超晶格材料光电性能及其相关力学问题研究进展(专业课)

超晶格材料光电性能及其相关力学问题研究进展(专业课) 一、单选题(共 7 小题，每题 5 分) 1、闪晶矿有( )个独立弹性常数。 A、2 B、3 C、4 D、5 2、超晶格材料以( )为设计基础。 A、原子物理学 B、粒子物理学 C、量子力学 D、固体物理学 3、紧束缚方法是由( )首次提出的。 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D、Bloch 4、半导体超晶格材料应用的关键技术出现在( )时间。 A、20世纪60年代 B、20世纪70年代 C、20世纪80年代 D、20世纪末 5、半导体超晶格材料的出现是30年来( )的两大突破。 A、量子物理和材料科学 B、量子物理和材料物理 C、物理科学和材料科学 D、量子力学和材料科学 6、超晶格材料是( )种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜。 A、一 B、两 C、三 D、四 7、( )%以上的电子器件都是以量子结构材料为基础制造的。 A、80 B、85 C、90 D、95 二、多选题(共 6 小题，每题 5 分) 1、低维量子结构材料都在( )上应用。 A、微型机器人 B、微卫星 C、远程无人监控系统 D、微陀螺仪 2、弹性力学中有( )方程。 A、物理方程 B、平衡方程 C、几何方程 D、化学方程 3、电子产品的发展方向是( )。 A、体积小 B、重量轻 C、多功能 D、功耗低 E、高可靠度 4、半导体超晶格材料会产生( )光电现象。 A、负电阻效应 B、量子约束效应 C、共振隧穿效应 D、声子约束效应 5、通过减小器件尺寸来接近物理极限，微电子技术都收到( )限制和挑战。 A、短沟道效应 B、光刻技术 C、制造成本昂贵 D、量子隧穿效应 E、互连延迟 6、( )发现低维量子结构材料可实现负电阻效应。 A、Esaki B、Tsu C、安德烈?海姆 D、康斯坦丁?诺沃肖洛夫 三、判断题(共 7 小题，每题 5 分) 1、如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成的叫组分超晶格。 对 错 2、动载荷产生的大应变不会导致以量子结构材料为核心材料的先进器件过载而失效。 对 错 3、量子结构材料研究属于连续介质力学和量子力学交叉学科的前沿性研究领域。 对 错 4、超晶格材料是一种小于天然晶格尺寸的周期性超薄结构材料。 对 错 5、超晶格晶体材料是一种人工制造的大尺寸周期结构晶体材料。 对 错 6、材料是时代进步的标志。 对 错 7、超晶格材料是首次出现人工设计并制造的周期性晶体。 你现时的得分是 40～ 你的成绩低于作业及格要求，请重做～ 错误情况: 单选题 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 1.闪晶矿有( )个独立弹性常数。 正确 答案 八年级地理上册填图题岩土工程勘察试题省略号的作用及举例应急救援安全知识车间5s试题及答案 :D.5 2.超晶格材料以( )为设计基础。 正确答案:C.量子力学 3.紧束缚方法是由( )首次提出的。 正确答案:D.Bloch 5.半导体超晶格材料的出现是30年来( )的两大突破。 正确答案:A.量子物理和材料科学 7.( )%以上的电子器件都是以量子结构材料为基础制造的。 正确答案:C.90 多选题 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 1.低维量子结构材料都在( )上应用。 正确答案:A.微型机器人 B.微卫星 C.远程无人监控系统 D.微陀螺仪 3.电子产品的发展方向是( )。 正确答案:A.体积小 B.重量轻 C.多功能 D.功耗低 E.高可靠度 4.半导体超晶格材料会产生( )光电现象。 正确答案:A.负电阻效应 B.量子约束效应 C.共振隧穿效应 D.声子约束效应 5.通过减小器件尺寸来接近物理极限，微电子技术都收到( )限制和挑战。 正确答案:A.短沟道效应 B.光刻技术 C.制造成本昂贵 D.量子隧穿效应 E.互连延迟 6.( )发现低维量子结构材料可实现负电阻效应。 正确答案:A.Esaki B.Tsu 判断题 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 2.动载荷产生的大应变不会导致以量子结构材料为核心材料的先进器件过载而失效。 正确答案:错 4.超晶格材料是一种小于天然晶格尺寸的周期性超薄结构材料。 正确答案:错 一、单选题(共 7 小题，每题 5 分) 1、( )具有“小尺度效应”和“大尺寸量子效应”并存的现象。 A、量子结构材料 B、连续介质力学 C、量子力学 D、微观动力学 2、半导体超晶格材料的出现是30年来( )的两大突破。 A、量子物理和材料科学 B、量子物理和材料物理 C、物理科学和材料科学 D、量子力学和材料科学 3、( )的研制成功提供了介于宏观连续介质和微观物质粒子之间的典型介观体系。 A、低维量子结构材料 B、中维量子结构材料 C、高维量子结构材料 D、负微分电阻 4、紧束缚方法是由( )首次提出的。 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D、Bloch 5、应变超晶格大部分致力于量子结构材料( )的研究 A、宏观动力学行为 B、微观变形机理 C、量子化电子结构及其光电性质 D、微小型器件制造及其光电性质 6、半导体超晶格材料应用的关键技术出现在( )时间。 A、20世纪60年代 B、20世纪70年代 C、20世纪80年代 D、20世纪末 7、20世纪末是处于( )时代。 A、铁器时代 B、复合材料时代 C、智能材料时代 D、青铜时代 二、多选题(共 6 小题，每题 5 分) 1、通过减小器件尺寸来接近物理极限，微电子技术都收到( )限制和挑战。 A、短沟道效应 B、光刻技术 C、制造成本昂贵 D、量子隧穿效应 E、互连延迟 2、半导体超晶格材料应用的关键技术包括( )。 A、MBE B、MOCVD C、CBE D、ALE 3、弹性力学中有( )方程。 A、物理方程 B、平衡方程 C、几何方程 D、化学方程 4、电子产品的发展方向是( )。 A、体积小 B、重量轻 C、多功能 D、功耗低 E、高可靠度 5、超晶格材料分为( )。 A、组分超晶格 B、掺杂超晶格 C、多维超晶格 D、应变超晶格 6、半导体超晶格材料会产生( )光电现象。 A、负电阻效应 B、量子约束效应 C、共振隧穿效应 D、声子约束效应 三、判断题(共 7 小题，每题 5 分) 1、动载荷产生的大应变不会导致以量子结构材料为核心材料的先进器件过载而失效。 对 错 2、材料是时代进步的标志。 对 错 3、超晶格材料是首次出现人工设计并制造的周期性晶体。 对 错 4、如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成的叫组分超晶格。 对 错 5、超晶格材料是一种小于天然晶格尺寸的周期性超薄结构材料。 对 错 6、量子结构材料研究属于连续介质力学和量子力学交叉学科的前沿性研究领域。 对 错 7、超晶格晶体材料是一种人工制造的大尺寸周期结构晶体材料。 对 错 你现时的得分是 40～ 你的成绩低于作业及格要求，请重做～ 错误情况: 单选题 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 1.( )具有“小尺度效应”和“大尺寸量子效应”并存的现象。 正确答案:A.量子结构材料 2.半导体超晶格材料的出现是30年来( )的两大突破。 正确答案:A.量子物理和材料科学 3.( )的研制成功提供了介于宏观连续介质和微观物质粒子之间的典型介观体系。 正确答案:A.低维量子结构材料 4.紧束缚方法是由( )首次提出的。 正确答案:D.Bloch 5.应变超晶格大部分致力于量子结构材料( )的研究 正确答案:D.微小型器件制造及其光电性质 多选题 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 1.通过减小器件尺寸来接近物理极限，微电子技术都收到( )限制和挑战。 正确答案:A.短沟道效应 B.光刻技术 C.制造成本昂贵 D.量子隧穿效应 E.互连延迟 2.半导体超晶格材料应用的关键技术包括( )。 正确答案:A.MBE B.MOCVD C.CBE D.ALE 4.电子产品的发展方向是( )。 正确答案:A.体积小 B.重量轻 C.多功能 D.功耗低 E.高可靠度 5.超晶格材料分为( )。 正确答案:A.组分超晶格 B.掺杂超晶格 C.多维超晶格 D.应变超晶格 6.半导体超晶格材料会产生( )光电现象。 正确答案:A.负电阻效应 B.量子约束效应 C.共振隧穿效应 D.声子约束效应 判断题 ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 1.动载荷产生的大应变不会导致以量子结构材料为核心材料的先进器件过载而失效。 正确答案:错 5.超晶格材料是一种小于天然晶格尺寸的周期性超薄结构材料。 正确答案:错 一、单选题(共 7 小题，每题 5 分) 1、闪晶矿有( )个独立弹性常数。 A、2 B、3 C、4 D、5 2、( )方法成功的描述了绝缘体的能带结构。 A、赝势法 B、真实势场 C、Tight-binding D、K.P微扰方法 3、( )%以上的电子器件都是以量子结构材料为基础制造的。 A、80 B、85 C、90 D、95 4、赝势方法在( )是研究半导体材料的电学和光学性质的主要理论基础。 A、50-60年代 B、60-70年代 C、70-80年代 D、80-90年代 5、超晶格的发现是( )量级的大周期性介质薄层尺寸内仍出现量子化的电子运动规律。 A、0.1nm B、1nm C、10nm D、100nm 6、( )方法考虑了自旋轨道的相互作用。 A、赝势法 B、真实势场 C、Tight-binding D、K.P微扰方法 7、紧束缚方法是由( )首次提出的。 A、Esaki B、Tsu C、Seitz D、Bloch 二、多选题(共 6 小题，每题 5 分) 1、超晶格材料分为( )。 A、组分超晶格 B、掺杂超晶格 C、多维超晶格 D、应变超晶格 2、半导体超晶格材料会产生( )光电现象。 A、负电阻效应 B、量子约束效应 C、共振隧穿效应 D、声子约束效应 3、( )极大地促进了半导体超晶格材料的研究和发展。 A、微电子器件的集成度越来越高 B、微电子器件尺寸越来越小 C、微电子器件功能越来越全 D、高新技术的发展 4、半导体超晶格材料应用的关键技术包括( )。 A、MBE B、MOCVD C、CBE D、ALE 5、( )发现低维量子结构材料可实现负电阻效应。 A、Esaki B、Tsu C、安德烈?海姆 D、康斯坦丁?诺沃肖洛夫 6、超晶格的发现和概念提出的有( )意义。 A、量子物理的突破 B、发现人工制造晶体材料工艺 C、开辟了人工设计与制造晶体结构的新方法。 三、判断题(共 7 小题，每题 5 分) 1、每隔3年集成度增加4倍，特征尺寸缩小1.414倍。 对 错 2、点载荷可以施加在曲面上，也可以施加在端面上。 对 错 3、超晶格材料是一种小于天然晶格尺寸的周期性超薄结构材料。 对 错 4、超晶格晶体材料是一种人工制造的大尺寸周期结构晶体材料。 对 错 5、如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成的叫组分超晶格。 对 错 6、通过产生应变提高载流子迁移率，显著改变微电子器件的光电性能。 对 错 7、超晶格材料是首次出现人工设计并制造的周期性晶体。 对 错 你现时的得分是 80～ 恭喜，你已通过作业的及格要求～