么外延外延IterferometerIterferometer基片厚度:430m外延层厚度:5~8m芯片芯片[立即查看]

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    2011-04-29

    外延生长 - 正文 外延生长   在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层,犹如原来的晶体向外延伸了一段,故称外延生长。外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻,又[立即查看]

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    2013-05-12

    器件原理,外延[立即查看]

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    2012-02-01

    让世人了解大学  异质思维:从《诗经 硕鼠》到网络红歌作者:雁歌我把《2011“网络红歌”大盘点》中的歌曲视频(见凯迪社区 猫眼看人)全部看完了。总的来说,这是一种带有“异质思维”性质的民歌,真不错!向这些歌曲的词作者、歌者、制作者致敬! [立即查看]

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    2017-11-15

    异质结构 Heterostrctres异质结构 Heterostrctres 异质结 百科名片 异质结,两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同,异质结可分为同型异质结(P-p结或N-结)和异型异质(P-或p-N)[立即查看]

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    2010-12-08

    半导体物理学姜胜林华中科技大学电子系西七楼309室Te: 87542693Emai: js@hst.ed.c2009年1 半导体中的电子状态半导体中的电子状态3 载流子输运载流子输运4 非平衡载流子非平衡载流子5 pp--结结6 金属和半导[立即查看]

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    2011-04-11

    matlab入门MATLAB 程式設計入門篇異質陣列MATLAB 程式設計入門篇異質陣列張智星jag@cs.th.ed.twhttp://www.cs.th.ed.tw/~jag清大資工系 多媒體檢索實驗室本章重點本章重點異質陣列(Ce A[立即查看]

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    2017-11-06

    核异质细胞核异质细胞是指细胞核发生异常改变,但胞质分化正常的细胞。核异质表现为核的大小、形态异常,核染色质增多,分布不均,核膜增厚,边界不整齐等。核异质细胞形态上介于良性细胞和恶性细胞之间,所以又称间变细胞,相当于病理组织学上的不典型增生。[立即查看]

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    2017-11-30

    遗传异质性遗传异质性(heterogeeity) 遗传异质性是指表现型一致的个体或同种疾病临床表现相同,但可能具不同的基因型,称为遗传异质性。由于遗传基础不同,它们的遗传方式、发病年龄、病程进展、病情严重程度、预后以及复发风险等都可能不同。[立即查看]

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    2017-11-28

    土壤异质性土壤异质性.底土在氧气上比表土通常是少。 不仅是水含量通常更高(在潮湿气候),而且总孔隙,以及大孔隙空间,通常低在更加深的土层。 另外,气体扩散的通道到和在土壤外面里在更深的土层是更长。 然而,如果有机基底基板培养基在底土的低供应[立即查看]

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    2017-10-01

    外延片生长过程一、 衬底 限制层 1、 化合物半导体:GaSb,GaAs,GaP,GaN。 AIP(P型) 有源层 2、 单晶的生成方法:提拉法(LEC)。 3、 晶片大小:2英寸,3英寸,4英寸和6英寸。 限制层 AIP(N型) 4、 晶[立即查看]

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    2010-08-02

    [Geera Iformatio]书名=新闻文化外延论作者=页数=478SS号=0出版日期= 封面� 书名� 版权� 前言� 目录� 1� 2� 3� 4� 5� 6� 7� 8� 9� 10� 11� 12� 13� 14� 15� 16[立即查看]

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    2013-07-16

    工艺Soth Chia Norma UiversityGaN基LED芯片外延的新进展华南师范大学光电子材料与技术研究所范广涵Soth Chia Norma Uiversity内容提纲1. MOCVD外延技术2. 衬底的选取与处理3. GaN[立即查看]

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    2013-07-15

    集成电路工艺原理课件第七章 外延 外延:是指在单晶衬底(如硅片)上,按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。生长有外延层的硅片称为外延片。同质外延:生长的外延层和衬底是同一种材料。异质外延:外延生长的薄膜与衬底材料不同,或者生长化学组分、物理结构[立即查看]

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    2013-09-04

    2013MOCVD外延工作招聘[厦门]三安光电股份有限公司 2013 招聘 发布时间:2013-05-13 四, 器件工艺开发工程师(5 人) 岗位要求: 1、硕士学历,微电子、半导体光电材料与器件等相关专业。 2、具有 LED 或 3-5[立即查看]

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    2014-03-19

    戏曲艺术纂麒撇阳洲酬日康椒攀藉典倚箱论艺中西戏剧异质论龟钱久元史事实已经证明 , 任何一个民族都必然地要经历宗教神话阶段 。 宗教神话是人类文化的开端 , 是人类文 明的起点 。 同时 , 我们还必须看到 , 世界各民族的宗教神话发展历程还[立即查看]

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    2017-06-03

    细胞异质性辨析细胞异质性(单细胞技术)1、 单细胞分析方法显示在FMDV感染过程中,细胞与细胞间在病毒RNA水平上存在很大的差异性为了研究在FMDV复制过程中的细胞异质性,我们应用单细胞方法分析被感染的细胞(图1-1)。首先用0.0001/[立即查看]

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