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肖特基势垒

本专题为肖特基势垒相关文档资料,可适用于二级分类(三级分类)领域,主题内容包含SiC 肖特基势垒二极管的研制,元器件生产的明天(二)——无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块特点之图片说明,肖特基势垒二极管等
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    2010-07-14

     第 20 卷第 11 期 半 导 体 学 报 V o . 20,N o. 11 1999 年 11 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov. , 1999 3 国防预研基金资助项目张[立即查看]

  • ROHM于2012年3月世界首家实现内置的功率半导体元件全部由碳化硅构成的\"全SiC\"功率模块(额定1200V/100A)的量产。该产品在工业设备等中的应用与研究不断取得进展;而另一方面,在保持小型模块尺寸的同时希望支持更大电流的需求高涨,此类产品的开发备受市场期待。[立即查看]

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    2011-09-02

    二极管资料 版本(Rev.):201002I 1/8 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODEHBR10100 [立即查看]

  • scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的。这些需求包括:可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变换器与并联功率器件的专业控制功能的兼容性[立即查看]

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    2011-12-12

    肖特基势垒 Schottky barrier肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触,就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 金属与型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时[立即查看]

  • 检波器设计第 1 期1 97 8 年 1 2 月电 子 学 报A CT A E L E C T R O N IC A S IN IC A冲 D e e.197 8毫米波器件肖特基势垒的实验研究辞 家 文[提要) 本文给出T Z r 、 T [立即查看]

  • 罗姆开发出实现业界最小的低VF SiC肖特基势垒二极管邮件群发 日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部位于日本京都)面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路,开发出实现业界最小※正向电压(VF,1.35V)的第二代SiC[立即查看]

  • 静电放电对结势垒肖特基二极管正向I―V特性的影响静电放电对结势垒肖特基二极管正向I―V特性的影响 停车场收费 摘 要:本文基于人体放电模型对4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管进行同一电压下的多次脉冲放电,直接对二极管管脚加静电。每次放[立即查看]

  • 静电放电对结势垒肖特基二极管正向I―V特性的影响[权威资料]静电放电对结势垒肖特基二极管正向I―V特性的影响 本文档格式为WORD,感谢你的阅读。 摘 要:本文基于人体放电模型对4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管进行同一电压下的多次脉[立即查看]

  • 基于单根SO2纳米线肖特基势垒的气体传感器的研究三玩刀砌 : . ,. 关于学位论文独创声明和学术诚信承诺 本人向河南大学提出硕士学位申请.本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导 师的指导下独立完成的,对所研究的课题有新的见解.据我所知,[立即查看]

  • 元器件生产的明天(二)——无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块特点之图片说明元器件生产的明天,二,——无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块特点之图片说明 知名半导体制造商罗姆(ROHM),面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转[立即查看]

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    2011-12-18

    肖特基 肖特基(SCHOTTKY)系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁[立即查看]

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    2017-12-09

    肖特基缺陷例 题 8(1 肖脱基缺陷 试计算T,500 K时和NaC晶体在平衡态下的肖脱基缺陷的比例分数(在C晶体里形成一个空位的激活能为0(90eV(对于NaC晶体,由于电中性的要求,一般空位以成对的方式出现,产生一个空位对所需要的能量为[立即查看]

  • 涂覆扩散型SrTiO3基陶瓷晶界叠加势垒模型涂覆扩散型SrTiO3基陶瓷晶界叠加势垒模型 第2?卷第2期 1996年4月 硅酸盐 JOURNALOFTHECHINESECERAMICSOCIETY Vo1.24,Nv.2 ApriI.199[立即查看]

  • 涂覆扩散型SrTiO_3基陶瓷晶界叠加势垒模型[立即查看]

  • 势垒贯穿问题中选择基函数的两种方法1998年2月湖北汽车工业学院December1998 第卷第4期JoraofHbeiAtomotiveIdstriesIstitteVo1.12No.4 穿问题中选择基函数的两种方法 李文胜, (基础课部[立即查看]

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    2017-09-02

    肖特基二极管肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这[立即查看]

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    2011-11-28

    IC,二极管资料,电子技术◆ Haf Bridge Rectified、Commo Cathode Strctre.◆ Mtiayer Meta -Siico Potetia Strctre.◆ Low Power Waste,High E[立即查看]

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    2011-09-02

    二极管资料2SB071040MLYY杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 2010.01.28Http://www.sia.com.c 共2[立即查看]

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    2011-09-02

    二极管资料肖特基二极管反向电压 150 V正向电流 20 AMBRF20150CT1501501053.5150200.950.15MBRF20150CT320MBRF20150CTSIYU R最大可重复峰值反向电压 Maximm rep[立即查看]

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    2011-06-30

    元器件FMS 1N60/1N60P Formosa MicroSemi CO., LTD. www.formosams.com Rev. 2, 22-Nov-2002 [立即查看]

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    2011-06-28

    DescriptioFeatres EXTREMELY LOW VF LOW POWER LOSS — HIGH EFFICIENCYMechaica Dimesios LOW STORED CHARGE; MAJORITYCARRIER[立即查看]

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    2011-02-22

    N- N+1、投片、打标二极管的工艺流程2、清洗、氧化, 目的:生长二氧化硅 [立即查看]

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    2017-11-13

    肖特基二级管[详解]肖特基二极管目录 简介 原理 优点 结构 特点 应用 其它 [编辑本段] 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SB[立即查看]

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    2013-05-07

    数据手册PMEG2010ER1 A ow VF MEGA Schottky barrier rectifier1. Prodct profie1.1 Geera descriptioPaar Maximm Efficiecy Geera A[立即查看]

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    2013-01-25

    开关电源资料 33www.mccsemi.com M C C Micro Commercia CompoetsTM SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS MCC Part Nmber Workig Peak Rev[立即查看]

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    2012-05-26

    不错的介绍EPI wafer表面處理dope N+ dopat晶片刻號中譯LM-01機台WAFER MARK1OperatioNO.EPI wafer:有表面處理Test wafer (moitor wafer,dmmywafer):無表面[立即查看]

  • [肖特基二极管]肖特基二极管型号大全[肖特基二极管]肖特基二极管型号大全 篇一 : 肖特基二极管型号大全 qysemiSpeciaist ofOvervotageProtector 肖特基二极管型号大全 全业电子 一、肖特基二极管产品图 二[立即查看]

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    2012-09-25

    电池的平带电位测试[立即查看]

  • 高A组份薄势垒GaN基异质的结研究(可编辑)高A组份薄势垒GaN基异质的结研究 西安电子科技大学硕士学位论文 高组份薄势垒基异质结研究 作者:李小刚 导师:张进成教授 学科:微电子学与固体电子学 中国 西安 年月川 ??忸?? 洲~ 洲~ [立即查看]

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